oghmanano 8.0 - en to ru translation catalogue (1776 entries)

en: H_joule
ru: H_джоуль

en: H_recombination
ru: H_рекомбинация

en: H_parasitic
ru: H_паразитический

en: Single states
ru: Отдельные состояния

en: time
ru: время

en: Triplet states
ru: Тройные состояния

en: Singlets in donor
ru: Синглеты в доноре

en: Nsd
ru: НСД

en: Triplet in donor
ru: Триплет в доноре

en: Ntd
ru: NTD

en: Photon denisty
ru: Фотон Денисти

en: Npho
ru: Нфо

en: file name not set
ru: имя файла не задано

en: Time
ru: Время

en: Voltage
ru: Напряжение

en: Free electron generation rate
ru: Скорость генерации свободных электронов

en: Generation rate
ru: Скорость генерации

en: Free hole generation rate
ru: Скорость генерации свободной дыры

en: SRH recombination free electrons -> trapped holes
ru: Рекомбинация СРГ свободные электроны -> захваченные дырки

en: Recombination
ru: Рекомбинация

en: SRH recombination free holes -> trapped electrons
ru: SRH рекомбинация свободных дырок -> захваченные электроны

en: Surface recombination on left contact
ru: Поверхностная рекомбинация на левом контакте

en: Surface recombination on right contact
ru: Поверхностная рекомбинация при правильном контакте

en: Trapped electron density
ru: Плотность захваченных электронов

en: Electron density
ru: Электронная плотность

en: Trapped hole density
ru: Плотность захваченных отверстий

en: Hole density
ru: Плотность отверстий

en: Free electron density
ru: Плотность свободных электронов

en: Free hole density
ru: Свободная плотность отверстий

en: Total electron density
ru: Общая электронная плотность

en: Total hole density
ru: Общая плотность отверстий

en: Electron mobility
ru: Электронная подвижность

en: Mobility
ru: Мобильность

en: Hole mobility
ru: Подвижность отверстия

en: Average electron and hole mobility
ru: Средняя подвижность электронов и дырок

en: Total PL intensity
ru: Суммарная интенсивность ФЛ

en: Total PL Intensity
ru: Общая интенсивность PL

en: PL intensity at given energy
ru: Интенсивность ФЛ при данной энергии

en: PL Intensity
ru: ФЛ Интенсивность

en: Voltage applied to diode
ru: Напряжение, подаваемое на диод

en: band bend (percent)
ru: изгиб полосы (в процентах)

en: band bend
ru: изгиб полосы

en: percent
ru: процент

en: Dynamic quantum efficiency
ru: Динамическая квантовая эффективность

en: Percent
ru: Процент

en: Drift current density
ru: Плотность дрейфового тока

en: Position
ru: Должность

en: Electron current density (drift)
ru: Плотность электронного тока (дрейф)

en: Diffusion current density
ru: Плотность диффузионного тока

en: position
ru: должность

en: Electron current density (diffusion)
ru: Плотность электронного тока (диффузия)

en: Diffusion+Drift current density
ru: Плотность диффузионного + дрейфового тока

en: Drift current density (x)
ru: Плотность дрейфового тока (x)

en: Diffusion current density (x)
ru: Плотность диффузионного тока (x)

en: Hole current density (drift)
ru: Плотность тока отверстия (дрейф)

en: Hole current density (diffusion)
ru: Плотность дырочного тока (диффузия)

en: Current density
ru: Плотность тока

en: Electron current density
ru: Плотность электронного тока

en: Hole current density
ru: Плотность тока отверстия

en: Electron current density x
ru: Плотность электронного тока x

en: Total current density (Jn+Jp)
ru: Суммарная плотность тока (Jn+Jp)

en: |Total current density|
ru: |Общая плотность тока|

en: |Jpy|+|Jpx|
ru: |jpy|+|jpx|

en: Free electron -> Free hole recombination rate
ru: Свободный электрон -> скорость рекомбинации свободных дырок

en: Free carrier recombination rate
ru: Скорость рекомбинации свободных носителей

en: Free electron loss due to SRH processes (including trapping)
ru: Потеря свободных электронов из-за процессов SRH (включая захват)

en: Free electron loss
ru: Потеря свободных электронов

en: Free hole loss due to SRH processes (including trapping)
ru: Потери свободного отверстия из-за процессов SRH (включая улавливание)

en: Free hole loss
ru: Свободная потеря отверстия

en: SRH relaxation free electrons -> trapped electrons
ru: Свободные электроны релаксации SRH -> захваченные электроны

en: Relaxation
ru: расслабление

en: SRH relaxation free holes -> trapped holes
ru: Отверстия без релаксации SRH -> захваченные дыры

en: Singlet density
ru: Единая плотность

en: Triplet density
ru: Тройная плотность

en: Singlet energy
ru: Единая энергия

en: Triplet energy
ru: тройная энергия

en: Singlet in donor density
ru: Синглет по плотности донора

en: Triplet in donor density
ru: Триплет по плотности доноров

en: Ion density
ru: Ионная плотность

en: Singlet 'IMREF'
ru: Синглет «ИМРЕФ»

en: Triplet 'IMREF'
ru: Триплет «ИМРЕФ»

en: Singlet in donor 'IMREF'
ru: Синглет в доноре «IMREF»

en: Triplet in donor 'IMREF'
ru: Триплет в доноре «IMREF»

en: Ion energy
ru: Энергия ионов

en: Doping
ru: допинг

en: Doping density
ru: Плотность легирования

en: Free electron carrier density
ru: Плотность свободных электронных носителей

en: Carrier density
ru: Плотность несущей

en: Free hole carrier density
ru: Плотность носителей свободных дырок

en: Trapped electron carrier density
ru: Плотность захваченных электронных носителей

en: Trapped hole carrier density
ru: Плотность носителей захваченных дырок

en: Change in electron population
ru: Изменение электронной популяции

en: Total charge
ru: Полный заряд

en: Change in total charge
ru: Изменение общего заряда

en: Change in hole population
ru: Изменение популяции дыр

en: Excess electron density
ru: Избыточная электронная плотность

en: x-position
ru: x-позиция

en: y-position
ru: Y-позиция

en: z-position
ru: z-позиция

en: Excess hole density
ru: Избыточная плотность отверстий

en: Perovskite mobile ion density
ru: Плотность подвижных ионов перовскита

en: Interface free-to-free recombination constant
ru: Константа свободной рекомбинации интерфейса

en: Electron tunneling though the interface
ru: Туннелирование электронов через интерфейс

en: Tunneling-e
ru: Туннель-е

en: Hole tunneling though the interface
ru: Туннелирование отверстия через интерфейс

en: Tunneling-h
ru: Туннелирование-h

en: Interface free-to-trap recombination constant
ru: Константа рекомбинации свободной ловушки интерфейса

en: Interface free-to-trap  recombination constant
ru: Константа рекомбинации свободной ловушки интерфейса

en: Interface recombination rate
ru: Скорость рекомбинации интерфейса

en: Electron current density left contact (J_y0_n)
ru: Плотность электронного тока левого контакта (J_y0_n)

en: Hole current density left contact (J_y0_p)
ru: Плотность тока отверстия левый контакт (J_y0_p)

en: Electron current density right contact (J_y1_n)
ru: Правый контакт плотности электронного тока (J_y1_n)

en: Hole current density right contact (J_y1_p)
ru: Отверстие плотности тока правого контакта (J_y1_p)

en: Electron drift current
ru: Ток дрейфа электронов

en: Electron diffusion current
ru: Электронный диффузионный ток

en: Hole drift current
ru: Ток дрейфа отверстия

en: Hole diffusion current
ru: Дырочный диффузионный ток

en:  Hole diffusion current
ru: Дырочный диффузионный ток

en: Electron drift+diffusion current
ru: Электронный дрейф + диффузионный ток

en: Hole diffusion+diffusion current
ru: Дырочная диффузия + диффузионный ток

en: Jn at contacts
ru: Jn в контактах

en: Jp at contacts
ru: JP в контактах

en: External Current
ru: Внешний ток

en: Current
ru: Текущий

en: Current density at contacts
ru: Плотность тока на контактах

en: LUMO
ru: люмо

en: Electron Energy
ru: Электронная энергия

en: HOMO
ru: ГОМО

en: Lattice temperature
ru: Температура решетки

en: Temperature
ru: Температура

en: Electron temperature
ru: Электронная температура

en: Hole temperature
ru: Температура отверстия

en: Band gap
ru: запрещенная зона

en: Electron quasi Fermi-level
ru: Электронный квазиуровень Ферми

en: Hole quasi Fermi-level
ru: Дырочный квазиуровень Ферми

en: Potential
ru: потенциал

en: Equlibrium Fermi-level
ru: Равновесный уровень Ферми

en: Energy
ru: Энергия

en: Relative permittivity
ru: Относительная диэлектрическая проницаемость

en: Joule heating from device
ru: Джоулев нагрев от устройства

en: Heating
ru: Обогрев

en: Electron mobility z
ru: Электронная подвижность z

en: Electron mobility x
ru: Электронная подвижность х

en: Electron mobility y
ru: Электронная подвижность y

en: Hole mobility z
ru: Отверстие мобильностьz

en: Hole mobility x
ru: Подвижность отверстия х

en: Hole mobility y
ru: Подвижность отверстия y

en: Average electron mobility
ru: Средняя подвижность электронов

en: Recombination rate
ru: Скорость рекомбинации

en: Auger recombination
ru: Оже-рекомбинация

en: Rate
ru: оценивать

en: Trap fermi level
ru: Уровень Ферми ловушки

en: Electron Fermi level
ru: Электронный уровень Ферми

en: Material number
ru: Номер материала

en: Number
ru: Число

en: Passivated
ru: Пассивированный

en: True/False
ru: Верно/Неверно

en: Current map of the bottom contact
ru: Текущая карта нижнего контакта

en: Resistance of bottom of device
ru: Сопротивление нижней части устройства

en: Running Ray tracer
ru: Запуск трассировщика лучей

en: pulse mode not known
ru: импульсный режим неизвестен

en: pulse time
ru: время импульса

en: step
ru: шаг

en: current density
ru: плотность тока

en: current
ru: Текущий

en: Volts
ru: вольт

en: Photogeneration rate
ru: Скорость фотогенерации

en: Emission
ru: эмиссия

en: Charge density
ru: Плотность заряда

en: Suns
ru: Солнца

en: Charge
ru: Обвинение

en: ce mode not known
ru: режим ce неизвестен

en: ce mode not known
ru: режим ce неизвестен

en: ce time
ru: ce время

en: x
ru: Икс

en: y
ru: у

en: Full transfer matrix based light model
ru: Полная матрица переноса на основе световой модели

en: Generating mesh
ru: Создание сетки

en: The materials in your device are not configured to emit light
ru: Материалы на вашем устройстве не настроены на излучение света

en: Real
ru: Настоящий

en: Imaginary
ru: Мнимый

en: Re(i)
ru: Ре (я)

en: Im(i)
ru: Я (я)

en: Frequency
ru: Частота

en: Real(i)
ru: реальный (я)

en: Capacitance
ru: Емкость

en: 1/C^2
ru: 1/С^2

en: abs(i)
ru: абс (я)

en: phi(i)
ru: фи (я)

en: Phase
ru: Фаза

en: Fit error modulation
ru: Подгонка модуляции ошибки

en: Error
ru: Ошибка

en: Fit error j/v
ru: Подгонка ошибки j/v

en: Resistance
ru: Сопротивление

en: Solving EQE at
ru: Решение EQE в

en: out of memory!
ru: нет памяти!

en: matrix is singular!
ru: матрица сингулярна!

en: Running scanning probe microscopy
ru: Запуск сканирующей зондовой микроскопии

en: no spm config file found
ru: файл конфигурации spm не найден

en: Running JV simulation
ru: Запуск моделирования совместного предприятия

en: Stopping because of Vexternal
ru: Остановка из-за Vexternal

en: Efficiency
ru: Эффективность

en: Voltage/Current across just the ideal diode
ru: Напряжение/ток только на идеальном диоде

en: Applied Voltage
ru: Прикладное напряжение

en: Recombination prefactor
ru: Префактор рекомбинации

en: Applied voltage
ru: Приложенное напряжение

en: Excess carrier density
ru: Избыточная плотность носителей

en: Excess charge density above equilibrium
ru: Избыточная плотность заряда выше равновесия

en: Charge density with correction for surface charge
ru: Плотность заряда с поправкой на поверхностный заряд

en: Total charge density
ru: Общая плотность заряда

en: Light flux
ru: световой поток

en: Power in Optical emission/Electrical power in
ru: Мощность в оптическом излучении/электрическая мощность в

en: Conductivity
ru: проводимость

en: Holes on left contact
ru: Отверстия на левом контакте

en: Electrons on left contact
ru: Электроны на левом контакте

en: Holes on right contact
ru: Отверстия на правом контакте

en: Electrons on right contact
ru: Электроны на правом контакте

en: Generating electrical mesh
ru: Создание электрической сетки

en: I can't solve the matrix because I don't have enough equations.
ru: Я не могу решить матрицу, потому что у меня недостаточно уравнений.

en: Wavelength
ru: длина волны

en: Probe load configuration
ru: Конфигурация нагрузки зонда

en: Probe calculate modes
ru: Режимы расчета зонда

en: Probe free memory
ru: Зонд свободной памяти

en: Photon generation rate
ru: Скорость генерации фотонов

en: Average photon generation rate (xz-plane)
ru: Средняя скорость генерации фотонов (плоскость xz)

en: Photon generation rate  (xz-plane)
ru: Скорость генерации фотонов (плоскость xz)

en: Absorption
ru: Поглощение

en: Freeing memory from the exciton model
ru: Освобождение памяти от экситонной модели

en: E-field
ru: Электронное поле

en: Refractive index
ru: Реактивный индекс

en: Photon density
ru: Фотонная плотность

en: Job stalled. Time since last run:
ru: Работа застопорилась. Время с момента последнего запуска:

en: Bytes, written
ru: Байты, записанные

en: , read
ru: , читать

en: Files, read
ru: Файлы, читать

en:  written
ru: написано

en: I have shut down the server
ru: я выключил сервер

en: Number of CPUs:
ru: Количество процессоров:

en: Start time
ru: время начала

en: End time
ru: Время окончания

en: All jobs finished jobs
ru: Все работы готовые работы

en: I have finished all my jobs
ru: Я закончил все свои дела

en: The server has detected a crash
ru: Сервер обнаружил сбой

en: Hole generation rate
ru: Скорость образования отверстий

en: Copyright (C) 2009-2022 Roderick C. I. MacKenzie, Releced the MIT License
ru: Copyright (C) 2009-2022 Roderick CI MacKenzie, выпустил лицензию MIT

en: options
ru: опции

en: Options
ru: Опции

en: Simulation root path
ru: Корневой путь моделирования

en: displays the current version
ru: отображает текущую версию

en: Forces a simulation mode.
ru: Режим имитации сил.

en: sets the number of CPUs
ru: устанавливает количество процессоров

en: Additional information about OghmaNano is available at https://www.Oghma-Nano.com.
ru: Дополнительная информация об OghmaNano доступна на сайте https://www.Oghma-Nano.com.

en: Report bugs to: roderick.mackenzie@oghma-nano.com
ru: Сообщайте об ошибках по адресу: roderick.mackenzie@oghma-nano.com

en: oghma_core, Version %s
ru: oghma_core, версия %s

en: OghmaNano (Organic and hybrid Material Nano Simulation tool) core.
ru: Ядро OghmaNano (инструмент моделирования органических и гибридных материалов).

en: Copyright Roderick MacKenzie, released under the MIT License 2009-2022
ru: Copyright Roderick MacKenzie, выпущено по лицензии MIT 2009-2022.

en: There is ABSOLUTELY NO WARRANTY; not even for MERCHANTABILITY or
ru: НЕТ АБСОЛЮТНО НИКАКИХ ГАРАНТИЙ; даже не для ТОВАРНОЙ ПРИГОДНОСТИ или

en: FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE.
ru: ПРИГОДНОСТЬ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ.

en: Copyright Roderick MacKenzie, released under the MIT License 2010-2019
ru: Copyright Roderick MacKenzie, выпущено по лицензии MIT 2010-2019.

en: OghmaNano - Organic and hybrid Material Nano Simulation tool
ru: OghmaNano — инструмент моделирования органических и гибридных материалов.

en: Copyright (C) 2009-2022 Roderick C. I. MacKenzie,
ru: Авторское право (C) 2009–2022 Родерик С. И. Маккензи,

en: Released under the MIT software license
ru: Выпущено под лицензией на программное обеспечение MIT

en: If you wish to collaborate in anyway please get in touch:
ru: Если вы все равно хотите сотрудничать, пожалуйста, свяжитесь с нами:

en: dll not loaded
ru: dll не загружается

en: Photon escape probability
ru: Вероятность побега фотона

en: Running FDTD simulation @
ru: Запуск симуляции FDTD @

en: Ex - Electric field
ru: Ex - электрическое поле

en: Ey - Electric field
ru: Е - электрическое поле

en: Ez - Electric field
ru: Ez - электрическое поле

en: Detectors
ru: Детекторы

en: Hx - Magnetic field
ru: Hx - Магнитное поле

en: H-field
ru: H-поле

en: Hy - Magnetic field
ru: Hy - Магнитное поле

en: Hz - Magnetic field
ru: Гц - Магнитное поле

en: Power den
ru: мощность логово

en: epsilon_r - Premitivity
ru: epsilon_r - Премитивность

en: Permitivity
ru: Разрешение

en: sigma - ?
ru: сигма - ?

en: sigma
ru: сигма

en: Math_2d output
ru: Вывод Math_2d

en: Values
ru: Ценности

en: dll function dll_matrix_solve not found
ru: dll функция dll_matrix_solve не найдена

en: dll function dll_matrix_solver_free not found
ru: dll функция dll_matrix_solver_free не найдена

en: dll function dll_matrix_init not found
ru: dll функция dll_matrix_init не найдена

en: Error closing dll
ru: Ошибка закрытия dll

en: File not found
ru: Файл не найден

en: File access log written to %s
ru: Журнал доступа к файлам записывается в %s

en: Equilibrium Fermi-level
ru: Равновесный уровень Ферми

en: dll function dll_complex_matrix_solver_free not found
ru: dll функция dll_complex_matrix_solver_free не найдена

en: Deleting directory:
ru: Удаление каталога:

en: Deleting directory
ru: Удалить каталог

en: Solver initialization
ru: Инициализация решателя

en: dll function dll_solve_cur not found
ru: dll функция dll_solve_cur не найдена

en: dll function dll_solver_realloc not found
ru: dll функция dll_solver_realloc не найдена

en: dll function dll_solver_free_memory not found
ru: dll функция dll_solver_free_memory не найдена

en: >I don't understand the command
ru: >Я не понимаю команду

en: Can not open file
ru: Не могу открыть файл

en: Average mobility at V_{oc}
ru: Средняя подвижность при V_{oc}

en: Recombination rate at Voc
ru: Скорость рекомбинации на Voc

en: Average mobility as J_{sc}
ru: Средняя подвижность как J_{sc}

en: Electron mobility at P_{max}
ru: Подвижность электронов при P_{max}

en: Hole mobility at P_{max}
ru: Подвижность отверстия при P_{max}

en: Recombination time constant at Voc
ru: Постоянная времени рекомбинации на Voc

en: Trapped electrons at Voc
ru: Захваченные электроны на Voc

en: Trapped holes at Voc
ru: Закрытые отверстия в Voc

en: Free electrons at Voc
ru: Свободные электроны в Voc

en: Free holes at Voc
ru: Свободные отверстия в Voc

en: Total carriers (n+p)/2 at Voc
ru: Всего носителей (n+p)/2 в Voc

en: Average mobility at P_{max}
ru: Средняя подвижность при P_{max}

en: <b>GPU</b>
ru: <b>Графический процессор</b>

en: Name
ru: Имя

en: Resistor
ru: Резистор

en: Capacitor
ru: Конденсатор

en: Inductance
ru: Индуктивность

en: Ideality factor
ru: Фактор идеальности

en: Layer
ru: Слой

en: Single point
ru: Единая точка

en: Start intensity
ru: Начальная интенсивность

en: Stop intensity
ru: Остановить интенсивность

en: step multiplier
ru: ступенчатый множитель

en: dx of Honeycomb
ru: дх сот

en: dy of Honeycomb
ru: ды из сот

en: Line width
ru: Ширина линии

en: x shift
ru: xshift

en: y shift
ru: yshift

en: Rotate
ru: Повернуть

en: Enable fit variable
ru: Включить подходящую переменную

en: Select
ru: Выбирать

en: Invert simulated data (y)
ru: Инвертировать смоделированные данные (y)

en: Subtract lowest point
ru: Вычесть самую низкую точку

en: Set first point to zero
ru: Установить первую точку на ноль

en: Fit df(x)/dx
ru: Подгонка df(x)/dx

en: Fit error multiplyer
ru: Многопользовательская игра с ошибкой фита

en: Stall steps
ru: Шаги киоска

en: Fit define convergence
ru: Подходящая конвергенция определения

en: Fiting method
ru: Метод установки

en: Start simplex step multiplication
ru: Начать симплексное ступенчатое умножение

en: Simplex reset steps
ru: Шаги симплексного сброса

en: Disable reset at level
ru: Отключить сброс на уровне

en: Number of iterations between random reset
ru: Количество итераций между случайным сбросом

en: Set error to zero before
ru: Установите ошибку на ноль перед

en: a
ru: а

en: b
ru: б

en: c
ru: с

en: JV voltage step multiplyer
ru: Ступенчатый умножитель напряжения СП

en: Maximum current density
ru: Максимальная плотность тока

en: JV curve photon generation efficiency
ru: Кривая JV эффективность генерации фотонов

en: Average carrier density at P_{max}
ru: Средняя плотность носителей при P_{max}

en: Start voltage
ru: Пусковое напряжение

en: Stop voltage
ru: Стоп-напряжение

en: Voltage step
ru: Шаг напряжения

en: Detector input hist
ru: История входа детектора

en: Counts
ru: Считает

en: Detected light
ru: Обнаруженный свет

en: Efficiency of emission
ru: Эффективность выброса

en: Detector
ru: Детектор

en: Power
ru: Сила

en: Solving the initial electrostatic field.
ru: Решение начального электростатического поля.

en: Electrostatic solver f()=
ru: Электростатический решатель f()=

en: Converged
ru: Сошлись

en: Finding equilibrium conditions
ru: Нахождение условий равновесия

en: Finished finding equilibrium conditions
ru: Закончен поиск условий равновесия

en: Finished generating DoS....
ru: Завершено создание DoS....

en: load: config files
ru: загрузить: файлы конфигурации

en: Intrinsic Fermi - position
ru: Внутренний Ферми - положение

en: LUMO energy - position
ru: Энергия LUMO - позиция

en: HOMO energy - position
ru: Энергия HOMO - положение

en: Electron density - position
ru: Электронная плотность - положение

en: Hole density - position
ru: Плотность отверстий - положение

en: Potential - position
ru: Потенциал - позиция

en: Loading electrical dll
ru: Загрузка электрической DLL

en: dll function dll_run_simulation not found
ru: dll функция dll_run_simulation не найдена

en: Electrical objects
ru: Электрические объекты

en: Solved
ru: Решено

en: Equations
ru: Уравнения

en: I can't allocate a device with less than 1 mesh point.
ru: Я не могу выделить устройство с менее чем 1 точкой сетки.

en: You are asking me to simulate a device with more than 50000 mesh points, although I could do this I am not going to because it seems a bad idea to me.
ru: Вы просите меня смоделировать устройство с более чем 50 000 точек сетки, хотя я мог бы этого делать, но не собираюсь, потому что мне это кажется плохой идеей.

en: Voltage - Current density
ru: Напряжение - плотность тока

en: Voltage - Current
ru: Напряжение - Ток

en: Time - Current density
ru: Время - плотность тока

en: Time - Voltage
ru: Время - Напряжение

en: Fit error
ru: ошибка соответствия

en: Step
ru: Шаг

en: au
ru: ау

en: Speed
ru: Скорость

en: odes/s
ru: оды/с

en: Value
ru: Ценность

en: Freeing memory from the heat model
ru: Освобождение памяти от тепловой модели

en: Loading file
ru: Загрузка файла

en: Expected dos size is different from generated %d %d
ru: Ожидаемый размер DOS отличается от сгенерированного %d %d

en: Computer cores:
ru: Компьютерные ядра:

en: Max threads:
ru: Максимальное количество потоков:

en: You must load the optical plugin before making the time mesh
ru: Перед созданием временной сетки необходимо загрузить оптический плагин.

en: The electrical mesh does not match the device length
ru: Электросетка не соответствует длине устройства

en: Can't generate a mesh with zero points
ru: Невозможно создать сетку с нулевыми точками

en: If you want to run perovskite in fx-domain send me an e-mail.
ru: Если вы хотите запустить перовскит в fx-домене, напишите мне по электронной почте.

en: fxdomain mode not known
ru: режим fxdomain неизвестен

en: Running frequency
ru: Рабочая частота

en: Optical modulation will come in the next version.  If you want to use it drop me a mail...
ru: Оптическая модуляция появится в следующей версии. Если вы хотите использовать его, напишите мне письмо...

en: fxdomain time
ru: fxdomain время

en: Light intensity
ru: Интенсивность света

en: Ion density - position
ru: Ионная плотность - положение

en: Ion free
ru: без ионов

en: Ion convergence=
ru: Ионная конвергенция =

en: Ion diffusion
ru: Ионная диффузия

en: R spm
ru: R уд/мин

en: Vlost spm
ru: Влость спм

en: V spm
ru: В уд/мин

en: Electrical circuit
ru: электрическая цепь

en: Circuit
ru: Схема

en: Current vector plot
ru: Текущий векторный график

en: Real refractive index
ru: Реальный показатель преломления

en: |Electric field|
ru: |Электрическое поле|

en: Transmittance
ru: Коэффициент пропускания

en: Reflectance
ru: отражение

en: Solve optical slice at
ru: Решите оптический срез в

en: It was dark I did not solve any slices
ru: Было темно, я не решил ни одного фрагмента

en: Initializing optical model
ru: Инициализация оптической модели

en: dll function light_dll_init not found
ru: dll функция light_dll_init не найдена

en: dll function light_dll_solve_lam_slice not found
ru: dll функция light_dll_solve_lam_slice не найдена

en: dll function light_dll_ver not found
ru: dll функция light_dll_ver не найдена

en: Power density of the optical spectra (no filter):
ru: Плотность мощности оптических спектров (без фильтра):

en: File not found
ru: Файл не найден

en: Light: Load filter
ru: Свет: Загрузить фильтр

en: Photons absorbed
ru: Поглощенные фотоны

en: Freeing memory from the optical model
ru: Освобождение памяти от оптической модели

en: Electron generation rate
ru: Скорость генерации электронов

en: Optical heating
ru: Оптический нагрев

en: Copy
ru: Копировать

en: Copy as JSON
ru: Скопировать как JSON

en: Copy json/python path
ru: Скопируйте путь json/python

en: Copy ObjID
ru: Копировать идентификатор объекта

en: Copy as LaTex
ru: Копировать как LaTex

en: Copy as csv
ru: Скопировать как CSV

en: Paste
ru: Вставить

en: Reimport from database
ru: Реимпорт из базы данных

en: This simulation
ru: Это моделирование

en: Electrical parameter editor for shape
ru: Редактор электрических параметров для формы

en: Electrical Mesh Editor
ru: Редактор электрических сетей

en: Remesh
ru: Изменить сетку

en: Configure mesh
ru: Настроить сетку

en: New simulation
ru: Новая симуляция

en: Open
    simulation
ru: Открыть
    моделирование

en: Export
    Zip
ru: Экспорт
    Архив

en: Run
    simulation
ru: Запустить
    моделирование

en: Run simulation
ru: Запустить симуляцию

en: Tutorials
ru: Учебники

en: Manual
ru: Руководство

en: Follow on
    Twitter
ru: Подпишитесь на
    Твиттер

en: Subscribe
    on Youtube
ru: Подпишись
    не на ютуб

en: Getting started
ru: Начиная

en: 1D Simulations
ru: 1D-моделирование

en: Carrier trapping
ru: Ловушка носителя

en: 2D electrical structures (OFETs)
ru: 2D электрические конструкции (OFET)

en: Large area devices/circuit models
ru: Устройства/схемы большой площади

en: OLEDs
ru: OLED

en: Material databases
ru: Базы данных материалов

en: Scripting
ru: Сценарии

en: Frequency domain simulations
ru: Моделирование в частотной области

en: Transient simulations
ru: Моделирование переходных процессов

en: Optical simulations
ru: Оптическое моделирование

en: Excitonic simulations
ru: Экситонное моделирование

en: Fitting
ru: примерка

en: Misc
ru: Разное

en: Basics
ru: Основы

en: <big><b>Now save the simulation</b></big><br>Now select where you would like to save the simulation directory.
ru: <big><b>Теперь сохраните симуляцию</b></big><br>Теперь выберите, где вы хотите сохранить каталог симуляции.

en: password:
ru: пароль:

en: Wrong password
ru: неправильный пароль

en: It's not a good idea to save the simulation in the installation directory.  Try saving it somewhere else, such as your desktop or home directory.
ru: Не рекомендуется сохранять симуляцию в каталоге установки. Попробуйте сохранить его в другом месте, например, на рабочем столе или домашнем каталоге.

en: It's not a good idea to save the simulation in the oghma_local directory.
ru: Не рекомендуется сохранять симуляцию в каталоге oghma_local.

en: That directory already exists.  Pick another name or delete the old one.
ru: Этот каталог уже существует. Выберите другое имя или удалите старое.

en: Please select a device before clicking next
ru: Пожалуйста, выберите устройство, прежде чем нажимать «Далее».

en: Organic LED
ru: Органический светодиод

en: Crystalline silicon solar cell
ru: Солнечный элемент из кристаллического кремния

en: a-Si solar cell
ru: солнечный элемент a-Si

en: polycrystalline silicon
ru: поликристаллический кремний

en: OFET
ru: ОФЕТ

en: Perovskite solar cell
ru: Перовскитовый солнечный элемент

en: CIGS Solar cell
ru: Солнечная батарея CIGS

en: Which type of device would you like to simulate?
ru: Какой тип устройства вы хотите смоделировать?

en: Double click to open
ru: Дважды щелкните, чтобы открыть

en: Close
ru: Закрывать

en: Show hidden
ru: Показать скрытое

en: Object editor
ru: Редактор объектов

en: Object
    enabled
ru: Объект
    включен

en: Object
    disabled
ru: Объект
    отключен

en: About
ru: Информация

en: Version
ru: Версия

en:  is a general-purpose tool for simulation of light harvesting devices. It was originally written to simulate organic solar cells and OLEDs, but it has recently been extended to simulate other devices including silicon based devices. Currently the model can sumulate:
ru: это инструмент общего назначения для моделирования светособирающих устройств. Первоначально он был написан для моделирования органических солнечных элементов и органических светодиодов, но недавно был расширен для моделирования других устройств, включая устройства на основе кремния. В настоящее время модель может суммировать:

en: Organic solar cells
ru: Органические солнечные батареи

en: Organic LEDs
ru: Органические светодиоды

en: Crystalline silicon solar cells
ru: Солнечные батареи из кристаллического кремния

en: a-Si solar cells
ru: a-Si солнечные элементы

en: CIGS solar cells
ru: Солнечные батареи CIGS

en: The model solves both electron and hole drift-diffusion, and carrier continuity equations in position space to describe the movement of charge within the device. The model also solves Poisson's equation to calculate the internal electrostatic potential. Recombination and carrier trapping are described within the model using a Shockley-Read-Hall (SRH) formalism, the distribution of trap sates can be arbitrarily defined. All equations can be solved either in steady state or in time domain. A fuller description of the model can be found in the here, in the associated publications and in the manual.
ru: Модель решает уравнения дрейфа-диффузии электронов и дырок, а также уравнения непрерывности носителей в пространстве положений для описания движения заряда внутри устройства. Модель также решает уравнение Пуассона для расчета внутреннего электростатического потенциала. Рекомбинация и захват носителей описываются в рамках модели с использованием формализма Шокли-Рид-Холла (SRH), распределение мест ловушек может быть задано произвольно. Все уравнения могут быть решены либо в установившемся режиме, либо во временной области. Более полное описание модели можно найти здесь, в соответствующих публикациях и в руководстве.

en: Legal
ru: Юридический

en: Translations
ru: Переводы

en: Paths
ru: Пути

en: Materials
    database
ru: Материалы
    база данных

en: Optical
    database
ru: Оптическая
    база данных

en: User
    data
ru: Пользователь
    данные

en: Shape
    database
ru: Форма
    база данных

en: Filters
    database
ru: Фильтры
    база данных

en: Backup
    Simulaion
ru: Резервное копирование
    Моделирование

en: Solar spectrum
    generator
ru: Генератор
    солнечного спектра

en: Add Material
ru: Добавить материал

en: Add Filter
ru: Добавить фильтр

en: Add Spectra
ru: Добавить спектры

en: Add Shape
ru: Добавить форму

en: New backup
ru: Новая резервная копия

en: New backup:
ru: Новая резервная копия:

en: New backup name
ru: Новое имя резервной копии

en: Shape
ru: Форма

en: <big><b>Shape file</b></big><br>
ru: <big><b>Файл формы</b></big><br>

en: Blur menu
ru: Размытие меню

en: Normalization editor
ru: Редактор нормализации

en: Shape editor
ru: Редактор форм

en: Configure honeycomb
ru: Настроить соты

en: Configure photonic xtal
ru: Настроить фотонный xtal

en: Configure photonic lens
ru: Настроить фотонный объектив

en: Configure saw wave
ru: Настроить пилообразную волну

en: Configure gaussian
ru: Настроить гаусс

en: Configure boundary
ru: Настроить границу

en: Configure threshold
ru: Настроить порог

en: Configure
ru: Настроить

en: Show labels
ru: Показать ярлыки

en: Show data
ru: Показать данные

en: Show axis
ru: Показать ось

en: Normalize layer width
ru: Нормализация ширины слоя

en: Copy to clipboard
ru: Скопировать в буфер обмена

en: Save as SVG
ru: Сохранить как SVG

en: Redraw
ru: перерисовать

en: Active layer
ru: Активный слой

en: From electrical parameters
ru: Из электрических параметров

en: From material db
ru: Из материала БД

en: <big><b>Spectra</b></big><br>
ru: <big><b>Спектры</b></big><br>

en: Optical spectrum editor
ru: Редактор оптического спектра

en: Spectra
ru: Спектры

en: Basic
ru: Базовый

en: Frequency mesh
ru: Частотная сетка

en: Additional information about gpvdm is available at
ru: Дополнительная информация о gpvdm доступна по адресу

en: Report bugs to:
ru: Сообщайте об ошибках по адресу:

en: Deletes the content of all scan directories.
ru: Удаляет содержимое всех каталогов сканирования.

en: Loads a simulation --load /path/containing/simulation/sim.oghma
ru: Загружает симуляцию --load /path/content/simulation/sim.oghma

en: Extract the sim.oghma archive --unpack
ru: Распакуйте архив sim.oghma --unpack

en: Extract the sim.oghma archive --pack
ru: Распакуйте архив sim.oghma --pack

en: Electrical parameter editor
ru: Редактор электрических параметров

en: Device
ru: Устройство

en: Simulation
    Notes
ru: Моделирование
    Примечания

en: Hints
    Window
ru: Подсказки
    Окно

en: Interface
    Language
ru: Интерфейс
    Язык

en: Assosiated paper
ru: Связанный документ

en: Documentation
ru: Документация

en: Language
ru: Язык

en: <big><b>Record notes about the simulation here</b></big><br>Use this window to make notes about the simulation.
ru: <big><b>Записывайте здесь заметки о симуляции</b></big><br>Используйте это окно, чтобы делать заметки о симуляции.

en: Charge denisty (m^{-3})
ru: Плотность заряда (м^{-3})

en: Save
ru: Сохранять

en: New scan
ru: новое сканирование

en: Delete scan
ru: Удалить сканирование

en: Clone scan
ru: Клонировать сканирование

en: Rename scan
ru: Переименовать сканирование

en: Clean all
ru: Очистить все

en: Run all scans
ru: Запустить все сканирования

en: Help
ru: Помощь

en: Plot fits
ru: сюжет подходит

en: Run simulation no generation
ru: Запустить симуляцию без генерации

en: Run single fit
ru: Бег в одиночной посадке

en: Clean unconverged simulation
ru: Чистое неконвергентное моделирование

en: Clean simulation output
ru: Чистый вывод моделирования

en: Push unconverged to hpc
ru: Внедрение неконвергентных данных в высокопроизводительные компьютеры

en: Change dir
ru: Изменить каталог

en: Report
ru: Отчет

en: Scan
ru: Сканировать

en: Advanced
ru: Передовой

en: JV experiment window
ru: Окно эксперимента СП

en: Import data
    from file
ru: Импорт данных
    из файла

en: From
    Equation
ru: Из
    Уравнение

en: Reference information
ru: Справочная информация

en: Cost
ru: Расходы

en: Cost of material
ru: Стоимость материалов

en: File
ru: Файл

en: Align and distribute
ru: Выровнять и распределить

en: Left
ru: Оставил

en: Right
ru: Верно

en: Distribute
ru: распространять

en: z
ru: г

en: Exciton simulation editor
ru: Редактор экситонного моделирования

en: From
    File
ru: Из
    файла

en: Insert reference information
ru: Вставьте справочную информацию

en: Are you sure you want to edit the circuit directly?  The circuit will no longer automaticly be updated as you change the layer structure, and the electrical parameters editor will be disabled.  Use can use the reset function in the circuit diagram editor to resore this functionality
ru: Вы уверены, что хотите редактировать схему напрямую? Схема больше не будет автоматически обновляться при изменении структуры слоев, а редактор электрических параметров будет отключен. Используйте функцию сброса в редакторе схем, чтобы восстановить эту функцию.

en: Component
ru: Составная часть

en: Circuit diagram
ru: Принципиальная электрическая схема

en: Use epitaxy as base
ru: Используйте эпитаксию в качестве основы

en: Free hand drawing
ru: Рисование от руки

en: Enabled
ru: Включено

en: Variable
ru: Переменная

en: Min
ru: Мин.

en: Max
ru: Максимум

en: Random function
ru: случайная функция

en: JSON Variable
ru: JSONПеременная

en: FDTD Editor
ru: Редактор FDTD

en: Configure hardware
ru: Настройка оборудования

en: Hardware
    benchmark
ru: Аппаратное обеспечение
    тест

en: Electrostatic solver
ru: Электростатический решатель

en: Drift diffusion
ru: дрейфовая диффузия

en: Simple circuit solver
ru: Простой решатель схем

en: Poission solver
ru: Ядовитый решатель

en: Poission solver configuration
ru: Конфигурация решателя ядов

en: Newton solver
ru: Решатель Ньютона

en: Exciton solver
ru: Экситонный решатель

en: Newton solver configuration
ru: Конфигурация решателя Ньютона

en: Configuration
ru: Конфигурация

en: Circuit solver configuration
ru: Конфигурация решателя цепей

en: Data imported from:
ru: Данные импортированы из:

en: Layer editor
ru: редактор слоев

en: Layer name
ru: Имя слоя

en: Thicknes
ru: Толщина

en: Optical material
ru: оптический материал

en: Layer type
ru: Тип слоя

en: Solve optical
    problem
ru: Решение оптической
    проблемы

en: Solve thermal
    problem
ru: Решить тепловую
    проблему

en: ID
ru: Я БЫ

en: Enable
    Drift Diff.
ru: Включить
    Дрейф диф.

en: Enable
    Auger
ru: Включить
    Оже

en: Dynamic
    SRH traps
ru: Динамические
    ловушки SRH

en: Max trap depth
ru: Максимальная глубина ловушки

en: Min Fermi level
ru: Минимальный уровень Ферми

en: Equilibrium
    SRH traps
ru: Равновесные
    ловушки СРЗ

en: Excitons
ru: экситоны

en: That's not a number..
ru: Это не число..

en: Maximum trap depth (eV):
ru: Максимальная глубина ловушки (эВ):

en: Minimum fermi level (eV):
ru: Минимальный уровень Ферми (эВ):

en: DoS Config
ru: DoSConfig

en: Dos Config
ru: Дос Конфигурация

en: Light
    Sources
ru: Свет
    Источники

en: Lasers
    (fs)
ru: Лазеры
    (fs)

en: Ray tracing
    editor
ru: Трассировка лучей
    редактор

en: Optical
    Detectors
ru: Оптические
    детекторы

en: FDTD
    Simulation
ru: FDTD
    Моделирование

en: Optical
    mesh
ru: Оптическая
    сетка

en: Boundary
    Conditions
ru: Граница
    Условия

en: <big><b>Laser setup</b></big><br> Use this window to set up your lasers.
ru: <big><b>Настройка лазера</b></big><br> Используйте это окно для настройки лазеров.

en: <big><b>The light sources window</b></big><br>Use this window to setup optical sources for the transfer matrix, ray tracing and FDTD simulations.
ru: <big><b>Окно источников света</b></big><br>Используйте это окно для настройки оптических источников для матрицы переноса, трассировки лучей и моделирования FDTD.

en: <big><b>The ray tracing editor</b></big><br> Use this window to configure ray tracing.
ru: <big><b>Редактор трассировки лучей</b></big><br> Используйте это окно для настройки трассировки лучей.

en: <big><b>The detectors window</b></big><br>Use this window to setup optical detectors.  These can be used for the ray tracing simulations.
ru: <big><b>Окно детекторов</b></big><br>Используйте это окно для настройки оптических детекторов. Их можно использовать для моделирования трассировки лучей.

en: <big><b>FDTD</b></big><br> Use this window to setup a finite difference time domain simulation.
ru: <big><b>FDTD</b></big><br> Используйте это окно для настройки симуляции конечной разности во временной области.

en: <big><b>Mesh editor</b></big>
    Use this window to setup the mesh, the window can also be used to change the dimensionality of the simulation.
ru: <big><b>Редактор сетки</b></big>
    Используйте это окно для настройки сетки, окно также можно использовать для изменения размерности моделирования.

en: Optical Mesh Editor
ru: Редактор оптической сетки

en: Boundary conditions
ru: Граничные условия

en: <big><b>The optical simulation window</b></big><br>Use this window to perform optical simulations.  Click on the play button to run a simulation.
ru: <big><b>Окно оптического моделирования</b></big><br>Используйте это окно для выполнения оптического моделирования. Нажмите на кнопку воспроизведения, чтобы запустить симуляцию.

en: Click on the play button to run an optical simulation.  The results will be displayed in the tabs to the right.
ru: Нажмите кнопку воспроизведения, чтобы запустить оптическую симуляцию. Результаты будут отображаться на вкладках справа.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=A_3meKTBuWk">Tutorial video</b></big><br>Designing optical filters and reflective coatings.
ru: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=A_3meKTBuWk">Обучающее видео</b></big><br>Разработка оптических фильтров и отражающих покрытий.

en: Edit parasitic components
ru: Изменить паразитные компоненты

en: Parasitic components
ru: Паразитические компоненты

en: Registration window
ru: окно регистрации

en: Enter the license key below:
ru: Введите лицензионный ключ ниже:

en: Key
ru: Ключ

en: Can't open file
ru: Не могу открыть файл

en: back
ru: назад

en: home
ru: дом

en: Scanning probe microscopy editor
ru: Редактор сканирующей зондовой микроскопии

en: No files were given to load
ru: Не дали файлы для загрузки

en: 3D
    Mode
ru: 3D
    Режим

en: New
ru: Новый

en: Rename
ru: Переименовать

en: Run
ru: Бежать

en: Plot
    File
ru: График
    Файл

en: View raw
    json
ru: Просмотр необработанных данных
    json

en: <big><b>Simulation finished!</b></big><br>Click on the plot icon to plot the results
ru: <big><b>Моделирование завершено!</b></big><br>Нажмите на значок графика, чтобы отобразить результаты.

en: Ray trace editor
ru: Редактор трассировки лучей

en: Fit configure
ru: Подгонка

en: Duplicate variables
ru: Повторяющиеся переменные

en: Fit variables
ru: Подходящие переменные

en: Fit rules
ru: подходят правила

en: Configure minimizer
ru: Настроить минимизатор

en: Generaton rate editor
ru: Создать редактор ставок

en: Generation rate (m^{-3}s^{-1})
ru: Скорость генерации (м^{-3}с^{-1})

en: json id
ru: json-идентификатор

en: Reference manager
ru: менеджер ссылок

en: Layer
    editor
ru: Слой
    редактор

en: Contacts
ru: Контакты

en: Electrical
    parameters
ru: Электрические
    параметры

en: Emission
    parameters
ru: Эмиссия
    параметры

en: Substrate
    xz-size
ru: Подложка
    xz-size

en: <big><b>Contacts window</b></big>
    Use this window to change the layout of the contacts on the device
ru: <big><b>Окно контактов</b></big>
    Используйте это окно, чтобы изменить расположение контактов на устройстве.

en: <big><b>Device layers</b></big>
    Use this window to configure the structure of the device.
ru: <big><b>Уровни устройства</b></big>
    Используйте это окно для настройки структуры устройства.

en: <big><b>xz dimension editor</b></big>
    Use this window to configure the xz size of the device.
ru: <big><b>редактор размера xz</b></big>
    Используйте это окно для настройки размера xz устройства.

en: <big><b>Electrical parameters</b></big>
    Use this window to change the electrical parameters of each layer.
ru: <big><b>Электрические параметры</b></big>
    Используйте это окно для изменения электрических параметров каждого слоя.

en: <big><b>Emission parameters</b></big>
    Use this window to set if a layer emits light or not.  You can choose between theoretically calculated emission spectra and imported experimental spectra.
ru: <big><b>Параметры излучения</b></big>
    Используйте это окно, чтобы указать, излучает ли слой свет или нет. Вы можете выбирать между теоретически рассчитанными спектрами излучения и импортированными экспериментальными спектрами.

en: Frequency start
ru: Начало частоты

en: Frequency stop
ru: Остановка частоты

en: Max points
ru: Максимальное количество баллов

en: Multiply
ru: Умножить

en: Paramter to change
ru: Параметр для изменения

en: Parameter scan window
ru: Окно сканирования параметров

en: Calculate
ru: Рассчитать

en: Export spectrum
ru: Экспорт спектра

en: Spectrum
ru: Спектр

en: Edit contacts
ru: Изменить контакты

en: Top/Bottom
ru: Верх/Низ

en: Applied
    voltage
ru: приложенное
    напряжение

en: Start
ru: Начинать

en: Width
ru: Ширина

en: Contact resistance
ru: контактное сопротивление

en: Shunt resistance
ru: Сопротивление шунта

en: Charge density/
    Fermi-offset
ru: Плотность заряда/
    смещение Ферми

en: Majority
    carrier
ru: Большинство
    перевозчик

en: ve0 (m/s)
ru: ve0 (м/с)

en: vh0 (m/s)
ru: vh0 (м/с)

en: Physical
    model
ru: Физическая
    модель

en: Reporting error....
ru: Ошибка отчета....

en: Diode
ru: Диод

en: Power law
ru: сила закона

en: Wire
ru: Проволока

en: Ground
ru: Земля

en: Voltage source
ru: Источник напряжения

en: Pointer
ru: Указатель

en: Clean
ru: Чистый

en: Enter the time at which the laser pulse will fire (-1) to turn it off
ru: Введите время, в которое сработает лазерный импульс (-1), чтобы выключить его.

en: Enter the start time of the simulation
ru: Введите время начала моделирования

en: Length
ru: Длина

en: dt
ru: дт

en: Start Voltage
ru: Стартовое напряжение

en: Stop Voltage
ru: Стоп-напряжение

en: step multiplyer
ru: пошаговый мультиплеер

en: Sun start
ru: начало солнца

en: Sun stop
ru: Остановка солнца

en: Laser start
ru: Лазерный старт

en: Laser stop
ru: Лазерная остановка

en: Save
    video
ru: Сохранить
    видео

en: Storyboard
    to clipboard
ru: Раскадровка
    в буфер обмена

en: Autoscale
ru: автомасштабирование

en: Set log scale y
ru: Установить масштаб логарифма y

en: Set log scale x
ru: Установить масштаб журнала x

en: Plot
ru: Сюжет

en: Scale
ru: Шкала

en: Video
ru: видео

en: Set
    Temperature
ru: Установить
    температуру

en: Configure
    Model
ru: Настроить
    Модель

en: Joule
    Heating
ru: Джоуль
    Нагрев

en: Parasitic
    Heating
ru: Паразитический
    Отопление

en: Optical
    Heating
ru: Оптический
    Нагрев

en: Recombination
    heating
ru: Рекомбинация
    нагрев

en: Thermal
    parameters
ru: Тепловые
    параметры

en: <big><b>Thermal parameters</b></big>
    Use this window to change the thermal parameters of each layer.
ru: <big><b>Тепловые параметры</b></big>
    Используйте это окно для изменения тепловых параметров каждого слоя.

en: Enter the new temperature
ru: Введите новую температуру

en: Thermal boundary conditions
ru: Тепловые граничные условия

en: Configure thermal model
ru: Настроить тепловую модель

en: Experimental data
ru: Экспериментальные данные

en: Delta=Experiment - Simulation
ru: Дельта=Эксперимент - Моделирование

en: Configure fit
ru: Настроить посадку

en: Fit patch
ru: патч

en: Local duplicate
ru: Локальный дубликат

en: Function
ru: Функция

en: JSON x
ru: JSON х

en: JSON y
ru: JSONy

en: Frequency domain experiment window
ru: Окно эксперимента в частотной области

en: Thermal parameter editor
ru: Редактор тепловых параметров

en: Device structure
ru: Структура устройства

en: <big><b>The device structure tab</b></big><br> Use this tab to change the structure of the device, the layer thicknesses and to perform optical simulations.  You can also browse the materials data base and  edit the electrical mesh.
ru: <big><b>Вкладка структуры устройства</b></big><br> Используйте эту вкладку, чтобы изменить структуру устройства, толщину слоев и выполнить оптическое моделирование. Вы также можете просматривать базу данных материалов и редактировать электрическую сетку.

en: Terminal
ru: Терминал

en: <big><b>The terminal window</b></big><br>The output of the model will be displayed in this window, watch this screen for debugging and convergence information.
ru: <big><b>Окно терминала</b></big><br>Вывод модели будет отображаться в этом окне, следите за этим экраном для получения информации об отладке и сходимости.

en: Tutorials/Documentation
ru: Учебники/Документация

en: <big><b>Tutorials/Documentation</b></big><br>Here you can find tutorials, videos, worksheets, and talks about this software and simulating opto-electronic devices in general.  Although this software is easy to use with it's friendly interface, under the hood it is a highly complex model and powerful model, it is worth taking time to read the documentation to understand it.  This will enable you to get the most out of this software and your experimental data.
ru: <big><b>Учебники/Документация</b></big><br>Здесь вы можете найти учебные пособия, видеоролики, рабочие листы и доклады об этом программном обеспечении и моделировании оптоэлектронных устройств в целом. Хотя это программное обеспечение простое в использовании благодаря дружественному интерфейсу, под капотом это очень сложная модель и мощная модель, стоит потратить время на чтение документации, чтобы понять ее. Это позволит вам получить максимальную отдачу от этого программного обеспечения и ваших экспериментальных данных.

en: <big><b><a href="https://youtu.be/XBbaogu61Ps">Watch the video</a></b></big><br> Performing my first solar cell simulation
ru: <big><b><a href="https://youtu.be/XBbaogu61Ps">Посмотреть видео</a></b></big><br> Мое первое моделирование солнечной батареи

en: Output
ru: Выход

en: <big><b>Output</b></big><br>This shows the root simulation directory, this is where the results are stored.  Double click on a file to see what is in it..
ru: <big><b>Выходные данные</b></big><br>Показывает корневой каталог моделирования, где хранятся результаты. Дважды щелкните файл, чтобы увидеть, что в нем находится.

en: Information
ru: Информация

en: <big><b>The fitting variables window</b></big><br> Use this window to select the variables use to perform the fit.
ru: <big><b>Окно переменных подгонки</b></big><br> Используйте это окно для выбора переменных, используемых для подгонки.

en: Fit the simulation to experimental data
ru: Соответствуйте моделированию экспериментальным данным

en: Data sets
ru: Наборы данных

en: Rename the fit:
ru: Переименуйте посадку:

en: Clone the experiment:
ru: Клонируйте эксперимент:

en: Export the simulation
ru: Экспорт моделирования

en: Zip file
ru: zip-файл

en: Are you sure you want to delete the experiment:
ru: Вы уверены, что хотите удалить эксперимент:

en: Make a new fit:
ru: Сделайте новую подгонку:

en: Error function
ru: Функция ошибки

en: Log scale
ru: Логарифмическая шкала

en: Open file
ru: Открыть файл

en: Back
ru: назад

en: Home
ru: Дом

en: is not a number..
ru: это не число..

en: Complex Density of states editor
ru: Редактор комплексной плотности состояний

en: LUMO numerical
ru: LUMO числовой

en: HOMO numerical
ru: ВЗМО числовой

en: Please cite these papers:
ru: Процитируйте эти документы:

en: If you publish a paper, book or thesis using results from
ru: Если вы публикуете статью, книгу или диссертацию, используя результаты

en: This is not a valide e-mail address
ru: Это недействительный адрес электронной почты

en: The e-mail addresses do not match.
ru: Адреса электронной почты не совпадают.

en: Please enter your first name.
ru: Пожалуйста, введите ваше имя.

en: Please enter your surname.
ru: Пожалуйста, введите вашу фамилию.

en: Please enter your Company/University.
ru: Пожалуйста, введите название вашей компании/университета.

en: First name
ru: Имя

en: Surname
ru: фамилия

en: Company/University
ru: Компания/Университет

en: E-mail
ru: Эл. почта

en: Confirm e-mail
ru: Подтвердить Email

en: I am most interested in simulating:
ru: Меня больше всего интересует моделирование:

en:  will not work until you register.  Would do you want to exit?
ru: не будет работать, пока вы не зарегистрируетесь. Вы хотите выйти?

en: Suns v.s. Voc
ru: Солнца против Вок

en: Light source (y0)
ru: источник света (y0)

en: Light source
ru: источник света

en: Filters (y0)
ru: Фильтры (y0)

en: Filters
ru: Фильтры

en: Run optical simulation
ru: Запустите оптическое моделирование

en: Transfer
    matrix
ru: Трансфер
    матрица

en: Exponential
    profile
ru: Экспоненциальный
    профиль

en: Flat
    profile
ru: Плоский
    профиль

en: From
    file
ru: Из
    файла

en: From QE
    spectra
ru: Из QE
    спектра

en: Constant
    value
ru: Постоянное
    значение

en: Edit constant
ru: Изменить константу

en: Optics
ru: Оптика

en: Machine
    Learning
ru: Машинное
    обучение

en: Edit
    Probes
ru: Изменить
    Пробы

en: Parameter
    scan
ru: Параметр
    scan

en: Fit to
    experiment
ru: Подходит для
    эксперимента

en: Json
    explorer
ru: Json
    исследователь

en: Matlab paths
ru: Пути Matlab

en: Python paths
ru: Пути Python

en: Script
    Editor
ru: Скрипт
    Редактор

en: <big><b>Probes window</b></big><br>Use this window to setup simulation probes, which can be used to extract values from the simulations at any given mesh point.
ru: <big><b>Окно зондов</b></big><br>Используйте это окно для настройки зондов симуляции, которые можно использовать для извлечения значений из симуляций в любой заданной точке сетки.

en: <big><b>Machine learning window</b></big><br>Use this window to generate machine learning vectors
ru: <big><b>Окно машинного обучения</b></big><br>Используйте это окно для создания векторов машинного обучения

en: <big><b>The scan window</b></big><br> Very often it is useful to be able to systematically very a device parameter such as mobility or density of trap states.  This window allows you to do just that.
ru: <big><b>Окно сканирования</b></big><br> Очень часто полезно иметь возможность систематически проверять параметры устройства, такие как мобильность или плотность состояний ловушек. Это окно позволяет сделать именно это.

en: Use the plus icon to add a new scan line to the list.
ru: Используйте значок плюса, чтобы добавить новую строку сканирования в список.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=cpkPht-CKeE">Tutorial video</b></big><br>Using the parameter scan window.
ru: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=cpkPht-CKeE">Обучающее видео</b></big><br>Использование окна сканирования параметров .

en: <big><b>Fit window</b></big><br> Use this window to fit the simulation to experimental data.  The model uses advanced and optimized fitting algorithms to fit the model to your experimental data, so that material parameters such as mobilities and recombination rates can be extracted.
ru: <big><b>Окно «Подгонка»</b></big><br> Используйте это окно, чтобы подогнать модель к экспериментальным данным. Модель использует расширенные и оптимизированные алгоритмы подгонки, чтобы подогнать модель под ваши экспериментальные данные, чтобы можно было извлечь такие параметры материала, как подвижность и скорость рекомбинации.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=61umU4hrsqk">Watch the tutorial video 1</b></big><br>Fitting the model to experimental data to extract mobility and recombination rate parameters.
ru: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=61umU4hrsqk">Посмотрите обучающее видео 1</b></big><br>Подгонка модели к экспериментальные данные для извлечения параметров подвижности и скорости рекомбинации.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=_cm3Cb3kzUg">Watch the tutorial video 2</b></big><br>Fitting the model to large area solar cells
ru: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=_cm3Cb3kzUg">Посмотрите обучающее видео 2</b></big><br>Подгонка модели к солнечные батареи большой площади

en: Run scan
ru: запустить сканирование

en: Clean simulation
ru: Чистое моделирование

en: Build scan
ru: Билдскан

en: Rerun
ru: Повтор

en: Archive simulations
ru: Архив симуляций

en: Notes
ru: Заметки

en: Simulations
ru: Симуляторы

en: New experiment
ru: новый эксперимент

en: Delete experiment
ru: Удалить эксперимент

en: Refresh
ru: Обновить

en: Clone experiment
ru: Клонировать эксперимент

en: Rename experiment
ru: Переименовать эксперимент

en: Export
    Data
ru: Экспорт
    Данные

en: Import data
ru: Импорт данных

en: One itteration
ru: Одна нота

en: Run fit
ru: беги в хорошей форме

en: Fit this
    data set
ru: Соответствовать этому
    набору данных

en: Dont' fit this
    data set
ru: Не подходит к этому
    набору данных

en: Mesh point
ru: Точка сетки

en: Average
ru: Средний

en: Max pos y-slice
ru: Max pos y-срез

en: x:
ru: Икс:

en: y:
ru: у:

en: z:
ru: я:

en: Move up
ru: Вверх

en: Move down
ru: Вниз

en: Add layer
ru: Добавить слой

en: Add object inside
ru: Добавить объект внутри

en: Delete
ru: Удалить

en: Copy json
ru: Скопировать json

en: Edit
ru: Редактировать

en: Script
ru: сценарий

en: Copy path (Python)
ru: Копировать путь (Python)

en: View
ru: Вид

en: Show solid
ru: Шоусолид

en: Show mesh
ru: Показать сетку

en: Show cut through x
ru: Показать разрез через x

en: Show cut through y
ru: Показать разрез через y

en: Hidden
ru: Скрытый

en: New shape name
ru: Имя новой фигуры

en: Rename the layer:
ru: Переименуйте слой:

en: Thermal model
    enabled
ru: Тепловая модель
    включена

en: <big><b>Thermal solver switched on</b></big><br>The heat equation will be solved across the device
ru: <big><b>Тепловой решатель включен</b></big><br>Уравнение теплопроводности будет решаться на всем устройстве

en: Iso-thermal
    model
ru: Изотермическая
    модель

en: <big><b>Isothermal mode</b></big><br>A single temperature will be assumed across the entire device.
ru: <big><b>Изотермический режим</b></big><br>Для всего устройства предполагается единая температура.

en: Isothermal
ru: Изотермический

en: Add
ru: Добавлять

en: Delete row
ru: Удалить строку

en: Laser start time
ru: Время запуска лазера

en: Simulation start time
ru: Время начала моделирования

en: Loop
ru: Петля

en: Time domain experiment window
ru: Окно эксперимента во временной области

en: Simulation
ru: Моделирование

en: Config
ru: Конфигурация

en: Loop configuration
ru: Конфигурация цикла

en: Random variables
ru: Случайные переменные

en: Patch
ru: Пластырь

en: Duplicate
ru: Дублировать

en: Finish time:
ru: Время окончания:

en: Running
ru: Бег

en: Cluster status
ru: Статус кластера

en: Constant bias
ru: постоянное смещение

en: Change
ru: Изменять

en: From file
ru: Из файла

en: Export
    image
ru: Экспорт
    image

en: <big><b>Filters</b></big><br>Use this tab to edit the optical filters
ru: <big><b>Фильтры</b></big><br>Используйте эту вкладку для редактирования оптических фильтров.

en: Filter editor
ru: фильтрредактор

en: Filter
ru: Фильтр

en: Not a valid license number
ru: Недействительный номер лицензии

en: This key has been used too many times.
ru: Этот ключ использовался слишком много раз.

en: This key has expired.
ru: Срок действия этого ключа истек.

en: This version of OghmaNano is too old to validate it's key, please download the latest version.
ru: Эта версия OghmaNano слишком старая для проверки ключа, пожалуйста, загрузите последнюю версию.

en: Can't access the internet
ru: Не могу получить доступ к Интернету

en: Key manager
ru: Ключевой менеджер

en: Data
ru: Данные

en: JV
    editor
ru: СП
    редактор

en: Time domain
    editor.
ru: Временной домен 
     neditor.

en: FX domain
    editor
ru: FX домен
    редактор

en: CV
    editor
ru: CV
    редактор

en: Suns Voc
    editor
ru: Suns Voc
    редактор

en: Suns Jsc
    editor
ru: Suns Jsc
    редактор

en: CE
    editor
ru: CE
    редактор

en: PL
    editor
ru: PL
    редактор

en: Exciton
    editor
ru: Экситон
    редактор

en: Quantum
    efficiency
ru: Квант
    эффективность

en: Calculate
    the cost
ru: Рассчитать
    стоимость

en: scanning probe
    microscopy
ru: сканирующий зонд
    микроскопия

en: Simulation
    Hardware
ru: Моделирование
    Оборудование

en: <big><b>The time mesh editor</b></big><br> To do time domain simulations one must define how voltage the light vary as a function of time.  This can be done in this window.  Also use this window to define the simulation length and time step.
ru: <big><b>Редактор временной сетки</b></big><br> Чтобы выполнить моделирование во временной области, необходимо определить, как напряжение света изменяется в зависимости от времени. Это можно сделать в этом окне. Также используйте это окно, чтобы определить длину симуляции и временной шаг.

en: <big><b>Frequency domain mesh editor</b></big><br> Some times it is useful to do frequency domain simulations such as when simulating impedance spectroscopy.  This window will allow you to choose which frequencies will be simulated.
ru: <big><b>Редактор сетки в частотной области</b></big><br> Иногда полезно выполнять моделирование в частотной области, например, при моделировании импедансной спектроскопии. Это окно позволит вам выбрать, какие частоты будут имитироваться.

en: <big><b>Capacitance voltage editor</b></big><br> Use this editor to change serup capacitance voltage simulation.
ru: <big><b>Редактор напряжения емкости</b></big><br> Используйте этот редактор для изменения имитации напряжения емкости.

en: <big><b>Scanning probe microscopy</b></big><br> Use this window to configure the scanning probe microscopy simulations.
ru: <big><b>Сканирующая зондовая микроскопия</b></big><br> Используйте это окно для настройки моделирования сканирующей зондовой микроскопии.

en: <big><b>PL simulation editor</b></big><br> Use this window to configure the steady state photoluminescence simulation.
ru: <big><b>Редактор моделирования PL</b></big><br> Используйте это окно для настройки моделирования стационарной фотолюминесценции.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=pgaJg6dErP4">Watch the youtube video</a></b></big><br>Watch the video on perfomring PL simulation.
ru: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=pgaJg6dErP4">Посмотреть видео на YouTube</a></b></big><br>Посмотреть видео по выполнению моделирования PL.

en: <big><b>Suns voc simulation editor</b></big><br> Use this window to select the step size and parameters of the JV simulations.
ru: <big><b>Редактор моделирования Suns voc</b></big><br> Используйте это окно для выбора размера шага и параметров моделирования JV.

en: <big><b>Suns Jsc simulation editor</b></big><br> Use this window to select the step size and parameters of the JV simulations.
ru: <big><b>Редактор моделирования Suns Jsc</b></big><br> Используйте это окно для выбора размера шага и параметров моделирования JV.

en: <big><b>Charge Extraction editor</b></big><br> This performs charge extraction experiments in time domain, accounting for recombination losses.  If you don’t mind about accounting for recombination losses on extraction just run a JV curve or a Suns-Voc simulation and use the charge.dat file.
ru: <big><b>Редактор извлечения заряда</b></big><br> Выполняет эксперименты по извлечению заряда во временной области с учетом рекомбинационных потерь. Если вы не возражаете против учета рекомбинационных потерь при извлечении, просто запустите кривую JV или моделирование Suns-Voc и используйте файл charge.dat.

en: <big><b>Costs window</b></big>
    Use this window to calculate the cost of the solar cell and the energy payback time.
ru: <big><b>Окно «Стоимость»</b></big>
    Используйте это окно для расчета стоимости солнечной батареи и времени окупаемости энергии.

en: <big><b>JV simulation editor</b></big><br> Use this window to configure JV simulations.
ru: <big><b>Редактор моделирования JV</b></big><br> Используйте это окно для настройки моделирования JV.

en: <big><b>Exciton simulation editor</b></big><br> Use this window to configure exciton simulations.
ru: <big><b>Редактор моделирования экситонов</b></big><br> Используйте это окно для настройки моделирования экситонов.

en: <big><b>Simulation hardware</b></big><br>Use this window to change how the model uses the computer's hardware.
ru: <big><b>Оборудование моделирования</b></big><br>Используйте это окно, чтобы изменить то, как модель использует оборудование компьютера.

en: Output files
ru: Выходные файлы

en: Probes
ru: зонды

en: File name
ru: Имя файла

en: Probe
ru: Зонд

en: <big><b>The scan window</b></big><br> Now using the drop down menu in the prameter to change 'column', select the device parameter you wish to vary, an example may be dos0/Electron Mobility. Now enter the values you would like it to scan oveer in the  'Values', an example could be '1e-3 1e-4 1e-5 1e-6'.  And hit the double arrorw to run the simulation.
ru: <big><b>Окно сканирования</b></big><br> Теперь, используя раскрывающееся меню в параметре для изменения «столбца», выберите параметр устройства, который вы хотите изменить, например, dos0/ Электронная подвижность. Теперь введите значения, которые вы хотите просмотреть, в «Значения», например, «1e-3 1e-4 1e-5 1e-6». И нажмите двойную ошибку, чтобы запустить симуляцию.

en: Solar Spectrum Generator
ru: Генератор солнечного спектра

en: Show energies
ru: Показать энергию

en: Plot token values
ru: Значения маркеров графика

en: Suns Jsc simulation editor
ru: Редактор моделирования Suns Jsc

en: Disabled
ru: Неполноценный

en: time mesh
ru: сетка времени

en: Explore the simulation data structure
ru: Исследуйте структуру данных моделирования

en: Interface editor
ru: редактор интерфейса

en: Sim name
ru: Имя сима

en: Vectors
ru: Векторы

en: Cluster get data
ru: Кластер получает данные

en: Copy src to cluster
ru: Скопируйте src в кластер

en: Make on cluster
ru: Сделать на кластере

en: Clean cluster
ru: Чистый кластер

en: Kill all cluster code
ru: Убить весь код кластера

en: Sync
ru: Синхронизировать

en: Cluster
ru: Кластер

en: 3D object viewer
ru: Средство просмотра 3D-объектов

en: Machine learning
ru: Машинное обучение

en: Build
    vectors
ru: Построить
    векторы

en: Run
    Generator
ru: Запустить
    Генератор

en: Clean files
ru: Чистые файлы

en: Clone
ru: Клон

en: Building simulations:
ru: Симуляции зданий:

en: The directory does not exist:
ru: Каталог не существует:

en: Loading
ru: Загрузка

en: Rename:
ru: Переименовать:

en: Clone:
ru: Клон:

en: Are you sure you want to delete :
ru: Вы уверены, что хотите удалить :

en: Make a new:
ru: Сделать новый:

en: Delete file
ru: Удалить файл

en: Clone object
ru: Клонировать объект

en: New shape name:
ru: Имя новой формы:

en: I cant write to:
ru: Я могу написать:

en: This means either the disk is full or your system administrator has not given you write permissions to that location.
ru: Это означает, что либо диск заполнен, либо ваш системный администратор не дал вам разрешения на запись в это место.

en: name
ru: имя

en: path
ru: дорожка

en: ip
ru: IP

en: start
ru: Начало

en: stop
ru: остановка

en: CPUs
ru: процессоры

en: status
ru: статус

en: Adding:
ru: Добавление:

en: No sim dir name
ru: Нет имени сим-директора

en: I can't load flat_list.inp.  This usually means there is a problem with how you have set up your scan.
ru: Я не могу загрузить flat_list.inp. Обычно это означает, что возникла проблема с настройкой сканирования.

en: Problem generating tree.
ru: Дерево генерации задач.

en: Lambda stop
ru: лямбда-стоп

en: File containing generation rate
ru: Файл, содержащий скорость генерации

en: Photon efficiency
ru: Фотонная эффективность

en: QE spectra file
ru: Файл спектров QE

en: Light spectrum
ru: Световой спектр

en: Light multiplyer
ru: Легкий мультиплеер

en: Photo current density
ru: Плотность фототока

en: Photo current
ru: Фото текущее

en: Invert
ru: инвертировать

en: Optical filter material
ru: Материал оптического фильтра

en: dB
ru: дБ

en: Degrees
ru: Степени

en: n
ru: н

en: Illuminate from
ru: Осветить от

en: Top (y0)
ru: верх (y0)

en: Bottom (y1)
ru: Внизу (y1)

en: Left (x0)
ru: Слева (x0)

en: Right (x1)
ru: Вправо (x1)

en: Front (z0)
ru: передний (z0)

en: Back (z1)
ru: назад (з1)

en: Log fit
ru: Лог подходит

en: Opperation
ru: Операция

en: Enable vector
ru: Включить вектор

en: Edit patch
ru: Изменить патч

en: Edit vectors
ru: Редактировать векторы

en: Number of archives
ru: Количество архивов

en: Simulations per archive
ru: Симуляций в архиве

en: Random distribution
ru: Случайное распределение

en: Log
ru: Журнал

en: Linear
ru: Линейный

en: Archive path
ru: Путь к архиву

en: Vector file name
ru: Имя векторного файла

en: multiplier
ru: множитель

en: Multiplier
ru: Множитель

en: Laser wavelength
ru: Длина волны лазера

en: Length of pulse
ru: Длина импульса

en: Spot size x
ru: Размер пятна х

en: Spot size y
ru: Размер пятна у

en: Energy in pulse
ru: Энергия в импульсе

en: Efficiency of photons
ru: Эффективность фотонов

en: Solve optical problem
ru: Решить оптическую проблему

en: No
ru: Нет

en: Yes
ru: Да

en: contact
ru: контакт

en: active layer
ru: активный слой

en: other
ru: Другой

en: Free carrier statistics
ru: Бесплатная статистика оператора

en: Maxwell Boltzmann - analytic
ru: Максвелл Больцман - Аналитика

en: Maxwell Boltzmann - numerical+analytic
ru: Максвелл Больцман - числовой + аналитический

en: Maxwell Boltzmann - full numerical
ru: Максвелл Больцман - полное числовое

en: Ferm-Dirac - numerical
ru: Ферм-Дирак - числовой

en: <b>Free carriers</b>
ru: <b>Бесплатные перевозчики</b>

en: Effective density of free electron states (@300K)
ru: Эффективная плотность состояний свободных электронов (@300K)

en: Effective density of free hole states (@300K)
ru: Эффективная плотность состояний свободных дырок (@300K)

en: Enable T dependent free carrier mob
ru: Включить Т-зависимого бесплатного перевозчика

en: <b>Equilibrium SRH traps</b>
ru: <b>Равновесные ловушки SRH</b>

en: n_{1}
ru: н_{1}

en: p_{1}
ru: р_{1}

en: <b>Non-equilibrium SRH traps</b>
ru: <b>Неравновесные ловушки СРЗ</b>

en: Number of traps
ru: Количество ловушек

en: DoS distribution
ru: DoS-распространение

en: Complex
ru: Сложный

en: Exponential
ru: экспоненциальный

en: Electron trap density
ru: Плотность электронных ловушек

en: Hole trap density
ru: Плотность дырочной ловушки

en: Electron tail slope
ru: Наклон электронного хвоста

en: Hole tail slope
ru: Наклон хвостовой части отверстия

en: Free electron to Trapped electron
ru: Свободный электрон в захваченный электрон

en: Trapped electron to Free hole
ru: Захваченный электрон в свободную дырку

en: Trapped hole to Free electron
ru: Захваченная дырка к свободному электрону

en: Free hole to Trapped hole
ru: Свободная дыра в ловушке

en: <b>Excitons</b>
ru: <b>Экситоны</b>

en: Scattering length
ru: Длина рассеяния

en: Life time
ru: продолжительность жизни

en: Max itterations
ru: Максимальное количество итераций

en: Convergence error
ru: Ошибка сходимости

en: Boundary condition for y_{min}
ru: Граничное условие для y_{min}

en: Dirichlet
ru: Дирихле

en: ABC
ru: азбука

en: Periodic
ru: периодический

en: Boundary condition for y_{max}
ru: Граничное условие для y_{max}

en: Boundary condition for x_{min}
ru: Граничное условие для x_{min}

en: Boundary condition for x_{max}
ru: Граничное условие для x_{max}

en: Boundary condition for z_{min}
ru: Граничное условие для z_{min}

en: Boundary condition for z_{max}
ru: Граничное условие для z_{max}

en: Neumann (==0)
ru: Нейманн (==0)

en: Heatsink
ru: радиатор

en: Exciton density at y_{min}
ru: Плотность экситонов при y_{min}

en: Conductivity of heat sink y_{min}
ru: Проводимость радиатора y_{min}

en: Exciton density at y_{max}
ru: Плотность экситонов при y_{max}

en: Conductivity of heat sink y_{max}
ru: Проводимость радиатора y_{max}

en: Heat sink length y_{max}
ru: Длина радиатора y_{max}

en: Exciton density at x_{min}
ru: Плотность экситонов при x_{min}

en: Conductivity of heat sink x_{min}
ru: Проводимость радиатора x_{min}

en: Exciton density at x_{max}
ru: Плотность экситонов при x_{max}

en: Conductivity of heat sink x_{max}
ru: Проводимость радиатора x_{max}

en: Heat sink length x_{max}
ru: Длина радиатора x_{max}

en: Conductivity of heat sink z_{min}
ru: Проводимость радиатора z_{min}

en: Exciton density at z_{max}
ru: Плотность экситонов при z_{max}

en: Conductivity of heat sink z_{max}
ru: Проводимость радиатора z_{max}

en: Heat sink length z_{max}
ru: Длина радиатора z_{max}

en: <b>Auger recombination</b>
ru: <b>Оже-рекомбинация</b>

en: Auger C_{n}
ru: Оже C_{n}

en: Auger C_{p}
ru: Оже C_{p}

en: Start temperature
ru: Начальная температура

en: Stop temperature
ru: Остановить температуру

en: Temperature steps
ru: Ступени температуры

en: Perovskite ion density
ru: Плотность ионов перовскита

en: Doping density (x=0)
ru: Плотность легирования (x=0)

en: Doping density (x=max)
ru: Плотность легирования (x = макс.)

en: n_{free} to p_{free} Recombination rate constant
ru: n_{free} to p_{free} Константа скорости рекомбинации

en: <b>Electrostatics</b>
ru: <b>Электростатика</b>

en: Eg
ru: Например

en: Xi
ru: Си

en: <b>Excited states</b>
ru: <b>Возбужденные состояния</b>

en: Forster transfer rate
ru: Скорость передачи Форстера

en: Host singlet-exciton decay rate
ru: Скорость распада синглетного экситона хозяина

en: Host inter-system crossing rate
ru: Скорость межсистемного пересечения хоста

en: Host singlet-singlet annihilation (SSA) rate
ru: Скорость синглетно-одиночной аннигиляции хозяина (SSA)

en: Host singlet-polaron annihilation (SPA) rate
ru: Скорость синглетно-поляронной аннигиляции хозяина (SPA)

en: Host singlet-triplet annihilation (STA) rate
ru: Скорость синглетно-триплетной аннигиляции хозяина (STA)

en: Dexter transfer rate
ru: Скорость передачи Декстера

en: Host triplet decay rate
ru: Скорость распада триплета хозяина

en: Host triplet-polaron annihilation (TPA) rate
ru: Скорость аннигиляции триплетного полярона хозяина (TPA)

en: Host triplet-triplet annihilation (TTA) rate
ru: Скорость триплет-триплетной аннигиляции хозяина (TTA)

en: Dopant singlet-exciton decay rate
ru: Скорость распада одного экситона легирующей примеси

en: Dopant inter-system crossing rate
ru: Скорость межсистемного пересечения легирующей примеси

en: Dopant singlet-polaron annihilation (SPA) rate
ru: Скорость синглетно-поляронной аннигиляции легирующей примеси (SPA)

en: Dopant singlet-triplet annihilation (STA) rate
ru: Скорость синглет-триплетной аннигиляции (STA) допанта

en: Dopant singlet-singlet annihilation (SSA) rate
ru: Скорость синглетно-одиночной аннигиляции легирующей примеси (SSA)

en: Dopant triplet decay rate
ru: Скорость распада триплета легирующей примеси

en: Dopant triplet-triplet annihilation (TTA) rate
ru: Скорость триплет-триплетной аннигиляции (ТТА) легирующей примеси

en: Dopant triplet-polaron annihilation (TPA) rate
ru: Скорость триплетно-поляронной аннигиляции легирующей примеси (TPA)

en: Confinement factor
ru: Фактор удержания

en: Dopant concentration
ru: Концентрация легирующей примеси

en: Spectral overlap
ru: Спектральное перекрытие

en: Spontaneous emission factor
ru: Коэффициент спонтанных выбросов

en: Cavity photon decay rate
ru: Скорость распада фотонов резонатора

en: Density of guest molecules
ru: Плотность гостевых молекул

en: \u03BE Stimulated emission gain coefficient
ru: \u03BE Коэффициент усиления вынужденного излучения

en: Blended material
ru: Смешанный материал

en: Eg_{0}
ru: например_{0}

en: Xi_{0}
ru: Си_{0}

en: Eg_{1}
ru: например_{1}

en: Xi_{1}
ru: Си_{1}

en: Thermal conductivity
ru: Теплопроводность

en: Electron relaxation time
ru: Время релаксации электронов

en: Hole relaxation time
ru: Время релаксации отверстия

en: Density
ru: Плотность

en: Cost per Kg
ru: Стоимость за кг

en: Energy per Kg
ru: Энергия на кг

en: Link
ru: Ссылка на сайт

en: Shunt resistivity
ru: Сопротивление шунта

en: Series resistivity
ru: серияудельное сопротивление

en: Series resistivity z
ru: серияудельное сопротивлениеz

en: Series resistivity x
ru: Серияудельное сопротивление x

en: Series resistivity y
ru: серияудельное сопротивление

en: Layer ideality factor
ru: Фактор идеальности слоя

en: Reverse bias current
ru: Ток обратного смещения

en: Enable optical charge
    carrier generation
ru: Включить генерацию
    носителей оптического заряда

en: Scan section
ru: Скан-секция

en: Whole device
ru: Все устройство

en: Box section
ru: Коробчатая секция

en: x-Scan
ru: рентген

en: x-start
ru: х-старт

en: z-start
ru: z-старт

en: x-stop
ru: х-стоп

en: z-stop
ru: z-стоп

en: Shape type
ru: Тип фигуры

en: Rotate around y-axis
ru: Повернуть вокруг оси Y

en: y-axis
ru: ось Y

en: x-axis
ru: ось x

en: Rotate around x-axis
ru: Повернуть вокруг оси X

en: dx of the object
ru: dx объекта

en: dy of the object
ru: ды объекта

en: dz of the object
ru: дз объекта

en: dx padding
ru: дх заполнение

en: padding
ru: набивка

en: dy padding
ru: набивка

en: dz padding
ru: набивка дз

en: Number of objects x
ru: Количество объектов х

en: Number of objects
ru: Количество объектов

en: Number of objects y
ru: Количество объектов

en: Number of objects z
ru: Количество объектов z

en: <b>Object</b>
ru: <b>Объект</b>

en: <b>Attributes</b>
ru: <b>Атрибуты</b>

en: x offset
ru: xсмещение

en: Offset
ru: Компенсировать

en: y offset
ru: Y смещение

en: z offset
ru: zoffset

en: Web page link
ru: Ссылка на веб-страницу

en: Text label
ru: Текстовая метка

en: Circuit model
    parameters
ru: Модель схемы
    параметры

en: Color
ru: Цвет

en: Interface model
ru: модель интерфейса

en: None
ru: Никто

en: Free-to-Free
ru: Бесплатно

en: Free-to-trap (SRH)
ru: Свободная ловушка (SRH)

en: Recombination constant
ru: Константа рекомбинации

en: Interface doping LHS
ru: Легирование интерфейса LHS

en: Doping LHS
ru: Допинг LHS

en: Electron tunneling
ru: Электронное туннелирование

en: Electron tunneling (T)
ru: Электронное туннелирование (T)

en: Hole tunneling
ru: Проходка отверстий

en: Hole tunneling (T)
ru: Проходка скважин (T)

en: Interface doping RHS
ru: Легирование интерфейса RHS

en: Doping RHS
ru: Допинг RHS

en: startime
ru: звездное время

en: Np
ru: Нп

en: den
ru: логово

en: externalv
ru: внешнийv

en: stark
ru: суровый

en: lasereff
ru: лазерефф

en: Website
ru: Веб-сайт

en: Author
ru: Автор

en: Journal
ru: Журнал

en: Title
ru: Заголовок

en: Volume
ru: Объем

en: Pages
ru: Страницы

en: Year
ru: Год

en: Book title
ru: Название книги

en: Publisher
ru: Издатель

en: Scraped text
ru: Вырезанный текст

en: Efficiency of light
ru: Эффективность света

en: subtract DC
ru: вычесть постоянный ток

en: External load resistor
ru: Внешний нагрузочный резистор

en: Material type
ru: Тип материала

en: Organic
ru: Органический

en: Oxide
ru: окись

en: Inorganic
ru: неорганический

en: Metal
ru: Металл

en: Other
ru: Другой

en: Transparency
ru: Прозрачность

en: Privicy options
ru: Параметры конфиденциальности

en: Public - everyone
ru: Публичные - все

en: Public - within org
ru: Общедоступный - внутри организации

en: Private - never publish
ru: Личное - никогда не публиковать

en: Change log
ru: Список изменений

en: Use external
    voltage as stop
ru: Использовать внешнее
    напряжение в качестве останова

en: <b>Output</b>
ru: <b>Вывод</b>

en: Dump trap distribution
ru: Распределение свалки-ловушки

en: False
ru: ЛОЖЬ

en: Energy space map
ru: Энергетическая космическая карта

en: Single mesh point
ru: Одна точка сетки

en: Power conversion efficiency (PCE)
ru: Эффективность преобразования мощности (PCE)

en: Fill factor
ru: коэффициент заполнения

en: Max power
ru: максимальная мощность

en: Voltage at max power
ru: Напряжение при максимальной мощности

en: Current density at max power
ru: Плотность тока при максимальной мощности

en: Current density at Voc
ru: Плотность тока при Voc

en: Theta_{SRH} - free P_{max}
ru: Theta_{SRH} - бесплатно P_{max}

en: Theta_{SRH} - free-trap P_{max}
ru: Theta_{SRH} - свободная ловушка P_{max}

en: Recombination time constant
ru: Постоянная времени рекомбинации

en: Device capacitance
ru: Емкость устройства

en: Photos absorbed in active layer
ru: Фотографии, поглощенные активным слоем

en: Peak height Rp
ru: Высота пика Rp

en: RMS height Rq
ru: Среднеквадратичная высота Rq

en: Average height Ra
ru: Средняя высота Ра

en: dV step
ru: шаг dV

en: Left hole density
ru: Плотность левого отверстия

en: Left electron density
ru: Левая электронная плотность

en: Right hole density
ru: Плотность правого отверстия

en: Right electron density
ru: Правильная электронная плотность

en: Built in potential
ru: Встроенный потенциал

en: Electron affinity left
ru: Осталось сродство к электрону

en: Electron affinity right
ru: Право сродства к электрону

en: <b>CPU</b>
ru: <b>ЦП</b>

en: Number of threads used by the backend
ru: Количество потоков, используемых серверной частью

en: Maximum number of core instances
ru: Максимальное количество экземпляров ядра

en: Path to source code
ru: Путь к исходному коду

en: Path to compiled libs for cluster
ru: Путь к скомпилированным библиотекам для кластера

en: Make command
ru: Сделать команду

en: exe name
ru: имя исполняемого файла

en: Store DoS on disk
ru: Хранить DoS на диске

en: Remote cluster directory
ru: Каталог удаленного кластера

en: Remote node list
ru: Список удаленных узлов

en: x-triangles
ru: x-треугольники

en: y-triangles
ru: Y-треугольники

en: Method
ru: Метод

en: Node reduce
ru: Узел уменьшить

en: No reduce
ru: Нет уменьшения

en: Min allowable angle
ru: Минимальный допустимый угол

en: Gaussian blur
ru: Размытие по Гауссу

en: Percent of histogram to ignore
ru: Процент гистограммы для игнорирования

en: Sigma of gaussian
ru: Сигма Гаусса

en: Gaussian offset x
ru: Гауссово смещение x

en: Gaussian offset y
ru: Гауссово смещение y

en: Threshold value
ru: Пороговое значение

en: dr
ru: доктор

en: dx
ru: дх

en: dy
ru: ды

en: offset
ru: компенсировать

en: Lens type
ru: Тип объектива

en: Convex
ru: Выпуклый

en: Concave
ru: Вогнутый

en: length
ru: длина

en: Waveform
ru: форма волны

en: Square
ru: Площадь

en: Saw wave
ru: Пила волна

en: pixels
ru: пикселей

en: Boundary x0
ru: Граница x0

en: Boundary x1
ru: Граница x1

en: Boundary y0
ru: Граница у0

en: Boundary y1
ru: Граница y1

en: <b>Fist iteration</b>
ru: <b>Первая итерация</b>

en: Max Electrical iterations (first step)
ru: Максимальное количество электрических итераций (первый шаг)

en: Electrical clamp (first step)
ru: Электрический зажим (первый шаг)

en: Desired solver error (first step)
ru: Желаемая ошибка решателя (первый шаг)

en: <b>Later iterations</b>
ru: <b>Последние версии</b>

en: Max electrical iterations
ru: Максимальное количество электрических итераций

en: Electrical clamp
ru: электрический зажим

en: Desired solver error
ru: Желаемый решатель ошибок

en: <b>Exit strategy</b>
ru: <b>Стратегия выхода</b>

en: Newton minimum iterations
ru: Минимальные итерации Ньютона

en: <b>Solver type</b>
ru: <b>Тип решателя</b>

en: dll name
ru: имя dll

en: Complex matrix solver to use
ru: Сложный матричный решатель для использования

en: Quit on convergence problem
ru: Выход из проблемы сходимости

en: Quit on inverted Fermi-level
ru: Выйти на перевернутом уровне Ферми

en: Poisson solver max iterations
ru: Максимальное количество итераций решателя Пуассона

en: Poisson clamping
ru: Зажим яда

en: Enable poisson solver
ru: Включить решатель ядов

en: Output verbosity to disk
ru: Вывод подробностей на диск

en: Nothing
ru: Ничего такого

en: Write everything to disk
ru: Записать все на диск

en: Matrix solver
ru: матричный решатель

en: Newton solver to use
ru: Решатель Ньютона для использования

en: Slotboom T0
ru: Слотбум T0

en: Slotboom D0
ru: Слотбум D0

en: Slotboom n0
ru: Слотбум n0

en: Solve Kirchhoff's current law in Newton solver
ru: Решите текущий закон Кирхгофа в решателе Ньютона

en: filename
ru: имя файла

en: log x
ru: logx

en: log y
ru: войти у

en: Keep sign for log y
ru: Сохраняйте знак для журнала y

en: Fit against simulation
ru: Соответствие симуляции

en: EQE Voltage
ru: Напряжение EQE

en: Optical power
ru: Оптическая мощность

en: Thermal model type
ru: Тип тепловой модели

en: Hydrodynamic
ru: Гидродинамический

en: Lattice heat
ru: Латексное тепло

en: Device temperature at y_{min}
ru: Температура устройства в y_{min}

en: Device temperature at y_{max}
ru: Температура устройства при y_{max}

en: Device temperature at x_{max}
ru: Температура устройства при x_{max}

en: Device temperature at z_{max}
ru: Температура устройства при z_{max}

en: Lattice heat model
ru: Решетчатая тепловая модель

en: Electron heat model
ru: Модель электронного тепла

en: Hole heat model
ru: Тепловая модель отверстия

en: Max thermal solver iterations
ru: Максимальное количество итераций теплового решателя

en: Desired thermal error
ru: Желаемая тепловая ошибка

en: Minimum device temperature
ru: Минимальная температура устройства

en: Maximum device temperature
ru: Максимальная температура устройства

en: Thermal mesh points
ru: Точки тепловой сетки

en: Interpolate
ru: Интерполировать

en: Constant
ru: Постоянный

en: Boundary value for y_{min}
ru: Граничное значение для y_{min}

en: Boundary value for y_{max}
ru: Граничное значение для y_{max}

en: Boundary value for x_{min}
ru: Граничное значение для x_{min}

en: Boundary value for x_{max}
ru: Граничное значение для x_{max}

en: Couple to electrical solver
ru: Пара к электрическому решателю

en: Dump slices
ru: Срезы дампа

en: Dump dynamic
ru: Дамп динамический

en: Write out band structure
ru: Напишите структуру группы

en: Write newton solver convergence to disk
ru: Записать сходимость решателя Ньютона на диск

en: Print poisson solver convergence
ru: Распечатать конвергенцию решателя яда

en: Normalize output x-time to one
ru: Нормировать вывод x-time к единице

en: Dump the built in voltage.
ru: Сбросить встроенное напряжение.

en: Dump optical probe spectrum
ru: Сброс спектра оптического зонда

en: Write file access log to disk.
ru: Запись журнала доступа к файлам на диск.

en: Write headers to output files
ru: Запись головок в выходные файлы

en: Write first guess to equations
ru: Напишите первое предположение к уравнениям

en: Log verbocity
ru: Журнал подробностей

en: Screen
ru: Экран

en: Disk
ru: Диск

en: Screen and disk
ru: Экран и диск

en: PL dump Energy
ru: Дамп ПЛ Энергия

en: Clean up DoS cache files
ru: Очистить файлы кеша DoS

en: Probe enabled
ru: Зонд включен

en: Probe type
ru: Тип зонда

en: Device state
ru: Состояние устройства

en: Voc
ru: Вок

en: Jsc
ru: АО

en: Dump absorption profile
ru: Профиль поглощения сброса

en: Run the ray tracer
ru: Запустите трассировщик лучей

en: Once per simulation
ru: Один раз для симуляции

en: Each simulation step
ru: Каждый шаг моделирования

en: Theta steps
ru: Тета шаги

en: Theta start
ru: Тета старт

en: Theta stop
ru: Тета-стоп

en: Phi steps
ru: Фи-шаги

en: Phi start
ru: Фи старт

en: Phi stop
ru: Фи стоп

en: Escape bins
ru: Спасатели

en: Emit from
ru: Излучать из

en: Center of each layer
ru: Центр каждого слоя

en: Each electrical mesh point
ru: Каждая точка электрической сетки

en: <b>Ray tracing</b>
ru: <b>Трассировка лучей</b>

en: Mesh points x
ru: Точки сетки х

en: Mesh points z
ru: Точки сетки z

en: <b>Detector</b>
ru: <b>Детектор</b>

en: LED extraction efficiency
ru: Эффективность извлечения светодиодов

en: Series resistance
ru: Серийное сопротивление

en: Other layers
ru: Другие слои

en: debug (ignore)
ru: отлаживать (игнорировать)

en: Contact charge density
ru: Контактная плотность заряда

en: Contact position
ru: контактное положение

en: top
ru: Топ

en: bottom
ru: нижний

en: right
ru: Правильно

en: left
ru: оставил

en: Charge type
ru: тип заряда

en: Electron
ru: Электрон

en: Hole
ru: Отверстие

en: Physical model
ru: физическая модель

en: Ohmic
ru: омический

en: Schottky
ru: Шоттки

en: Automatic remesh x
ru: Автоматический сброс х

en: Automatic remesh y
ru: Автоматический сброс

en: Automatic remesh z
ru: Автоматический сброс z

en: Left/Right
ru: Лево право

en: n_{free} to p_{free} photon generation efficiency
ru: Эффективность генерации фотонов от n_{free} до p_{free}

en: n_{trap} to p_{free} photon generation efficiency
ru: Эффективность генерации фотонов от n_{trap} до p_{free}

en: p_{trap} to n_{free} photon generation efficiency
ru: Эффективность генерации фотонов от p_{trap} до n_{free}

en: p_{free} to p_{trap} photon generation efficiency
ru: Эффективность генерации фотонов от p_{free} до p_{trap}

en: Experimental emission spectra
ru: Экспериментальные спектры излучения

en: Icon
ru: Значок

en: Experimental emission efficiency
ru: Экспериментальная эффективность выбросов

en: Use experimental emission spectra
ru: Используйте экспериментальные спектры излучения

en: Load resistor
ru: Нагрузочный резистор

en: fx domain mesh points
ru: точки сетки домена fx

en: Cycles to simulate
ru: Циклы для моделирования

en: Voltage modulation depth
ru: Глубина модуляции напряжения

en: Excite with
ru: Возбуждать с

en: Light
ru: Легкий

en: Measure
ru: Мера

en: Light modulation depth
ru: Глубина модуляции света

en: Run fit after simulation
ru: Подгонка после симуляции

en: Periods to fit
ru: Периоды, чтобы соответствовать

en: Normalize transfer functon by light intensity
ru: Нормировать передаточную функцию по интенсивности света

en: Re(J)
ru: Ре (Дж)

en: Im(J)
ru: Я (Дж)

en: fx
ru: FX

en: di
ru: ди

en: dmodulation
ru: модуляция

en: dphase
ru: dфаза

en: Simulation type
ru: Тип моделирования

en: Large signal
ru: большой сигнал

en: Fourier
ru: Фурье

en: Node list
ru: Список узлов

en: Initialization vector
ru: Векторы инициализации

en: Cryptographic key
ru: Криптографический ключ

en: Intensity of the sun
ru: Интенсивность солнца

en: #saturation_n0
ru: #насыщенность_n0

en: Absorption of material
ru: Поглощение материала

en: start voltage
ru: пусковое напряжение

en: Max voltage
ru: Максимальное напряжение

en: Invert output
ru: Инвертировать выход

en: Use capacitor
ru: Используйте конденсатор

en: External C
ru: ВнешнийC

en: External R
ru: ВнешнийR

en: Resistance of scope
ru: Сопротивление области

en: Photon Flux
ru: Фотонный поток

en: device width
ru: ширина устройства

en: device breadth
ru: ширина устройства

en: Start light intensity
ru: Начальная интенсивность света

en: Stop light intensity
ru: Стоп интенсивность света

en: Numer of steps
ru: Количество шагов

en: CE light on time
ru: CE свет вовремя

en: CE light off time
ru: Время выключения света CE

en: Automatic world size
ru: Автоматический размер мира

en: x0
ru: х0

en: x1
ru: х1

en: y0
ru: у0

en: y1
ru: у1

en: margin x0
ru: поле x0

en: margin x1
ru: поле x1

en: margin y0
ru: маргин0

en: margin y1
ru: маргини1

en: margin z0
ru: поле z0

en: margin z1
ru: поле z1

en: Active layer width
ru: Ширина активного слоя

en: Reset time to zero each cycle
ru: Сброс времени до нуля в каждом цикле

en: OpenCL GPU acceleration
ru: Ускорение графического процессора OpenCL

en: GPU name
ru: имя графического процессора

en: <b>Excitation type</b>
ru: <b>Тип возбуждения</b>

en: FDTD Slice
ru: Срез FDTD

en: Sin
ru: Грех

en: Pulse
ru: Пульс

en: Start wavelength
ru: Начальная длина волны

en: Stop wavelength
ru: Остановить длину волны

en: Wavelength steps
ru: Шаги длины волны

en: Pulse length
ru: длительность импульса

en: Excite Ex
ru: возбудить бывшего

en: Excite Ey
ru: Возбуждать Эй

en: Excite Ez
ru: Возбуждать Эз

en: <b>FDTD mesh</b>
ru: <b>Сетка FDTD</b>

en: zy
ru: зы

en: zx
ru: зх

en: xy
ru: ху

en: Mesh points y
ru: Точки сетки y

en: Use gnuplot to visualize
ru: Используйте gnuplot для визуализации

en: <b>Simulation time</b>
ru: <b>Время моделирования</b>

en: Stop time
ru: Остановить время

en: Max steps
ru: Максимальное количество шагов

en: Key results
ru: Ключевые результаты

en: Write everything to disk every 2nd step
ru: Записывать все на диск каждый второй шаг

en: Write everything to disk every 5th step
ru: Записывать все на диск каждый 5-й шаг

en: Write everything to disk every 10th step
ru: Записывать все на диск каждый 10-й шаг

en: Output verbosity to screen
ru: Вывод подробностей на экран

en: Show lots
ru: Показать лоты

en: Show key results
ru: Показать ключевые результаты

en: Solver output verbosity
ru: Детализация вывода решателя

en: As answers are found
ru: По мере нахождения ответов

en: Each step
ru: Каждый шаг

en: Source
ru: Источник

en: x rotation
ru: х вращение

en: y rotation
ru: у вращение

en: z rotation
ru: Z вращение

en: x pos
ru: х поз.

en: y pos
ru: у поз

en: zoom
ru: зум

en: The following erros/warning were found while running the simulations:
ru: Во время моделирования были обнаружены следующие ошибки/предупреждения:

en: ML Token
ru: Токен ML

en: Symmetric
ru: Симметричный

en: Asymmetric
ru: Асимметричный

en: Gaussian
ru: гауссовский

en: Lorentzian
ru: Лоренцев

en: Save as
ru: Сохранить как

en: Save as image
ru: Сохранить как изображение

en: Save as gobj
ru: Сохранить как гобж

en: Optical
ru: оптический

en: Show photons
ru: Показать фото

en: FDTD grid
ru: Сетка FDTD

en: Optical mode
ru: Оптический режим

en: Rays
ru: Лучи

en: Solid rays
ru: Сплошные лучи

en: Show detectors
ru: Показать детекторы

en: Electrical mesh
ru: Электрическая сетка

en: Show device
ru: Показать устройство

en: Grid
ru: Сетка

en: Coordinates
ru: Координаты

en: Show text
ru: Показать текст

en: Show plot
ru: Показать сюжет

en: Transparent objects
ru: Прозрачные объекты

en: Ray tracing mesh
ru: Сетка трассировки лучей

en: Show world box
ru: Показать коробку мира

en: Lock view
ru: блокировка просмотра

en: Show gl lights
ru: Показать светящиеся огни

en: Show buttons
ru: Показать кнопки

en: Stars
ru: Звезды

en: Font
ru: Шрифт

en: Background color
ru: фоновый цвет

en: Objects
ru: Объекты

en: New free object
ru: Новые бесплатные объекты

en: New light source
ru: Новый источник света

en: New detector
ru: новый детектор

en: Rescale
ru: Изменить масштаб

en: Copy image
ru: Копировать изображение

en: Device view
ru: вид устройства

en: Charge extraction experiment window
ru: Окно эксперимента по извлечению заряда

en: Python Equation
ru: Уравнение Питона

en: You've made a mistake in the equation, use w for wavelength.
ru: Вы допустили ошибку в уравнении, используя w вместо длины волны.

en: Are you sure you wisht to import this, it will overwrite
ru: Вы уверены, что хотели импортировать это, оно перезапишется

en: Equation editor
ru: Редактор формул

en: Import
    into model
ru: Импорт
    в модель

en: Add section
ru: Добавитьраздел

en: Delete section
ru: Удалить раздел

en: <big><b>Update available!</b></big><br>Download it now from <a href="
ru: <big><b>Доступно обновление!</b></big><br>Загрузите его прямо сейчас с сайта <a href="

en: Optical detectors editor
ru: Редактор оптических детекторов

en: Doping/Mobilie ion profile editor
ru: Редактор профилей допинга/мобильных ионов

en: New emission spectra name:
ru: Новое название спектров излучения:

en: New emission spectra name
ru: Новое название спектров излучения

en: New spectra name:
ru: Новое название спектра:

en: New spectra name
ru: Новое название спектра

en: New material name:
ru: Новое название материала:

en: New material name
ru: Новое название материала

en: I cant write to:
ru: Я могу написать:

en: New filter name:
ru: Имя нового фильтра:

en: New filter name
ru: Новое имя фильтра

en: New directory name:
ru: Имя нового каталога:

en: New directory
ru: Новый каталог

en: Save a the simulation as
ru: Сохранить симуляцию как

en: Directory
ru: Каталог

en: Simulation information
ru: Информация о моделировании

en: xz
ru: хз

en: Orthographic
ru: орфографический

en: Running job
ru: текущая работа

en: The file to import:
ru: Файл для импорта:

en: The imported file, the numbers should now be in SI units
ru: Импортированный файл, числа теперь должны быть в единицах СИ

en: x units:
ru: х единиц:

en: y units:
ru: у единиц:

en: Title:
ru: Заголовок:

en: x-label:
ru: x-метка:

en: x-column:
ru: х-столбец:

en: y-label:
ru: Y-метка:

en: y-column:
ru: Y-столбец:

en: device area:
ru: площадь устройства:

en: Can not load file
ru: Не могу загрузить файл

en: I can't read the file:
ru: Я не могу прочитать файл:

en: I can only read plain text files such as csv formats. I can not read binary files such as excel documents.
ru: Я могу читать только простые текстовые файлы, такие как форматы csv. Я не могу читать двоичные файлы, такие как документы Excel.

en: Photonenergy
ru: фотонэнергия

en: J
ru: Дж

en: IMPS Re(Z)
ru: ИМПС Re(Z)

en: IMPS Im(Z)
ru: ИМПС Im(Z)

en: IMVS Re(Z)
ru: ИМВС Ре(З)

en: IMVS Im(Z)
ru: ИМВС Им(Z)

en: Amps
ru: Ампер

en: Amps - no convert
ru: Амперы - без преобразования

en: I
ru: я

en: -Voltage
ru: -Напряжение

en: Angular frequency
ru: Угловая частота

en: Attenuation coefficient
ru: Коэффициент затухания

en: Intensity
ru: Интенсивность

en: mA
ru: мА

en: Simulation notes
ru: Примечания к моделированию

en: Bibtex reference
ru: ссылка на бибтекс

en: Simulation Notes
ru: Примечания к моделированию

en: Simulation snapshots
ru: Моментальные снимки моделирования

en: Running:
ru: Бег:

en: I could not find a free cpu to run the command on
ru: Я не смог найти свободный процессор для запуска команды

en: CPU
ru: Процессор

en: Nodes
ru: Узлы

en: Generate keys
ru: Сгенерировать ключи

en: Install to cluster
ru: Установитькластер

en: Boot cluster
ru: Загрузочный кластер

en: Stop cluster
ru: Остановить кластер

en: Remove from cluster
ru: Удалить из кластера

en: CV experiment window
ru: Окно эксперимента с резюме

en: Doping/
    Ions
ru: Легирование/
    Ионы

en: Interfaces
ru: интерфейсы

en: Parasitic
     components
ru: Паразитические
     компоненты

en: Mobile
    Ion solver
ru: Мобильный
    Ионный решатель

en: Electrical
    mesh
ru: Электрика
    mesh

en: <big><b>Interface editor</b></big>
    Use this window to edit how electrical interfaces behave.
ru: <big><b>Редактор интерфейса</b></big>
    Используйте это окно, чтобы изменить поведение электрических интерфейсов.

en: Electrical boundary conditions
ru: Электрические граничные условия

en: Excitonic boundary conditions
ru: Экситонные граничные условия

en: <big><b>Doping window</b></big>
    Use this window to add doping to the simulation
ru: <big><b>Окно легирования</b></big>
    Используйте это окно, чтобы добавить легирование в симуляцию

en: <big><b>Parasitic components</b></big>
    Use this window to edit the shunt and series resistance.
ru: <big><b>Паразитные компоненты</b></big>
    Используйте это окно для редактирования шунтирующего и последовательного сопротивления.

en: Load type
ru: Тип нагрузки

en: Multiplyer
ru: мультиплеер

en: External
    interface:
ru: Внешний
    интерфейс:

en: External
    Reflection
ru: Внешнее
    Отражение

en: Reflective interface editor
ru: Редактор рефлексивного интерфейса

en: Connect to cluster
ru: Подключить к кластеру

en: Connect
ru: Соединять

en: Disconnect
ru: Отключить

en: Cancel
ru: отменить

en: <big><b>The device structure tab</b></big>
     Use this tab to change the structure of the device, the layer thicknesses and to perform optical simulations.  You can also browse the materials data base and  edit the electrical mesh.
ru: <big><b>Вкладка структуры устройства</b></big>
    Используйте эту вкладку, чтобы изменить структуру устройства, толщину слоев и выполнить оптическое моделирование. Вы также можете просматривать базу данных материалов и редактировать электрическую сетку.

en: <big><b>Update available!</b></big><br>
ru: <big><b>Доступно обновление!</b></big><br>

en: File to plot
ru: Файл для построения

en: Plot type
ru: тип участка

en: Play
ru: Играть в

en: Snapshot slider
ru: Ползунок снимка

en: Fit variables duplicate window
ru: Подгонка переменных дублирует окно

en: Destination
ru: Назначения

en: Source (JSON)
ru: Источник (JSON)

en: Destination (JSON)
ru: Место назначения (JSON)

en: Open data file
ru: Открыть файл данных

en: Load/Import
ru: Загрузка/импорт

en: Next
ru: Следующий

en: Online help
ru: Онлайн помощь

en: On line help
ru: Онлайн помощь

en: Hide
ru: Скрывать

en: OghmaNano in your language!
ru: ОгмаНано на вашем языке!

en: OghmaNano translated by:
ru: ОгмаНано в переводе:

en: Dimension editor
ru: Редактор измерений

en: Substrate xz size
ru: Размер подложки xz

en: World size
ru: размер мира

en: Select simulation parameter
ru: Выберите параметр моделирования

en: OK
ru: ХОРОШО

en: No row selected in the scan window, can't insert the selection
ru: В окне сканирования не выбрана строка, не удается вставить выделение

en: New material
ru: Новый материал

en: New spectra
ru: Новые спектры

en: New shape
ru: новая форма

en: New filter
ru: Новый фильтр

en: Unpack archive
ru: Распаковать архив

en: Clone the file to be called:
ru: Клонируйте файл, который будет вызываться:

en: The file name already exists
ru: Имя файла уже существует

en: Rename the simulation to be called:
ru: Переименуйте симуляцию, чтобы она называлась:

en: Are you sure you want to delete the files ?
ru: Вы уверены, что хотите удалить файлы?

en: You should now have a sim.json file in:
ru: Теперь у вас должен быть файл sim.json в:

en: Open this directory to see it.
ru: Откройте этот каталог, чтобы увидеть его.

en: Image
ru: Изображение

en: Gnuplot
ru: Гнуплот

en: Csv
ru: CSV

en: Text file (txt)
ru: Текстовый файл (txt)

en: Graph
ru: график

en: Show title
ru: Показать заголовок

en: Show key
ru: Показать ключ

en: Light source editor
ru: редактор источника света

en: Rebuild
ru: Восстановить

en: Electrical parameters
ru: электрические параметры

en: <big><b>Electrical parameters</b></big><br>Use this tab to configure the electrical parameters for the material.
ru: <big><b>Электрические параметры</b></big><br>Используйте эту вкладку для настройки электрических параметров материала.

en: <big><b>Absorption</b></big><br>
ru: <big><b>Поглощение</b></big><br>

en: <big><b>Refractive index</b></big><br>
ru: <big><b>Показатель преломления</b></big><br>

en: <big><b>Emission spectrum</b></big><br>Use this tab to edit the emission spectrum.
ru: <big><b>Спектр излучения</b></big><br>Используйте эту вкладку для редактирования спектра излучения.

en: Material editor
ru: Редактор материалов

en: Thermal parameters
ru: Тепловые параметры

en: Life cycle
ru: жизненный цикл

en: Don't run me as root!!
ru: Не запускайте меня как root!!

en: I can't run from inside a zip file!
ru: Я не могу запустить из zip-файла!

en: <big><b>New simulation!</b></big><br> Now selected the type of device you would like to simulate.
ru: <big><b>Новое моделирование!</b></big><br> Теперь выбран тип устройства, которое вы хотите смоделировать.

en: <big><b>Now run the simulation</b></big><br> Click on the play icon to start a simulation.
ru: <big><b>Теперь запустите симуляцию</b></big><br> Нажмите на значок воспроизведения, чтобы начать симуляцию.

en: <big><b>Hi!</b></big><br> I'm the on-line help system :).  If you have any questions or find any bugs please send them to <a href="mailto:
ru: <big><b>Привет!</b></big><br> Я интерактивная справочная система :). Если у вас есть какие-либо вопросы или вы обнаружили какие-либо ошибки, отправьте их по адресу <a href="mailto:

en: Click on the new icon to make a new simulation directory.
ru: Нажмите на новый значок, чтобы создать новый каталог моделирования.

en: Open an existing simulation
ru: Откройте существующую симуляцию

en: To open this file I need to rename it to have a .oghma extention. Do you want me to do that?. I would rename the file:
ru: Чтобы открыть этот файл, мне нужно переименовать его, чтобы он имел расширение .oghma. Вы хотите, чтобы я это сделал? Я бы переименовал файл:

en: The simulation directory has been deleted.
ru: Каталог моделирования был удален.

en: Desktop
ru: рабочий стол

en: Downloads
ru: Загрузки

en: <big><b>Examine the results in time domain</b></big><br> After you have run a simulation in time domain, if is often nice to be able to step through the simulation and look at the results.  This is what this window does.  Use the slider bar to move through the simulation.  When you are simulating a JV curve, the slider sill step through voltage points rather than time points.
ru: <big><b>Изучите результаты во временной области</b></big><br> После того, как вы запустили симуляцию во временной области, часто приятно иметь возможность пошагово выполнить симуляцию и посмотреть на результаты. Это то, что делает это окно. Используйте ползунок для перемещения по симуляции. Когда вы моделируете кривую JV, ползунок будет перемещаться по точкам напряжения, а не по времени.

en: Are you sure you want restore this file from the backup, it will overwrite all files in the simulation directory?
ru: Вы уверены, что хотите восстановить этот файл из резервной копии, иначе все файлы в каталоге симуляции будут перезаписаны?

en: title
ru: заглавие

en: x axis
ru: ось х

en: y axis
ru: ось Y

en: equilibrium
ru: равновесие

en: This contains the simulation output at 0V in the dark.
ru: Он содержит вывод симуляции при 0 В в темноте.

en: Attenuation
ru: Затухание

en: Luminescence editor
ru: Редактор люминесценции

en: <big><b>Luminescence</b></big>
    If you set 'Turn on luminescence' to true, the simulation will assume recombination is a raditave process and intergrate it to produce Voltage-Light intensity curves (lv.dat).  Each number in the tab tells the model how efficient each recombination mechanism is at producing photons.
ru: <big><b>Люминесценция</b></big>
    Если вы установите для параметра Включить люминесценцию значение true, при моделировании рекомбинация будет считаться радиационным процессом, и она будет интегрирована для получения кривых интенсивности света от напряжения (lv.dat ). Каждое число на вкладке сообщает модели, насколько эффективен каждый механизм рекомбинации при производстве фотонов.

en: All
ru: Все

en: Wavelengths
ru: Длины волн

en: Laser editor
ru: лазерный редактор

en: Youtube channel
ru: Канал YouTube

en: Quit
ru: Покидать

en: Stop
    simulation
ru: Остановить
    моделирование

en: Thickness
ru: толщина

en: Stop
ru: Останавливаться

en: Step multiply
ru: Шаг умножить

en: points
ru: точки

en: Mesh points
ru: Точки сетки

en: PL experiment window
ru: Окно эксперимента PL

en: Script editor
ru: редактор сценариев

en: Rename the script:
ru: Переименуйте скрипт:

en: active
ru: активный

en: Flyby video maker
ru: Создатель видео Flyby

en: Set
    position
ru: установить
    позицию

en: Goto
ru: Перейти к

en: and
ru: а также

en:  more.
ru: более.

en: Should I delete these files?:
ru: Должен ли я удалить эти файлы?:

en: command line tool
ru: инструмент командной строки

en: Prints the used paths
ru: Печатает используемые пути

en: www.pvlighthouse.com.au sync
ru: www.pvlighthouse.com.au синхронизация

en: Load new image
ru: Загрузить новое изображение

en: Original
    image
ru: Исходное
    изображение

en: Generate
    Image
ru: Создать
    изображение

en: Show
    Mesh
ru: Показать
    Сетка

en: Edit
    Mesh
ru: Редактировать
    Сетка

en: Build
    Mesh
ru: Построить
    Сетку

en: Generate
    Honeycomb
ru: Сгенерировать
    Сотовый

en: Generate
    Xtal
ru: Сгенерировать
    Xtal

en: Generate
    lens
ru: Создать
    объектив

en: Generate
    Gaussian
ru: Сгенерировать
    гауссовский

en: Saw
    wave
ru: Пила
    волна

en: Blur
ru: Размытие

en: Edit blur
ru: Размытие

en: Normalize
    y
ru: Нормализация
    y

en: Edit histogram
ru: Изменить гистограмму

en: Normalize
    z
ru: Нормализация
    z

en: Threshold
ru: Порог

en: Boundary
ru: граница

en: Apply
ru: Подать заявление

en: 2D Image
ru: 2D-изображение

en: I don't know how to process this type of file!
ru: Я не знаю, как обрабатывать этот тип файла!

en: Can not connect to cluster.
ru: Не удается подключиться к кластеру.

en: Editors
ru: Редакторы

en: <big><b>Simulation Editors</b></big><br> Use this tab to edit the simulation you wish to perform, you can choose from steady state measurments such as JV curve/Suns-Voc, time domain or frequency domain.  You can also choose to use advanced optical models to understand your data.
ru: <big><b>Редакторы моделирования</b></big><br> Используйте эту вкладку для редактирования моделирования, которое вы хотите выполнить, вы можете выбрать измерения стационарного состояния, такие как кривая JV/Suns-Voc, временная область или частотная область. Вы также можете использовать расширенные оптические модели для понимания ваших данных.

en: <big><b>Configure</b></big><br> Use this tab to control advanced features of the simulation, such as finite difference mesh, amount of data written to disk, and the configuration of the back end numerical solvers.
ru: <big><b>Настроить</b></big><br> Используйте эту вкладку для управления расширенными функциями моделирования, такими как конечно-разностная сетка, объем данных, записываемых на диск, и конфигурация серверных числовых значений. решатели.

en: <big><b>Simulation type</b></big><br> Use this tab to select which simulation mode the model runs in, select between steady state, time domain, frequency domain and optical simulations.
ru: <big><b>Тип симуляции</b></big><br> Используйте эту вкладку, чтобы выбрать режим симуляции, в котором работает модель, выберите между стационарным режимом, временной областью, частотной областью и оптическим моделированием.

en: Databases
ru: базы данных

en: <big><b>Databases</b></big><br> Use this tab to explore the materials and optical data bases, you can add and download more materials/optical models using the tools here.
ru: <big><b>Базы данных</b></big><br> Используйте эту вкладку для изучения материалов и оптических баз данных. Вы можете добавлять и загружать дополнительные материалы/оптические модели с помощью инструментов здесь.

en: <big><b>Information</b></big><br> Access extra information about the model in this tab, there are lots of tutorial videos on YouTube, follow on Twitter for the latest updates.
ru: <big><b>Информация</b></big><br> Получите доступ к дополнительной информации о модели на этой вкладке, на YouTube есть множество обучающих видео, следите за последними обновлениями в Twitter.

en: Automation
ru: Автоматизация

en: Electrical
ru: Электрический

en: Thermal
ru: Термальный

en: <big><b>Simulation mode changed</b></big><br>
ru: <big><b>Режим моделирования изменен</b></big><br>

en: Key not found
ru: Ключ не найден

en: User not found
ru: Пользователь не найден

en: This version of the software is too old to validate it's key, please download the latest version.
ru: Эта версия программного обеспечения слишком старая для проверки ключа, пожалуйста, загрузите последнюю версию.

en: OghmaNano trial
ru: Испытание ОгмаНано

en: Optical simulation editor
ru: Редактор оптического моделирования

en: Photon distribution
ru: Распределение фотонов

en: Photon distribution absorbed
ru: Поглощенное распределение фотонов

en: m
ru: м

en: Laser:
ru: Лазер:

en: Export
ru: Экспорт

en: Cost and energy payback calculator
ru: Калькулятор стоимости и окупаемости энергии

en: Re-calcualte
ru: Пересчитать

en: material
ru: материал

en: Mass
ru: масса

en: You have not selected any parameters to scan through.  Use the add button.
ru: Вы не выбрали параметры для сканирования. Используйте кнопку добавления.

en: Parameter to scan
ru: Параметр для сканирования

en: Quantum efficiency editor
ru: Редактор квантовой эффективности
