oghmanano 8.0 - en to uk translation catalogue (1998 entries)

en: H_joule
uk: H_джоуль

en: H_recombination
uk: H_рекомбінація

en: H_parasitic
uk: H_паразитарний

en: Single states
uk: Поодинокі держави

en: time
uk: час

en: Triplet states
uk: Триплетні стани

en: Singlets in donor
uk: Синглети в донорі

en: Triplet in donor
uk: Трійня у донора

en: Photon denisty
uk: Відсутність фотонів

en: file name not set
uk: ім'я файлу не встановлено

en: Time
uk: час

en: Voltage
uk: Напруга

en: Free electron generation rate
uk: Швидкість генерації вільних електронів

en: Generation rate
uk: Швидкість генерації

en: Free hole generation rate
uk: Швидкість утворення вільних дірок

en: SRH recombination free electrons -> trapped holes
uk: SRH рекомбінація вільних електронів -> захоплених дірок

en: Recombination
uk: Рекомбінація

en: SRH recombination free holes -> trapped electrons
uk: SRH рекомбінація вільних дірок -> захоплених електронів

en: Surface recombination on left contact
uk: Поверхнева рекомбінація на лівому контакті

en: Surface recombination on right contact
uk: Поверхнева рекомбінація при правому контакті

en: Trapped electron density
uk: Щільність захоплених електронів

en: Electron density
uk: Електронна густина

en: Trapped hole density
uk: Щільність захоплених отворів

en: Hole density
uk: Щільність отворів

en: Free electron density
uk: Густина вільних електронів

en: Free hole density
uk: Щільність вільних отворів

en: Total electron density
uk: Загальна електронна густина

en: Total hole density
uk: Загальна щільність отворів

en: Electron mobility
uk: Рухливість електронів

en: Mobility
uk: Мобільність

en: Hole mobility
uk: Рухливість дірок

en: Average electron and hole mobility
uk: Середня рухливість електронів і дірок

en: Total PL intensity
uk: Загальна інтенсивність PL

en: Total PL Intensity
uk: Загальна інтенсивність PL

en: PL intensity at given energy
uk: Інтенсивність ФЛ при заданій енергії

en: PL Intensity
uk: PL Інтенсивність

en: Voltage applied to diode
uk: Напруга, прикладена до діода

en: band bend (percent)
uk: вигин стрічки (у відсотках)

en: band bend
uk: вигин стрічки

en: percent
uk: відсотків

en: Dynamic quantum efficiency
uk: Динамічна квантова ефективність

en: Percent
uk: Відсоток

en: Drift current density
uk: Щільність дрейфового струму

en: Position
uk: Позиція

en: Electron current density (drift)
uk: Густина електронного струму (дрейф)

en: Diffusion current density
uk: Щільність дифузійного струму

en: position
uk: положення

en: Electron current density (diffusion)
uk: Густина електронного струму (дифузія)

en: Diffusion+Drift current density
uk: Щільність струму дифузії+дрейфу

en: Drift current density (x)
uk: Щільність дрейфового струму (x)

en: Diffusion current density (x)
uk: Щільність дифузійного струму (x)

en: Hole current density (drift)
uk: Щільність діркового струму (дрейф)

en: Hole current density (diffusion)
uk: Щільність діркового струму (дифузія)

en: Current density
uk: Щільність струму

en: Electron current density
uk: Густина електронного струму

en: Hole current density
uk: Щільність діркового струму

en: Electron current density x
uk: Густина електронного струму х

en: Total current density (Jn+Jp)
uk: Загальна щільність струму (Jn+Jp)

en: |Total current density|
uk: |Загальна густина струму|

en: Free electron -> Free hole recombination rate
uk: Вільний електрон -> Швидкість рекомбінації вільних дірок

en: Free carrier recombination rate
uk: Швидкість рекомбінації вільних носіїв

en: Free electron loss due to SRH processes (including trapping)
uk: Втрата вільних електронів через процеси SRH (включаючи захоплення)

en: Free electron loss
uk: Втрата вільних електронів

en: Free hole loss due to SRH processes (including trapping)
uk: Втрата вільних отворів через процеси SRH (включаючи захоплення)

en: Free hole loss
uk: Втрати вільного отвору

en: SRH relaxation free electrons -> trapped electrons
uk: SRH релаксація вільних електронів -> захоплених електронів

en: Relaxation
uk: Релаксація

en: SRH relaxation free holes -> trapped holes
uk: SRH релаксаційні вільні отвори -> захоплені отвори

en: Singlet density (S1)
uk: Синглетна щільність (S1)

en: Singlet density
uk: Синглетна щільність

en: Triplet density  (T1)
uk: Триплетна щільність (T1)

en: Triplet density
uk: Триплетна щільність

en: Singlet CT (1C)
uk: Синглетний КТ (1C)

en: Triplet CT (3C)
uk: Триплетний КТ (3C)

en: Singlet S1 'IMREF'
uk: Синглет S1 'IMREF'

en: Singlet energy
uk: Синглетна енергія

en: Triplet T1 'IMREF'
uk: Триплет T1 'IMREF'

en: Triplet energy
uk: Триплетна енергія

en: Singlet CT (1C) 'IMREF'
uk: Синглетний КТ (1C) 'IMREF'

en: Triplet CT (3C) 'IMREF'
uk: Триплетний КТ (3C) 'IMREF'

en: Singlet in donor density
uk: Синглетний у донорській щільності

en: Triplet in donor density
uk: Триплет в донорській щільності

en: Ion density
uk: Густина іонів

en: Singlet in donor 'IMREF'
uk: Синглет у донора 'IMREF'

en: Triplet in donor 'IMREF'
uk: Триплет у донора «IMREF»

en: Ion energy
uk: Енергія іонів

en: Doping
uk: Допінг

en: Doping density
uk: Щільність легування

en: Free electron carrier density
uk: Густина носіїв вільних електронів

en: Carrier density
uk: Щільність носія

en: Free hole carrier density
uk: Щільність носіїв вільних дірок

en: Trapped electron carrier density
uk: Густина носіїв захоплених електронів

en: Trapped hole carrier density
uk: Щільність носія з захопленими отворами

en: Change in electron population
uk: Зміна кількості електронів

en: Total charge
uk: Загальний заряд

en: Change in total charge
uk: Зміна загального заряду

en: Change in hole population
uk: Зміна кількості отворів

en: Excess electron density
uk: Надлишкова електронна густина

en: x-position
uk: x-положення

en: y-position
uk: y-положення

en: z-position
uk: z-положення

en: Excess hole density
uk: Надлишкова щільність отвору

en: Perovskite mobile ion density
uk: Щільність рухомих іонів перовскіту

en: Interface free-to-free recombination constant
uk: Константа вільної рекомбінації інтерфейсу

en: Electron tunneling though the interface
uk: Електронне тунелювання через інтерфейс

en: Tunneling-e
uk: Тунелювання-е

en: Hole tunneling though the interface
uk: Тунелювання отворів через інтерфейс

en: Tunneling-h
uk: Тунелювання-ч

en: Interface free-to-trap recombination constant
uk: Константа рекомбінації вільного захоплення інтерфейсу

en: Interface free-to-trap  recombination constant
uk: Константа рекомбінації вільного захоплення інтерфейсу

en: Interface recombination rate
uk: Швидкість рекомбінації інтерфейсу

en: Electron current density left contact (J_y0_n)
uk: Густина електронного струму лівий контакт (J_y0_n)

en: Hole current density left contact (J_y0_p)
uk: Щільність струму отвору лівий контакт (J_y0_p)

en: Electron current density right contact (J_y1_n)
uk: Густина електронного струму правий контакт (J_y1_n)

en: Hole current density right contact (J_y1_p)
uk: Щільність струму отвору правий контакт (J_y1_p)

en: Electron drift current
uk: Струм дрейфу електронів

en: Electron diffusion current
uk: Струм дифузії електронів

en: Hole drift current
uk: Дрейфовий струм отвору

en: Hole diffusion current
uk: Дірковий дифузійний струм

en:  Hole diffusion current
uk: Дірковий дифузійний струм

en: Electron drift+diffusion current
uk: Дрейф електронів+дифузійний струм

en: Hole diffusion+diffusion current
uk: Діркова дифузія+дифузійний струм

en: Jn at contacts
uk: Jn в контактах

en: Jp at contacts
uk: Jp за контактами

en: External Current
uk: Зовнішній струм

en: Current
uk: поточний

en: Current density at contacts
uk: Щільність струму на контактах

en: Single states (S1)
uk: Поодинокі стани (S1)

en: Triplet states (T1)
uk: Триплетні стани (T1)

en: Material fraction (x)
uk: Частка матеріалу (x)

en: Fraction
uk: дріб

en: Material fraction (y)
uk: Частка матеріалу (y)

en: Electron Energy
uk: Енергія електронів

en: Lattice temperature
uk: Температура решітки

en: Temperature
uk: Температура

en: Electron temperature
uk: Електронна температура

en: Hole temperature
uk: Температура отвору

en: Band gap
uk: заборонена зона

en: Electron quasi Fermi-level
uk: Електронний квазірівень Фермі

en: Hole quasi Fermi-level
uk: Дірковий квазірівень Фермі

en: Potential
uk: потенціал

en: Equlibrium Fermi-level
uk: Рівноважний рівень Фермі

en: Energy
uk: Енергія

en: Relative permittivity
uk: Відносна діелектрична проникність

en: Joule heating from device
uk: Джоулевий нагрів від приладу

en: Heating
uk: Опалення

en: Electron mobility z
uk: Рухливість електронів z

en: Electron mobility x
uk: Рухливість електронів х

en: Electron mobility y
uk: Рухливість електронів y

en: Hole mobility z
uk: Рухливість дірок z

en: Hole mobility x
uk: Рухливість отвору х

en: Hole mobility y
uk: Рухливість дірок y

en: Average electron mobility
uk: Середня рухливість електронів

en: Recombination rate
uk: Швидкість рекомбінації

en: Auger recombination
uk: Шнекова рекомбінація

en: Rate
uk: Оцінка

en: Trap fermi level
uk: Пастка рівня Фермі

en: Electron Fermi level
uk: Електронний рівень Фермі

en: Material number
uk: Номер матеріалу

en: Number
uk: Номер

en: Passivated
uk: Пасивований

en: True/False
uk: Правда/Неправда

en: Current map of the bottom contact
uk: Поточна карта нижнього контакту

en: Resistance of bottom of device
uk: Опір нижньої частини пристрою

en: Running Ray tracer
uk: Запущений Ray tracer

en: pulse mode not known
uk: імпульсний режим невідомий

en: pulse time
uk: час пульсу

en: step
uk: крок

en: current density
uk: щільність струму

en: current
uk: поточний

en: Volts
uk: Вольт

en: Photogeneration rate
uk: Швидкість фотогенерації

en: Emission
uk: емісія

en: Charge density
uk: Щільність заряду

en: Suns
uk: Сонця

en: Charge
uk: Зарядити

en: ce mode not known
uk: ce режим невідомий

en: ce mode not known
uk: ce режим невідомий

en: ce time
uk: це час

en: Simulated polynomial data
uk: Змодельовані поліноміальні дані

en: y
uk: р

en: Full transfer matrix based light model
uk: Модель світла на основі матриці повного перенесення

en: Generating mesh
uk: Створення сітки

en: The materials in your device are not configured to emit light
uk: Матеріали у вашому пристрої не налаштовані на випромінювання світла

en: Real
uk: Справжня

en: Imaginary
uk: Уявний

en: Im(i)
uk: я(я)

en: Frequency
uk: Частота

en: Real(i)
uk: реальний (i)

en: Capacitance
uk: Ємність

en: phi(i)
uk: фі(я)

en: Phase
uk: Фаза

en: Fit error modulation
uk: Модуляція помилки підгонки

en: Error
uk: Помилка

en: Fit error j/v
uk: Помилка підгонки ж/в

en: Resistance
uk: опір

en: Solving EQE at
uk: Розв'язування ОКЕ на

en: out of memory!
uk: брак пам'яті!

en: matrix is singular!
uk: матриця є сингулярною!

en: Running scanning probe microscopy
uk: Виконується скануюча зондова мікроскопія

en: no spm config file found
uk: файл конфігурації spm не знайдено

en: Running JV simulation
uk: Запуск симуляції JV

en: Stopping because of Vexternal
uk: Зупинка через Vexternal

en: Efficiency
uk: Ефективність

en: Voltage/Current across just the ideal diode
uk: Напруга/струм на ідеальному діоді

en: Applied Voltage
uk: Прикладна напруга

en: Recombination prefactor
uk: Префактор рекомбінації

en: Applied voltage
uk: Прикладена напруга

en: Excess carrier density
uk: Надлишкова щільність носія

en: Excess charge density above equilibrium
uk: Надмірна щільність заряду над рівноважною

en: Charge density with correction for surface charge
uk: Щільність заряду з поправкою на заряд поверхні

en: Total charge density
uk: Загальна щільність заряду

en: Light flux
uk: Світловий потік

en: Power in Optical emission/Electrical power in
uk: Потужність в Оптичне випромінювання/Електрична потужність в

en: Conductivity
uk: провідність

en: Holes on left contact
uk: Отвори на лівому контакті

en: Electrons on left contact
uk: Електрони на лівому контакті

en: Holes on right contact
uk: Отвори на правому контакті

en: Electrons on right contact
uk: Електрони на правому контакті

en: Generating electrical mesh
uk: Створення електричної сітки

en: I can't solve the matrix because I don't have enough equations.
uk: Я не можу розв’язати матрицю, бо не маю достатньо рівнянь.

en: Wavelength
uk: Довжина хвилі

en: Probe load configuration
uk: Конфігурація навантаження зонда

en: Probe calculate modes
uk: Режими розрахунку зонда

en: Probe free memory
uk: Зонд вільної пам'яті

en: Photon generation rate
uk: Швидкість генерації фотонів

en: Average photon generation rate (xz-plane)
uk: Середня швидкість генерації фотонів (площина xz)

en: Photon generation rate  (xz-plane)
uk: Швидкість генерації фотонів (площина xz)

en: Absorption
uk: поглинання

en: Extended opticla absorption
uk: Розширене оптичне поглинання

en: Cleaning cache index: %s
uk: Індекс очищення кешу: %s

en: Cache: checking cache free space
uk: Кеш: перевірка вільного місця в кеші

en: Freeing memory from the exciton model
uk: Звільнення пам'яті від екситонної моделі

en: Mode E-field
uk: Режим Е-поле

en: E-field
uk: Е-поле

en: Refractive index
uk: Показник заломлення

en: Normalized photon ensity
uk: Нормована щільність фотонів

en: Photon density
uk: Щільність фотонів

en: Mode Ey
uk: Режим Ey

en: Ey
uk: Ей

en: E - Electric field
uk: E - Електричне поле

en: Job stalled. Time since last run:
uk: Робота застопорилася. Час від останнього запуску:

en: Bytes, written
uk: Байти, написані

en: , read
uk: , прочитати

en: Files, read
uk: Файли, читайте

en:  written
uk: написаний

en: I have shut down the server
uk: Я вимкнув сервер

en: Number of CPUs:
uk: Кількість ЦП:

en: Start time
uk: Час початку

en: End time
uk: Час закінчення

en: All jobs finished jobs
uk: Усі роботи виконані

en: I have finished all my jobs
uk: Я закінчив усі свої роботи

en: The server has detected a crash
uk: Сервер виявив збій

en: Hole generation rate
uk: Швидкість утворення дірок

en: Copyright (C) 2009-2022 Roderick C. I. MacKenzie, Releced the MIT License
uk: Авторське право (C) 2009-2022 Roderick C. I. MacKenzie, Releced the MIT License

en: options
uk: параметри

en: Options
uk: Опції

en: Simulation root path
uk: Симуляція кореневого шляху

en: displays the current version
uk: відображає поточну версію

en: Dump know paths
uk: Відвал знати стежки

en: Forces a simulation mode.
uk: Примусовий режим симуляції.

en: sets the number of CPUs
uk: встановлює кількість ЦП

en: Runs the optimizer. Syntax --optimizer scan_name
uk: Запускає оптимізатор. Синтаксис --optimizer scan_name

en: Additional information about OghmaNano is available at https://www.Oghma-Nano.com.
uk: Додаткова інформація про OghmaNano доступна на сайті https://www.Oghma-Nano.com.

en: Report bugs to: roderick.mackenzie@oghma-nano.com
uk: Повідомляйте про помилки на: roderick.mackenzie@oghma-nano.com

en: oghma_core, Version %s
uk: oghma_core, версія %s

en: OghmaNano (Organic and hybrid Material Nano Simulation tool) core.
uk: Ядро OghmaNano (Інструмент нано моделювання органічних і гібридних матеріалів).

en: Copyright Roderick MacKenzie, released under the MIT License 2009-2022
uk: Авторське право Roderick MacKenzie, випущено за ліцензією MIT 2009-2022

en: There is ABSOLUTELY NO WARRANTY; not even for MERCHANTABILITY or
uk: Немає АБСОЛЮТНО ЖОДНОЇ ГАРАНТІЇ; навіть не для КОМЕРЦІЙНОЇ ПРИДАТНОСТІ чи

en: FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE.
uk: ПРИДАТНІСТЬ ДЛЯ КОНКРЕТНОЇ МЕТИ.

en: Copyright Roderick MacKenzie, released under the MIT License 2010-2019
uk: Авторське право Roderick MacKenzie, випущено за ліцензією MIT 2010-2019

en: OghmaNano - Organic and hybrid Material Nano Simulation tool
uk: OghmaNano - інструмент нано моделювання органічних і гібридних матеріалів

en: Copyright (C) 2009-2022 Roderick C. I. MacKenzie,
uk: Авторське право (C) 2009-2022 Roderick C. I. MacKenzie,

en: Released under the MIT software license
uk: Випущено за ліцензією на програмне забезпечення MIT

en: If you wish to collaborate in anyway please get in touch:
uk: Якщо ви все одно бажаєте співпрацювати, зв’яжіться:

en: dll not loaded
uk: dll не завантажується

en: dll function outcoupling_dll_init not found
uk: функція dll outcoupling_dll_init не знайдена

en: dll function outcoupling_dll_solve_lam_slice not found
uk: Функція dll outcoupling_dll_solve_lam_slice не знайдена

en: dll function outcoupling_dll_ver not found
uk: Функція dll outcoupling_dll_ver не знайдена

en: Generation rate - position
uk: Коефіцієнт генерації - позиція

en: Photons escape probability - position
uk: Імовірність виходу фотонів - позиція

en: Photons escape probability
uk: Імовірність виходу фотонів

en: Position - Photon density
uk: Положення - густина фотонів

en: Photon Escape Probability Wavelength Averaged
uk: Усереднена довжина хвилі ймовірності виходу фотона

en: Escape probability
uk: Імовірність втечі

en: Photon escape probability
uk: Ймовірність виходу фотона

en: Running FDTD simulation @
uk: Запуск симуляції FDTD @

en: Ex - Electric field
uk: Ex - Електричне поле

en: Ey - Electric field
uk: Ey - Електричне поле

en: Ez - Electric field
uk: Ез - Електричне поле

en: Detectors
uk: Детектори

en: Hx - Magnetic field
uk: Hx - магнітне поле

en: H-field
uk: Н-поле

en: Hy - Magnetic field
uk: Hy - магнітне поле

en: Hz - Magnetic field
uk: Гц - магнітне поле

en: Power den
uk: Притон влади

en: epsilon_r - Premitivity
uk: epsilon_r - Примітивність

en: Permitivity
uk: Діелектрична проникність

en: sigma - ?
uk: сигма - ?

en: sigma
uk: сигма

en: Math_2d output
uk: Вихід Math_2d

en: Values
uk: Цінності

en: dll function dll_matrix_solve not found
uk: Функція dll dll_matrix_solve не знайдена

en: dll function dll_matrix_solver_free not found
uk: Функція dll dll_matrix_solver_free не знайдена

en: dll function dll_matrix_init not found
uk: Функція dll dll_matrix_init не знайдена

en: Error closing dll
uk: Помилка закриття dll

en: File not found
uk: Файл не знайдено

en: File access log written to %s
uk: Журнал доступу до файлу записаний до %s

en: Equilibrium Fermi-level
uk: Рівноважний рівень Фермі

en: dll function dll_complex_matrix_solver_free not found
uk: Функція dll dll_complex_matrix_solver_free не знайдена

en: Deleting directory:
uk: Видалення каталогу:

en: Deleting directory
uk: Видалення каталогу

en: Solver initialization
uk: Ініціалізація розв'язувача

en: dll_solve_cur not NULL
uk: dll_solve_cur не NULL

en: dll function dll_solve_cur not found
uk: Функція dll dll_solve_cur не знайдена

en: dll_solver_realloc not NULL
uk: dll_solver_realloc не NULL

en: dll function dll_solver_realloc not found
uk: Функція dll dll_solver_realloc не знайдена

en: dll_solver_free_memory not NULL
uk: dll_solver_free_memory не NULL

en: dll function dll_solver_free_memory not found
uk: Функція dll dll_solver_free_memory не знайдена

en: >I don't understand the command
uk: >Я не розумію команду

en: Can not open file
uk: Неможливо відкрити файл

en: Average mobility at V_{oc}
uk: Середня рухливість при V_{oc}

en: Recombination rate at Voc
uk: Швидкість рекомбінації при Voc

en: Average mobility as J_{sc}
uk: Середня мобільність як J_{sc}

en: Electron mobility at J_{sc}
uk: Рухливість електронів при J_{sc}

en: Hole mobility at J_{sc}
uk: Рухливість отворів при J_{sc}

en: Electron mobility at P_{max}
uk: Рухливість електронів при P_{max}

en: Hole mobility at P_{max}
uk: Рухливість дірок при P_{max}

en: Recombination time constant at Voc
uk: Стала часу рекомбінації при Voc

en: Trapped electrons at Voc
uk: Захоплені електрони на Voc

en: Trapped holes at Voc
uk: Затиснуті отвори на Voc

en: Free electrons at Voc
uk: Вільні електрони при Voc

en: Free holes at Voc
uk: Вільні отвори на Voc

en: Total carriers (n+p)/2 at Voc
uk: Загальна кількість носіїв (n+p)/2 при Voc

en: Average mobility at P_{max}
uk: Середня рухливість при P_{max}

en: Max Cahce Size
uk: Максимальний розмір Cahce

en: Minimum disk free
uk: Мінімальний вільний диск

en: Number of simulations to keep
uk: Кількість симуляцій, які потрібно зберегти

en: Enable cache
uk: Увімкнути кеш

en: Cache path
uk: Шлях до кешу

en: Name
uk: Ім'я

en: Resistor
uk: Резистор

en: Capacitor
uk: Конденсатор

en: Inductance
uk: індуктивність

en: Ideality factor
uk: Фактор ідеальності

en: Layer
uk: Шар

en: Single point
uk: Єдина точка

en: Start intensity
uk: Почніть інтенсивність

en: Stop intensity
uk: Зупинити інтенсивність

en: step multiplier
uk: кроковий множник

en: dx of Honeycomb
uk: dx соти

en: Line width
uk: Ширина лінії

en: x shift
uk: x зсув

en: y shift
uk: y зміна

en: Rotate
uk: Обертати

en: Enable fit variable
uk: Увімкнути відповідну змінну

en: Select
uk: Виберіть

en: Shift experimental y
uk: Зсув експериментальний y

en: Invert simulated data (y)
uk: Інвертувати змодельовані дані (y)

en: Subtract lowest point
uk: Відніміть найнижчу точку

en: Set first point to zero
uk: Встановіть першу точку на нуль

en: Fit df(x)/dx
uk: Підходить df(x)/dx

en: Fit error multiplyer
uk: Множник помилок підгонки

en: Stall steps
uk: Зривні кроки

en: Fit define convergence
uk: Підгонка визначає конвергенцію

en: <b>Fit method</b>
uk: <b>Метод підгонки</b>

en: Fiting method
uk: Спосіб припасування

en: Nelder–Mead (Downhill simplex)
uk: Нелдер-Мід (Симплексний спуск)

en: Thermal Annealing
uk: Термічний відпал

en: Markov chain Monte Carlo (MCMC)
uk: Ланцюг Маркова Монте-Карло (MCMC)

en: Markov chain Monte Carlo (HMC)
uk: Ланцюг Маркова Монте Карло (HMC)

en: No-U-Turn Sampler (NUTS)
uk: Нерозворотний пробовідбірник (NUTS)

en: Newton
uk: Ньютон

en: Broyden–Fletcher–Goldfarb–Shanno (BFGS)
uk: Бройден–Флетчер–Голдфарб–Шенно (BFGS)

en: Start simplex step multiplication
uk: Почніть симплексне крокове множення

en: Enable simplex reset steps
uk: Увімкнути симплексні кроки скидання

en: Simplex reset steps
uk: Симплексні кроки скидання

en: Disable reset at level
uk: Вимкнути скидання на рівні

en: On stall randomize fit
uk: На стійло рандомізуйте підгонку

en: Number of iterations between random reset
uk: Кількість ітерацій між випадковим скиданням

en: Sigma
uk: Сигма

en: Dump every n steps
uk: Дамп кожні n кроків

en: Leapfrog steps
uk: Кроки чехарди

en: Cooling constant
uk: Константа охолодження

en: Annealing steps
uk: Етапи відпалу

en: Randomize variables at begining
uk: Рандомізуйте змінні на початку

en: <b>Fit control</b>
uk: <b>Керування розміром</b>

en: Set error to zero before
uk: Раніше встановіть помилку на нуль

en: Enable snapshots during fit
uk: Увімкнути знімки під час підгонки

en: Normalize data at x point
uk: Нормалізація даних у точці x

en: Random funciton
uk: Випадкова функція

en: Mersenne Twister
uk: Мерсенн Твістер

en: C rand
uk: C ранд

en: Random initialization
uk: Випадкова ініціалізація

en: Wall clock
uk: настінний годинник

en: Constant value
uk: Постійне значення

en: Random seed value
uk: Випадкове початкове значення

en: Add noise
uk: Додайте шуму

en: Noise level
uk: Рівень шуму

en: c
uk: в

en: Range start x0
uk: Початок діапазону x0

en: Range stop x1
uk: Зупинка діапазону x1

en: JV voltage step multiplyer
uk: СП кроковий помножувач напруги

en: Maximum current density
uk: Максимальна щільність струму

en: JV curve photon generation efficiency
uk: СП крива ефективності генерації фотонів

en: Average carrier density at P_{max}
uk: Середня щільність носія при P_{max}

en: Start voltage
uk: Початкова напруга

en: Stop voltage
uk: Напруга зупинки

en: Voltage step
uk: Крок напруги

en: Points
uk: Очки

en: Detector input hist
uk: Вхід детектора хист

en: Counts
uk: Розраховує

en: Detected light
uk: Виявлене світло

en: Efficiency of emission
uk: Ефективність викиду

en: Detector
uk: Детектор

en: Power
uk: потужність

en: Solving the initial electrostatic field.
uk: Розв’язування початкового електростатичного поля.

en: Electrostatic solver f()=
uk: Електростатичний вирішувач f()=

en: Converged
uk: Зійшлися

en: Finding equilibrium conditions
uk: Знаходження умов рівноваги

en: Finished finding equilibrium conditions
uk: Закінчив знаходження умов рівноваги

en: Finished generating DoS....
uk: Завершено створення DoS....

en: load: config files
uk: завантажити: конфігураційні файли

en: Intrinsic Fermi - position
uk: Внутрішнє положення Фермі

en: LUMO energy - position
uk: LUMO енергія - позиція

en: HOMO energy - position
uk: Енергія ГОМО - позиція

en: Electron density - position
uk: Електронна густина - позиція

en: Hole density - position
uk: Щільність отворів - положення

en: Potential - position
uk: Потенціал - позиція

en: Loading electrical dll
uk: Завантаження електричної dll

en: dll function dll_run_simulation not found
uk: Функція dll dll_run_simulation не знайдена

en: Electrical objects
uk: Електричні об'єкти

en: Running simulation
uk: Симуляція бігу

en: Solved
uk: Вирішено

en: Equations
uk: Рівняння

en: I can't allocate a device with less than 1 mesh point.
uk: Я не можу виділити пристрій із менш ніж 1 точкою сітки.

en: You are asking me to simulate a device with more than 50000 mesh points, although I could do this I am not going to because it seems a bad idea to me.
uk: Ви просите мене змоделювати пристрій із більш ніж 50 000 точками сітки, хоча я міг би цього зробити, я не збираюся, оскільки це здається мені поганою ідеєю.

en: Current
uk: поточний

en: Voltage - Current density
uk: Напруга - Густина струму

en: Voltage - Current
uk: Напруга - струм

en: Time - Current density
uk: Час - Густина струму

en: Time - Voltage
uk: Час - Напруга

en: Fit error
uk: Помилка підгонки

en: Step
uk: Крок

en: Speed
uk: швидкість

en: odes/s
uk: оди/с

en: Chain all
uk: Ланцюжок всіх

en: Value
uk: Значення

en: Chain accepted
uk: Ланцюг прийнято

en: Hist chain accepted
uk: Хист ланцюжок прийнято

en: Freeing memory from the heat model
uk: Звільнення пам'яті від теплової моделі

en: Loading file
uk: Завантаження файлу

en: Expected dos size is different from generated %d %d
uk: Очікуваний розмір DOS відрізняється від згенерованого %d %d

en: genndosfdgaus: I can not write to the file %s
uk: genndosfdgaus: я не можу записати у файл %s

en: Computer cores:
uk: Ядра комп'ютера:

en: Max threads:
uk: Макс потоків:

en: You must load the optical plugin before making the time mesh
uk: Ви повинні завантажити оптичний плагін, перш ніж створювати часову сітку

en: The electrical mesh does not match the device length
uk: Електрична сітка не відповідає довжині пристрою

en: Can't generate a mesh with zero points
uk: Не вдається створити сітку з нульовими точками

en: If you want to run perovskite in fx-domain send me an e-mail.
uk: Якщо ви хочете запустити perovskite у fx-domain, надішліть мені електронний лист.

en: fxdomain mode not known
uk: режим fxdomain невідомий

en: Running frequency
uk: Частота бігу

en: Optical modulation will come in the next version.  If you want to use it drop me a mail...
uk: Оптична модуляція з’явиться в наступній версії. Якщо ви хочете ним скористатися, надішліть мені лист...

en: fxdomain time
uk: час домену fx

en: Light intensity
uk: Інтенсивність світла

en: Ion density - position
uk: Щільність іонів - позиція

en: Ion free
uk: Без іонів

en: Ion convergence=
uk: Іонна конвергенція=

en: Ion diffusion
uk: Дифузія іонів

en: Electrical circuit
uk: Електрична схема

en: Circuit
uk: Схема

en: Current vector plot
uk: Поточний векторний графік

en: Real refractive index
uk: Реальний показник заломлення

en: |Electric field|
uk: |Електричне поле|

en: Transmittance
uk: пропускання

en: Reflectance
uk: Відображення

en: Solve optical slice at
uk: Вирішіть оптичний зріз на

en: It was dark I did not solve any slices
uk: Було темно, я не розгадав жодного зрізу

en: Initializing optical model
uk: Ініціалізація оптичної моделі

en: dll function light_dll_init not found
uk: Функція dll light_dll_init не знайдена

en: dll function light_dll_solve_lam_slice not found
uk: Функція dll light_dll_solve_lam_slice не знайдена

en: dll function light_dll_ver not found
uk: Функція dll light_dll_ver не знайдена

en: Power density of the optical spectra (no filter):
uk: Щільність потужності оптичних спектрів (без фільтра):

en: File not found
uk: Файл не знайдено

en: Light: Load filter
uk: Світло: завантажте фільтр

en: Refractive index - position
uk: Показник заломлення - положення

en: Absorption - position
uk: Поглинання - позиція

en: Photons absorbed - position
uk: Поглинуті фотони - положення

en: Photons absorbed
uk: Фотони поглинаються

en: Position - Electric field (y+)
uk: Положення - Електричне поле (y+)

en: Position - Electric field (y-)
uk: Положення - Електричне поле (y-)

en: Freeing memory from the optical model
uk: Звільнення пам'яті з оптичної моделі

en: Electron generation rate
uk: Швидкість генерації електронів

en: Optical heating
uk: Оптичний нагрів

en: Charge carrier generation rate
uk: Швидкість генерації носіїв заряду

en: Copy
uk: Копія

en: Copy as JSON
uk: Копіювати як JSON

en: Copy json/python path
uk: Скопіюйте шлях json/python

en: Copy ObjID
uk: Копіювати ObjID

en: Copy as LaTex
uk: Копіювати як LaTex

en: Copy as csv
uk: Копіювати як csv

en: Paste
uk: Вставити

en: Reimport from database
uk: Повторний імпорт із бази даних

en: Are you sure you want reimport the material values from:
uk: Ви впевнені, що бажаєте повторно імпортувати матеріальні цінності з:

en: File not found:
uk: Файл не знайдено:

en: Edit reference
uk: Редагувати посилання

en: Delete reference
uk: Видалити посилання

en: Add reference
uk: Додайте посилання

en: This simulation
uk: Ця симуляція

en: Electrical parameter editor for shape
uk: Редактор електричних параметрів форми

en: Reference
uk: довідка

en: Bibliography editor
uk: Редактор бібліографії

en: Electrical Mesh Editor
uk: Редактор електричних сіток

en: Y
    Dimension
uk: Y
    Розмір

en: X
    Dimension
uk: X
    вимір

en: Z
    Dimension
uk: Z
    розмір

en: Configure
    mesh
uk: Налаштувати
    сітку

en: Import from
    layer editor
uk: Імпортувати з
    редактора шарів

en: Configure mesh
uk: Налаштувати сітку

en: Are you sure you want to overwrite the electrical mesh with a guessed mesh based on the layer structure?
uk: Ви впевнені, що бажаєте замінити електричну сітку вгаданою сіткою на основі структури шару?

en: New simulation
uk: Нова симуляція

en: Open
    simulation
uk: Відкрити
    симуляцію

en: Export
    Zip
uk: Експорт
    Zip

en: Run
    simulation
uk: Запустіть
    симуляцію

en: Run simulation
uk: Запустити симуляцію

en: Tutorials
uk: Підручники

en: Manual
uk: Інструкція

en: Follow on
    Twitter
uk: Підпишіться на
    Твіттер

en: Subscribe
    on Youtube
uk: Підпишіться
    на Youtube

en: Getting started
uk: Починаємо

en: 1D Simulations
uk: 1D моделювання

en: Carrier trapping
uk: Перехоплення несучої

en: 2D electrical structures (OFETs)
uk: 2D електричні структури (OFET)

en: Large area devices/circuit models
uk: Пристрої/моделі схем великої площі

en: OLEDs
uk: OLED

en: Material databases
uk: Матеріальні бази даних

en: Scripting
uk: Сценарії

en: Frequency domain simulations
uk: Моделювання в частотній області

en: Transient simulations
uk: Симуляції перехідних процесів

en: Optical simulations
uk: Оптичні симуляції

en: Excitonic simulations
uk: Екситонне моделювання

en: Fitting
uk: Примірка

en: Misc
uk: Різне

en: Basics
uk: основи

en: <big><b>Now save the simulation</b></big><br>Now select where you would like to save the simulation directory.
uk: <big><b>Тепер збережіть симуляцію</b></big><br>Тепер виберіть, де ви хочете зберегти каталог симуляції.

en: password:
uk: пароль:

en: Wrong password
uk: Неправильний пароль

en: It's not a good idea to save the simulation in the installation directory.  Try saving it somewhere else, such as your desktop or home directory.
uk: Зберігати симуляцію в каталозі інсталяції не дуже гарна ідея. Спробуйте зберегти його в іншому місці, наприклад на робочому столі або в домашньому каталозі.

en: It's not a good idea to save the simulation in the oghma_local directory.
uk: Зберігати симуляцію в каталозі oghma_local не дуже гарна ідея.

en: That directory already exists.  Pick another name or delete the old one.
uk: Цей каталог уже існує. Виберіть інше ім'я або видаліть старе.

en: Please select a device before clicking next
uk: Будь ласка, виберіть пристрій, перш ніж натиснути «Далі».

en: Organic LED
uk: Органічний світлодіод

en: Crystalline silicon solar cell
uk: Кристалічний кремнієвий сонячний елемент

en: a-Si solar cell
uk: a-Si сонячний елемент

en: polycrystalline silicon
uk: полікристалічний кремній

en: Perovskite solar cell
uk: Перовскітовий сонячний елемент

en: CIGS Solar cell
uk: Сонячна батарея CIGS

en: Which type of device would you like to simulate?
uk: Який тип пристрою ви хотіли б імітувати?

en: Double click to open
uk: Двічі клацніть, щоб відкрити

en: Close
uk: Закрити

en: Show hidden
uk: Показати приховані

en: Object editor
uk: Редактор об'єктів

en: Object
    enabled
uk: Об'єкт
    увімкнено

en: Object
    disabled
uk: Об'єкт
    вимкнено

en: About
uk: про

en: Written by Roderick MacKenzie 2012-2023, released under the MIT software license.
uk: Написане Родеріком Маккензі 2012-2023, випущено за ліцензією на програмне забезпечення MIT.

en: Version
uk: Версія

en:  is a general-purpose tool for simulation of light harvesting devices. It was originally written to simulate organic solar cells and OLEDs, but it has recently been extended to simulate other devices including silicon based devices. Currently the model can sumulate:
uk: є інструментом загального призначення для моделювання легких збиральних пристроїв. Спочатку він був написаний для імітації органічних сонячних елементів і OLED, але нещодавно його було розширено для моделювання інших пристроїв, включаючи пристрої на основі кремнію. Наразі модель може імітувати:

en: Organic solar cells
uk: Органічні сонячні елементи

en: Organic LEDs
uk: Органічні світлодіоди

en: Crystalline silicon solar cells
uk: Кристалічні кремнієві сонячні елементи

en: a-Si solar cells
uk: a-Si сонячні елементи

en: CIGS solar cells
uk: Сонячні елементи CIGS

en: The model solves both electron and hole drift-diffusion, and carrier continuity equations in position space to describe the movement of charge within the device. The model also solves Poisson's equation to calculate the internal electrostatic potential. Recombination and carrier trapping are described within the model using a Shockley-Read-Hall (SRH) formalism, the distribution of trap sates can be arbitrarily defined. All equations can be solved either in steady state or in time domain. A fuller description of the model can be found in the here, in the associated publications and in the manual.
uk: Модель розв’язує рівняння дрейфу-дифузії електронів і дірок, а також рівняння безперервності носіїв у просторі позицій для опису руху заряду всередині пристрою. Модель також розв’язує рівняння Пуассона для обчислення внутрішнього електростатичного потенціалу. Рекомбінація та захоплення носіїв описуються в рамках моделі за допомогою формалізму Шоклі-Ріда-Холла (SRH), розподіл станів пасток може бути визначений довільним чином. Усі рівняння можна розв’язувати як у стаціонарному стані, так і в часовій області. Більш повний опис моделі можна знайти тут, у відповідних публікаціях та в посібнику.

en: Legal
uk: юридичний

en: Translations
uk: Переклади

en: Paths
uk: Шляхи

en: Materials
    database
uk: База
    data матеріалів

en: Optical
    database
uk: Оптична
    daбаза даних

en: User
    data
uk: Дані
    da користувача

en: Shape
    database
uk: Shape
    dabase

en: Filters
    database
uk: Фільтри
    dabase

en: Backup
    Simulaion
uk: Резервне копіювання
    Симуляція

en: Solar spectrum
    generator
uk: Генератор
    сонячного спектру

en: Add Material
uk: Додайте матеріал

en: Add Filter
uk: Додати фільтр

en: Add Spectra
uk: Додати Spectra

en: Add Shape
uk: Додати форму

en: New backup
uk: Нова резервна копія

en: New backup:
uk: Нова резервна копія:

en: New backup name
uk: Нова резервна назва

en: Shape
uk: Форма

en: <big><b>Shape file</b></big><br>
uk: <big><b>Файл форми</b></big><br>

en: Blur menu
uk: Меню розмиття

en: Normalization editor
uk: Редактор нормалізації

en: Shape editor
uk: Редактор форм

en: Configure honeycomb
uk: Налаштування соти

en: Configure photonic xtal
uk: Налаштувати photonic xtal

en: Configure photonic lens
uk: Налаштувати фотонні лінзи

en: Configure saw wave
uk: Налаштуйте пиляну хвилю

en: Configure gaussian
uk: Налаштувати гаусс

en: Configure boundary
uk: Налаштувати межу

en: Configure threshold
uk: Налаштувати поріг

en: Configure
uk: Налаштувати

en: Show labels
uk: Показати мітки

en: Show data
uk: Показати дані

en: Show axis
uk: Показати вісь

en: Normalize layer width
uk: Нормалізуйте ширину шару

en: Copy to clipboard
uk: Копіювати в буфер обміну

en: Save as SVG
uk: Зберегти як SVG

en: Redraw
uk: Перемалювати

en: Active layer
uk: Активний шар

en: From electrical parameters
uk: З електричних параметрів

en: From material db
uk: З матеріалу д.б

en: <big><b>Spectra</b></big><br>
uk: <big><b>Спектри</b></big><br>

en: Optical spectrum editor
uk: Редактор оптичного спектру

en: Spectra
uk: Спектри

en: Basic
uk: Базовий

en: Frequency mesh
uk: Частотна сітка

en: Additional information about gpvdm is available at
uk: Додаткова інформація про gpvdm доступна за адресою

en: Report bugs to:
uk: Повідомити про помилки:

en: Deletes the content of all scan directories.
uk: Видаляє вміст усіх каталогів сканування.

en: Loads a simulation --load /path/containing/simulation/sim.oghma
uk: Завантажує симуляцію --load /path/containing/simulation/sim.oghma

en: Extract the sim.oghma archive --unpack
uk: Розпакуйте архів sim.oghma --unpack

en: Extract the sim.oghma archive --pack
uk: Розпакуйте архів sim.oghma --pack

en: Electrical parameter editor
uk: Редактор електричних параметрів

en: Device
uk: пристрій

en: Simulation
    Notes
uk: Моделювання
    Примітки

en: Hints
    Window
uk: Підказки
    Вікно

en: Interface
    Language
uk: Інтерфейс
    Мова

en: Assosiated paper
uk: Супутній папір

en: Documentation
uk: Документація

en: Language
uk: Мова

en: <big><b>Record notes about the simulation here</b></big><br>Use this window to make notes about the simulation.
uk: <big><b>Запишіть примітки про симуляцію тут</b></big><br>Використовуйте це вікно, щоб робити нотатки про симуляцію.

en: Charge denisty (m^{-3})
uk: Щільність заряду (m^{-3})

en: Material gradient editor
uk: Редактор градієнта матеріалу

en: Save
uk: зберегти

en: New scan
uk: Нове сканування

en: Delete scan
uk: Видалити скан

en: Clone scan
uk: Сканування клонів

en: Rename scan
uk: Перейменувати скан

en: Clean all
uk: Очистити все

en: Run all scans
uk: Запустіть усі сканування

en: Help
uk: Довідка

en: Plot fits
uk: Сюжет підходить

en: Run simulation no generation
uk: Запустити моделювання без генерації

en: Run single fit
uk: Виконайте одну підгонку

en: Clean unconverged simulation
uk: Чисте неконвергентне моделювання

en: Clean simulation output
uk: Чистий результат моделювання

en: Push unconverged to hpc
uk: Натиснути неконвергентний на hpc

en: Change dir
uk: Змінити реж

en: Report
uk: звіт

en: Scan
uk: Сканувати

en: Advanced
uk: Просунутий

en: JV experiment window
uk: Вікно експерименту СП

en: Import data
    from file
uk: Імпортувати дані
    з файлу

en: From
    Equation
uk: З
    Рівняння

en: Reference information
uk: Довідкова інформація

en: Cost
uk: Вартість

en: Cost of material
uk: Вартість матеріалу

en: File
uk: Файл

en: Align and distribute
uk: Вирівняти і розподілити

en: Left
uk: Ліворуч

en: Right
uk: правильно

en: Distribute
uk: Поширювати

en: z
uk: з

en: Exciton simulation editor
uk: Редактор моделювання екситону

en: From
    File
uk: З
    файлу

en: Insert reference information
uk: Вставте довідкову інформацію

en: Are you sure you want to edit the circuit directly?  The circuit will no longer automaticly be updated as you change the layer structure, and the electrical parameters editor will be disabled.  Use can use the reset function in the circuit diagram editor to resore this functionality
uk: Ви впевнені, що бажаєте безпосередньо редагувати схему? Схема більше не буде автоматично оновлюватися, коли ви змінюєте структуру шару, а редактор електричних параметрів буде вимкнено. Щоб відновити цю функцію, використовуйте функцію скидання в редакторі схем

en: Component
uk: компонент

en: Circuit diagram
uk: Кругова діаграма

en: Use epitaxy as base
uk: В якості основи використовуйте епітаксію

en: Free hand drawing
uk: Малювання вільною рукою

en: Enabled
uk: Увімкнено

en: Variable
uk: змінна

en: Min
uk: Хв

en: Max
uk: Макс

en: Random function
uk: Випадкова функція

en: JSON Variable
uk: Змінна JSON

en: FDTD Editor
uk: Редактор FDTD

en: Configure hardware
uk: Налаштувати обладнання

en: Hardware
    benchmark
uk: Еталон 
    апаратного забезпечення

en: RNG
    test
uk: RNG
    тест

en: Clear
    Newton cache
uk: Очистити кеш
    Newton

en: CPU/GPU configuration
uk: Конфігурація CPU/GPU

en: Newton cache
uk: Кеш Ньютона

en: Random numbers
uk: Випадкові числа

en: Electrostatic solver
uk: Електростатичний розв'язувач

en: Drift diffusion
uk: Дрейфова дифузія

en: Simple circuit solver
uk: Простий розв'язувач схем

en: Poission solver
uk: Розв'язувач рівня

en: Poission solver configuration
uk: Конфігурація розв'язувача

en: Newton solver
uk: Розв'язувач Ньютона

en: Exciton solver
uk: Вирішувач екситонов

en: Singlet solver
uk: Синглетний розв'язувач

en: Newton solver configuration
uk: Конфігурація вирішувача Ньютона

en: Configuration
uk: Конфігурація

en: Circuit solver configuration
uk: Конфігурація розв'язувача схеми

en: Data imported from:
uk: Дані імпортовано з:

en: Layer editor
uk: Редактор шарів

en: Layer name
uk: Назва шару

en: Thicknes
uk: Товщина

en: Optical material
uk: Оптичний матеріал

en: Layer type
uk: Тип шару

en: Solve optical
    problem
uk: Вирішіть оптичну
    проблему

en: Solve thermal
    problem
uk: Вирішіть теплову
    проблему

en: start:
uk: початок:

en: stop:
uk: СТІЙ:

en: Red=not found in materials DB
uk: Червоний=не знайдено в БД матеріалів

en: Enable
    Drift Diff.
uk: Увімкнути
    Drift Diff.

en: Enable
    Auger
uk: Увімкнути
    шнек

en: Dynamic
    SRH traps
uk: Динамічні пастки
    СРЗ

en: Min trap depth
uk: Мінімальна глибина пастки

en: Max trap depth
uk: Максимальна глибина пастки

en: Min Fermi level
uk: Мінімальний рівень Фермі

en: Fn points
uk: Точки Fn

en: Fermi integral points
uk: Інтегральні точки Фермі

en: Equilibrium
    SRH traps
uk: Пастки рівноваги
    SRH

en: Excitons
uk: Екситони

en: Excited
    states laser
uk: Збуджені
    стани лазера

en: Photon rate equation
uk: Рівняння швидкості фотонів

en: Excited
    states OPV
uk: Схвильований
    констатує ОПВ

en: Carrier density points
uk: Точки щільності несучої

en: Fermi-dirac integral steps
uk: Інтегральні ступені Фермі-Дірака

en: Minimum trap depth (eV):
uk: Мінімальна глибина захоплення (еВ):

en: That's not a number..
uk: Це не число..

en: Maximum trap depth (eV):
uk: Максимальна глибина захоплення (еВ):

en: Minimum fermi level (eV):
uk: Мінімальний рівень Фермі (еВ):

en: Number of carrier density points to calculate:
uk: Кількість точок щільності несучої для розрахунку:

en: Number of steps in the Fermi-dirac integral:
uk: Кількість кроків в інтегралі Фермі-Дірака:

en: DoS Config
uk: Конфігурація DoS

en: Light
    Sources
uk: Джерела
    світла

en: Lasers
    (fs)
uk: Лазери
    (fs)

en: Transfer
    Matrix
uk: Передача
    Матриця

en: Optical
    Outcoupling
uk: Оптичний
    вихід

en: Ray tracing
    editor
uk: Редактор
    трасування променів

en: Optical
    Detectors
uk: Оптичні
    детектори

en: FDTD
    Simulation
uk: FDTD
    Моделювання

en: Mode
    Calculator
uk: Режим
    Калькулятор

en: Optical
    thickness
uk: Оптична
    товщина

en: Optical
    mesh
uk: Оптична
    сітка

en: Boundary
    Conditions
uk: Граничні
    умови

en: <big><b>Laser setup</b></big><br> Use this window to set up your lasers.
uk: <big><b>Налаштування лазера</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб налаштувати свої лазери.

en: <big><b>The light sources window</b></big><br>Use this window to setup optical sources for the transfer matrix, ray tracing and FDTD simulations.
uk: <big><b>Вікно джерел світла</b></big><br>Використовуйте це вікно для налаштування оптичних джерел для моделювання матриці передачі, трасування променів і FDTD.

en: <big><b>The ray tracing editor</b></big><br> Use this window to configure ray tracing.
uk: <big><b>Редактор трасування променів</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб налаштувати трасування променів.

en: <big><b>The detectors window</b></big><br>Use this window to setup optical detectors.  These can be used for the ray tracing simulations.
uk: <big><b>Вікно детекторів</b></big><br>Використовуйте це вікно для налаштування оптичних детекторів. Їх можна використовувати для моделювання трасування променів.

en: <big><b>FDTD</b></big><br> Use this window to setup a finite difference time domain simulation.
uk: <big><b>FDTD</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб налаштувати моделювання кінцевої різниці в часовій області.

en: <big><b>Mode calculator</b></big><br> Use this window to setup a the optical mode calculator.
uk: <big><b>Калькулятор режиму</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб налаштувати калькулятор оптичного режиму.

en: <big><b>Mesh editor</b></big>
    Use this window to setup the mesh, the window can also be used to change the dimensionality of the simulation.
uk: <big><b>Редактор сітки</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб налаштувати сітку, вікно також можна використовувати для зміни розмірності симуляції.

en: Optical Mesh Editor
uk: Редактор оптичної сітки

en: Boundary conditions
uk: Граничні умови

en: <big><b>The optical simulation window</b></big><br>Use this window to perform optical simulations.  Click on the play button to run a simulation.
uk: <big><b>Вікно оптичного моделювання</b></big><br>Використовуйте це вікно для виконання оптичного моделювання. Натисніть кнопку відтворення, щоб запустити симуляцію.

en: Click on the play button to run an optical simulation.  The results will be displayed in the tabs to the right.
uk: Натисніть кнопку відтворення, щоб запустити оптичну симуляцію. Результати відображатимуться у вкладках праворуч.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=A_3meKTBuWk">Tutorial video</b></big><br>Designing optical filters and reflective coatings.
uk: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=A_3meKTBuWk">Навчальне відео</b></big><br>Проектування оптичних фільтрів і відбивних покриттів.

en: <big><b>The optical outcoupling window</b></big><br>Use this window to calculate how much light escapes the device. This is useful whend designing OLEDs and other light emitting structures.
uk: <big><b>Вікно оптичного роз’єднання</b></big><br>Використовуйте це вікно, щоб обчислити, скільки світла виходить із пристрою. Це корисно при проектуванні OLED та інших світловипромінюючих структур.

en: <big><b>Optical thickness</b></big><br>Usually the optical thickness of a layer will be taken from the layer structure set out in the layer editor. However, sometimes one wants to simulate very thick layers. This window will enable you to force the optical thickness to a value while maintaining it's physical thickness.
uk: <big><b>Оптична товщина</b></big><br>Зазвичай оптична товщина шару береться зі структури шару, встановленої в редакторі шарів. Однак іноді хочеться імітувати дуже товсті шари. Це вікно дозволить вам примусово встановити оптичну товщину до значення, зберігаючи його фізичну товщину.

en: Edit parasitic components
uk: Редагувати паразитні компоненти

en: Parasitic components
uk: Паразитарні компоненти

en: Registration window
uk: Вікно реєстрації

en: Enter the license key below:
uk: Введіть ліцензійний ключ нижче:

en: Key
uk: ключ

en: Can't open file
uk: Не вдається відкрити файл

en: back
uk: назад

en: home
uk: додому

en: Scanning probe microscopy editor
uk: Редактор скануючої зондової мікроскопії

en: No files were given to load
uk: Не було надано файлів для завантаження

en: 3D
    Mode
uk: 3D
    режим

en: New
uk: новий

en: Rename
uk: Перейменувати

en: Run
uk: бігти

en: Plot
    File
uk: Графічний
    файл

en: View raw
    json
uk: Перегляд raw
    son

en: Cache path:
uk: Шлях до кешу:

en: Newton cache used
uk: Використовується кеш Ньютона

en: The cache directory does not exist
uk: Каталог кешу не існує

en: The cache path needs to end in cache.
uk: Шлях до кешу має закінчуватися в кеші.

en: The cache is empty
uk: Кеш порожній

en: I have emptied the cache
uk: Я очистив кеш

en: <big><b>Simulation finished!</b></big><br>Click on the plot icon to plot the results
uk: <big><b>Моделювання завершено!</b></big><br>Натисніть піктограму графіка, щоб побудувати результати

en: Ray trace editor
uk: Редактор трасування променів

en: Fit configure
uk: Налаштуйте конфігурацію

en: Duplicate variables
uk: Повторювані змінні

en: Fit variables
uk: Підгонка змінних

en: Fit rules
uk: Правила підгонки

en: Configure minimizer
uk: Налаштувати мінімізатор

en: Generaton rate editor
uk: Редактор тарифів Generaton

en: Generation rate (m^{-3}s^{-1})
uk: Швидкість генерації (м^{-3}с^{-1})

en: json id
uk: ідентифікатор json

en: Reference manager
uk: Довідковий менеджер

en: Layer
    editor
uk: Редактор
    шарів

en: Contacts
uk: Контакти

en: Electrical
    parameters
uk: Електричні
    параметри

en: Emission
    parameters
uk: Параметри
    викидів

en: Substrate
    xz-size
uk: Підкладка
    xz-розмір

en: <big><b>Contacts window</b></big>
    Use this window to change the layout of the contacts on the device
uk: <big><b>Вікно контактів</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб змінити розташування контактів на пристрої

en: <big><b>Device layers</b></big>
    Use this window to configure the structure of the device.
uk: <big><b>Шари пристрою</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб налаштувати структуру пристрою.

en: <big><b>xz dimension editor</b></big>
    Use this window to configure the xz size of the device.
uk: <big><b>редактор розмірів xz</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб налаштувати розмір пристрою xz.

en: <big><b>Electrical parameters</b></big>
    Use this window to change the electrical parameters of each layer.
uk: <big><b>Електричні параметри</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб змінити електричні параметри кожного шару.

en: <big><b>Emission parameters</b></big>
    Use this window to set if a layer emits light or not.  You can choose between theoretically calculated emission spectra and imported experimental spectra.
uk: <big><b>Параметри випромінювання</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб установити, випромінює шар світло чи ні. Ви можете вибрати між теоретично розрахованими спектрами випромінювання та імпортованими експериментальними спектрами.

en: Frequency start
uk: Частотний старт

en: Frequency stop
uk: Зупинка частоти

en: Max points
uk: Макс балів

en: Multiply
uk: Помножити

en: Paramter to change
uk: Параметр для зміни

en: Parameter scan window
uk: Вікно перевірки параметрів

en: Calculate
uk: Обчислити

en: Export spectrum
uk: Експорт спектра

en: Spectrum
uk: Спектр

en: mode Editor
uk: Режим редактора

en: Edit contacts
uk: Редагувати контакти

en: Top/Bottom
uk: Верх/Низ

en: Applied
    voltage
uk: Прикладена
    напруга

en: Start
uk: старт

en: Width
uk: Ширина

en: Contact resistance
uk: Контактний опір

en: Shunt resistance
uk: Опір шунта

en: Charge density/
    Fermi-offset
uk: Щільність заряду/
    Зміщення Фермі

en: Majority
    carrier
uk: Мажоритарний
    носій

en: ve0 (m/s)
uk: ve0 (м/с)

en: vh0 (m/s)
uk: vh0 (м/с)

en: Physical
    model
uk: Фізична
    модель

en: Neural networks editor
uk: Редактор нейронних мереж

en: Compile
    to json
uk: Скомпілюйте
    у json

en: Reporting error....
uk: Повідомлення про помилку....

en: Diode
uk: діод

en: Power law
uk: Силовий закон

en: Barrier
uk: Бар'єр

en: Wire
uk: Дріт

en: Ground
uk: Земля

en: Voltage source
uk: Джерело напруги

en: Pointer
uk: покажчик

en: Scroll
uk: Прокрутка

en: Clean
uk: чистий

en: Input vector
uk: Вхідний вектор

en: Output vector
uk: Вихідний вектор

en: Enter the time at which the laser pulse will fire (-1) to turn it off
uk: Введіть час, коли лазерний імпульс спрацьовує (-1), щоб вимкнути його

en: Sun
uk: сонце

en: Laser
uk: Лазерна

en: fs Laser
uk: fs Лазер

en: Enter the start time of the simulation
uk: Введіть час початку симуляції

en: Length
uk: Довжина

en: Start Voltage
uk: Початкова напруга

en: Stop Voltage
uk: Зупинна напруга

en: step multiplyer
uk: кроковий множник

en: Sun start
uk: Сонячний початок

en: Sun stop
uk: Сонячна зупинка

en: Laser start
uk: Лазерний старт

en: Laser stop
uk: Лазерна зупинка

en: Save
    video
uk: Зберегти
    відео

en: Storyboard
    to clipboard
uk: Розкадровка
    в буфер обміну

en: Autoscale
uk: Автомасштаб

en: Set log scale y
uk: Встановити логарифмічний масштаб y

en: Set log scale x
uk: Встановити логарифмічний масштаб x

en: Plot
uk: Сюжет

en: Scale
uk: масштаб

en: Video
uk: відео

en: Set
    Temperature
uk: Встановити
    температуру

en: Configure
    Model
uk: Налаштувати
    модель

en: Joule
    Heating
uk: Джоуль
    Нагрівання

en: Parasitic
    Heating
uk: Паразитарне
    Нагрівання

en: Optical
    Heating
uk: Оптичний
    нагрів

en: Recombination
    heating
uk: Рекомбінаційний
    нагрів

en: Thermal
    parameters
uk: Теплові
    параметри

en: Thermal
    mesh
uk: Термо
    сітка

en: <big><b>Thermal parameters</b></big>
    Use this window to change the thermal parameters of each layer.
uk: <big><b>Теплові параметри</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб змінити теплові параметри кожного шару.

en: Enter the new temperature
uk: Введіть нову температуру

en: Thermal boundary conditions
uk: Термічні граничні умови

en: Configure thermal model
uk: Налаштувати теплову модель

en: <big><b>Mesh editor</b></big>
    Use this window to setup the mesh.
uk: <big><b>Редактор сітки</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб налаштувати сітку.

en: Thermal Mesh Editor
uk: Редактор теплової сітки

en: Experimental data
uk: Експериментальні дані

en: Delta=Experiment - Simulation
uk: Дельта=Експеримент - моделювання

en: Configure fit
uk: Налаштувати підгонку

en: Fit patch
uk: Підходить латка

en: Local duplicate
uk: Локальний дублікат

en: Function
uk: функція

en: Frequency domain experiment window
uk: Вікно експерименту в частотній області

en: Thermal parameter editor
uk: Редактор теплових параметрів

en: Device structure
uk: Структура пристрою

en: <big><b>The device structure tab</b></big><br> Use this tab to change the structure of the device, the layer thicknesses and to perform optical simulations.  You can also browse the materials data base and  edit the electrical mesh.
uk: <big><b>Вкладка «Структура пристрою»</b></big><br> Використовуйте цю вкладку, щоб змінити структуру пристрою, товщину шарів і виконати оптичне моделювання. Ви також можете переглядати базу даних матеріалів і редагувати електросітку.

en: Terminal
uk: Термінал

en: <big><b>The terminal window</b></big><br>The output of the model will be displayed in this window, watch this screen for debugging and convergence information.
uk: <big><b>Вікно терміналу</b></big><br>Вихідні дані моделі відображатимуться у цьому вікні. Перегляньте цей екран, щоб отримати інформацію про налагодження та конвергенцію.

en: Tutorials/Documentation
uk: Підручники/документація

en: <big><b>Tutorials/Documentation</b></big><br>Here you can find tutorials, videos, worksheets, and talks about this software and simulating opto-electronic devices in general.  Although this software is easy to use with it's friendly interface, under the hood it is a highly complex model and powerful model, it is worth taking time to read the documentation to understand it.  This will enable you to get the most out of this software and your experimental data.
uk: <big><b>Навчальні посібники/документація</b></big><br>Тут ви можете знайти навчальні посібники, відео, робочі аркуші та бесіди про це програмне забезпечення та моделювання оптико-електронних пристроїв загалом. Незважаючи на те, що це програмне забезпечення є простим у використанні завдяки своєму дружньому інтерфейсу, під капотом це дуже складна та потужна модель, варто приділити час, щоб прочитати документацію, щоб зрозуміти її. Це дозволить вам отримати максимальну віддачу від цього програмного забезпечення та ваших експериментальних даних.

en: <big><b><a href="https://youtu.be/XBbaogu61Ps">Watch the video</a></b></big><br> Performing my first solar cell simulation
uk: <big><b><a href="https://youtu.be/XBbaogu61Ps">Переглянути відео</a></b></big><br> Виконання мого першого моделювання сонячної батареї

en: Output
uk: Вихід

en: <big><b>Output</b></big><br>This shows the root simulation directory, this is where the results are stored.  Double click on a file to see what is in it..
uk: <big><b>Вихід</b></big><br>Це показує кореневий каталог симуляції, де зберігаються результати. Двічі клацніть файл, щоб побачити, що в ньому..

en: Information
uk: Інформація

en: <big><b>The fitting variables window</b></big><br> Use this window to select the variables use to perform the fit.
uk: <big><b>Вікно підгонки змінних</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб вибрати змінні, які використовуються для підгонки.

en: Fit the simulation to experimental data
uk: Підберіть симуляцію до експериментальних даних

en: Data sets
uk: Набори даних

en: Rename the fit:
uk: Перейменувати відповідність:

en: Clone the experiment:
uk: Клонуйте експеримент:

en: Export the simulation
uk: Експорт симуляції

en: Zip file
uk: Zip-файл

en: Are you sure you want to delete the experiment:
uk: Ви впевнені, що хочете видалити експеримент:

en: Make a new fit:
uk: Зробіть нову посадку:

en: Error function
uk: Функція помилок

en: Log scale
uk: Шкала журналу

en: Open file
uk: Відкрити файл

en: Back
uk: Назад

en: Home
uk: додому

en: is not a number..
uk: це не число..

en: Complex Density of states editor
uk: Редактор комплексної щільності станів

en: LUMO numerical
uk: LUMO числове

en: HOMO numerical
uk: HOMO числове

en: Please cite these papers:
uk: Процитуйте, будь ласка, ці документи:

en: If you publish a paper, book or thesis using results from
uk: Якщо ви публікуєте статтю, книгу чи дисертацію, використовуючи результати з

en: This is not a valide e-mail address
uk: Це недійсна адреса електронної пошти

en: The e-mail addresses do not match.
uk: Адреси електронної пошти не збігаються.

en: Please enter your first name.
uk: Будь ласка, введіть своє ім'я.

en: Please enter your surname.
uk: Введіть своє прізвище.

en: Please enter your Company/University.
uk: Введіть свою компанію/університет.

en: Please enter how you heard about OghmaNano.
uk: Будь ласка, вкажіть, як ви дізналися про OghmaNano.

en: Please enter what you plan on using OghmaNano for.
uk: Будь ласка, введіть, для чого ви плануєте використовувати OghmaNano.

en: Your version of OghmaNano is too old to register, please download the latest version.
uk: Ваша версія OghmaNano застара для реєстрації, завантажте останню версію.

en: Please register to use OghmaNano. Thanks!
uk: Будь ласка, зареєструйтеся, щоб використовувати OghmaNano. Дякую!

en: First name
uk: Ім'я

en: Surname
uk: Прізвище

en: Company/University
uk: Компанія/Університет

en: E-mail
uk: Електронна пошта

en: Confirm e-mail
uk: Підтвердьте електронну пошту

en: I heard about OghmaNano from:
uk: Я почув про OghmaNano від:

en: I am most interested in simulating:
uk: Мене найбільше цікавить моделювання:

en:  will not work until you register.  Would do you want to exit?
uk: не працюватиме, поки ви не зареєструєтесь. Ви б хотіли вийти?

en: Suns v.s. Voc
uk: Сонця проти Voc

en: Light source (y0)
uk: Джерело світла (y0)

en: Light source
uk: Джерело світла

en: Filters (y0)
uk: Фільтри (y0)

en: Filters
uk: Фільтри

en: Run optical simulation
uk: Запустіть оптичне моделювання

en: Transfer
    matrix
uk: Трансфер
    матриця

en: Transfer
    matrix FD
uk: Передача
    матриці ФД

en: Exponential
    profile
uk: Експоненціальний
    профіль

en: Flat
    profile
uk: Плоский
    профіль

en: From
    file
uk: З
    файлу

en: From QE
    spectra
uk: З QE
    спектрів

en: Constant
    value
uk: Постійне
    значення

en: Edit constant
uk: Редагувати константу

en: Optics
uk: Оптика

en: Machine
    Learning
uk: Машинне
    навчання

en: Edit
    Probes
uk: Редагувати
    Зонди

en: Parameter
    scan
uk: Параметр
    сканування

en: Fit to
    experiment
uk: Підійде для
    експерименту

en: Json
    explorer
uk: Json
    провідник

en: Matlab paths
uk: Шляхи Matlab

en: Python paths
uk: Шляхи Python

en: Script
    Editor
uk: Редактор
    скриптів

en: <big><b>Probes window</b></big><br>Use this window to setup simulation probes, which can be used to extract values from the simulations at any given mesh point.
uk: <big><b>Вікно зондів</b></big><br>Використовуйте це вікно, щоб налаштувати зонди симуляції, які можна використовувати для отримання значень із симуляцій у будь-якій точці сітки.

en: <big><b>Machine learning window</b></big><br>Use this window to generate machine learning vectors
uk: <big><b>Вікно машинного навчання</b></big><br>Використовуйте це вікно для створення векторів машинного навчання

en: <big><b>The scan window</b></big><br> Very often it is useful to be able to systematically very a device parameter such as mobility or density of trap states.  This window allows you to do just that.
uk: <big><b>Вікно сканування</b></big><br> Дуже часто корисно мати можливість систематично перевіряти такі параметри пристрою, як мобільність або щільність станів пасток. Це вікно дозволяє зробити саме це.

en: Use the plus icon to add a new scan line to the list.
uk: Використовуйте значок плюса, щоб додати новий рядок сканування до списку.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=cpkPht-CKeE">Tutorial video</b></big><br>Using the parameter scan window.
uk: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=cpkPht-CKeE">Навчальне відео</b></big><br>Використання вікна сканування параметрів .

en: <big><b>Fit window</b></big><br> Use this window to fit the simulation to experimental data.  The model uses advanced and optimized fitting algorithms to fit the model to your experimental data, so that material parameters such as mobilities and recombination rates can be extracted.
uk: <big><b>Вікно відповідності</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб адаптувати симуляцію до експериментальних даних. Модель використовує розширені та оптимізовані алгоритми підгонки, щоб адаптувати модель до ваших експериментальних даних, щоб можна було витягти такі параметри матеріалу, як рухливість і швидкість рекомбінації.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=61umU4hrsqk">Watch the tutorial video 1</b></big><br>Fitting the model to experimental data to extract mobility and recombination rate parameters.
uk: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=61umU4hrsqk">Перегляньте навчальне відео 1</b></big><br>Пристосування моделі до експериментальні дані для виділення параметрів мобільності та швидкості рекомбінації.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=_cm3Cb3kzUg">Watch the tutorial video 2</b></big><br>Fitting the model to large area solar cells
uk: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=_cm3Cb3kzUg">Перегляньте навчальне відео 2</b></big><br>Пристосування моделі до сонячні батареї великої площі

en: Run scan
uk: Запустіть сканування

en: Clean simulation
uk: Чисте моделювання

en: Fast Optimizer
uk: Швидкий оптимізатор

en: Build scan
uk: Сканування збірки

en: Rerun
uk: Повторний запуск

en: Archive simulations
uk: Архів моделювання

en: Notes
uk: Примітки

en: Simulations
uk: Симуляції

en: New experiment
uk: Новий експеримент

en: Delete experiment
uk: Видалити експеримент

en: Refresh
uk: Оновити

en: Clone experiment
uk: Експеримент клонів

en: Rename experiment
uk: Перейменувати експеримент

en: Export
    Data
uk: Експорт
    даних

en: Import data
uk: Імпорт даних

en: One itteration
uk: Одна ітерація

en: Run fit
uk: Біг у формі

en: Fit this
    data set
uk: Підберіть цей
    набір даних

en: Dont' fit this
    data set
uk: Не підходять для цього
    набору даних

en: Mesh point
uk: Точка сітки

en: Average
uk: Середній

en: Max pos y-slice
uk: Макс. позиційний зріз

en: Max pos y-slice STD-Left
uk: Max pos y-slice STD-ліворуч

en: Max pos y-slice val
uk: Макс

en: Max pos y-slice STD-Left val
uk: Макс. позиційний зріз STD-лівий вал

en: Max pos y-slice STD-Right val
uk: Макс. позиційний зріз STD-правий вал

en: Move up
uk: Рухатися вгору

en: Move down
uk: Рухатися вниз

en: Add layer
uk: Додайте шар

en: Add object inside
uk: Додайте об'єкт всередину

en: Delete
uk: Видалити

en: Copy json
uk: Скопіюйте json

en: Edit
uk: Редагувати

en: Join mesh
uk: Приєднатися до сітки

en: Group (Ctrl+G)
uk: Група (Ctrl+G)

en: Ungroup (Ctrl+U)
uk: Розгрупувати (Ctrl+U)

en: Script
uk: Сценарій

en: Copy path (Python)
uk: Копіювати шлях (Python)

en: View
uk: Переглянути

en: Show solid
uk: Показати тверде

en: Show mesh
uk: Показати сітку

en: Show cut through x
uk: Показати розріз через x

en: Show cut through y
uk: Показати розріз через y

en: Hidden
uk: Прихований

en: New shape name
uk: Нова назва форми

en: Rename the layer:
uk: Перейменуйте шар:

en: Thermal model
    enabled
uk: Теплова модель
    увімкнена

en: <big><b>Thermal solver switched on</b></big><br>The heat equation will be solved across the device
uk: <big><b>Тепловий розв’язувач увімкнено</b></big><br>Рівняння теплової енергії розв’язуватиметься на пристрої

en: Iso-thermal
    model
uk: Ізотермічна
    модель

en: <big><b>Isothermal mode</b></big><br>A single temperature will be assumed across the entire device.
uk: <big><b>Ізотермічний режим</b></big><br>Буде прийнято єдину температуру для всього пристрою.

en: Isothermal
uk: Ізотермічний

en: Add
uk: додати

en: Delete row
uk: Видалити рядок

en: Laser start time
uk: Час запуску лазера

en: Simulation start time
uk: Час початку симуляції

en: Loop
uk: Петля

en: Time domain experiment window
uk: Вікно експерименту в часовій області

en: Simulation
uk: Симуляція

en: Config
uk: Конфігурація

en: Loop configuration
uk: Конфігурація циклу

en: Random variables
uk: Випадкові величини

en: Patch
uk: Патч

en: Duplicate
uk: дублікат

en: Neural networks
uk: Нейронні мережі

en: Compiled json written to
uk: Скомпільований json, записаний у

en: Copying files and configuring
uk: Копіювання файлів і налаштування

en: Finish time:
uk: Час закінчення:

en: Running
uk: Біг

en: Cluster status
uk: Статус кластера

en: Constant bias
uk: Постійне упередження

en: Change
uk: Зміна

en: From file
uk: З файлу

en: <big><b>Filters</b></big><br>Use this tab to edit the optical filters
uk: <big><b>Фільтри</b></big><br>Використовуйте цю вкладку для редагування оптичних фільтрів

en: Filter editor
uk: Редактор фільтрів

en: Filter
uk: фільтр

en: Not a valid license number
uk: Недійсний номер ліцензії

en: This key has been used too many times.
uk: Цей ключ використовувався забагато разів.

en: This key has expired.
uk: Термін дії цього ключа закінчився.

en: This version of OghmaNano is too old to validate it's key, please download the latest version.
uk: Ця версія OghmaNano застара, щоб перевірити її ключ, завантажте останню версію.

en: Can't access the internet
uk: Немає доступу до Інтернету

en: Key manager
uk: Ключовий менеджер

en: Data
uk: Дані

en: JV
    editor
uk: Редактор СП

en: Time domain
    editor.
uk: Редактор
    часової області.

en: FX domain
    editor
uk: Редактор
    домену FX

en: CV
    editor
uk: CV
    редактор

en: Suns Voc
    editor
uk: Suns Voc
    редактор

en: Suns Jsc
    editor
uk: Suns Jsc
    редактор

en: CE
    editor
uk: CE
    редактор

en: PL
    editor
uk: PL
    редактор

en: Exciton
    editor
uk: Екситон
    редактор

en: Polynomial
    editor
uk: Редактор
    поліномів

en: Calculate
    the cost
uk: Розрахувати
    вартість

en: scanning probe
    microscopy
uk: скануючий зонд
    мікроскопія

en: Output
    Files
uk: Вихідні
    файли

en: Simulation
    Hardware
uk: Симуляція
    Апаратне забезпечення

en: <big><b>The time mesh editor</b></big><br> To do time domain simulations one must define how voltage the light vary as a function of time.  This can be done in this window.  Also use this window to define the simulation length and time step.
uk: <big><b>Редактор сітки часу</b></big><br> Для моделювання у часовій області потрібно визначити, як змінюється напруга світла як функція часу. Це можна зробити в цьому вікні. Також використовуйте це вікно, щоб визначити тривалість моделювання та часовий крок.

en: <big><b>Frequency domain mesh editor</b></big><br> Some times it is useful to do frequency domain simulations such as when simulating impedance spectroscopy.  This window will allow you to choose which frequencies will be simulated.
uk: <big><b>Редактор сітки в частотній області</b></big><br> Іноді корисно проводити моделювання в частотній області, наприклад, моделюючи імпедансну спектроскопію. Це вікно дозволить вам вибрати, які частоти будуть імітовані.

en: <big><b>Capacitance voltage editor</b></big><br> Use this editor to change serup capacitance voltage simulation.
uk: <big><b>Редактор напруги ємності</b></big><br> Використовуйте цей редактор, щоб змінити симуляцію напруги ємності.

en: <big><b>Scanning probe microscopy</b></big><br> Use this window to configure the scanning probe microscopy simulations.
uk: <big><b>Скануюча зондова мікроскопія</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб налаштувати моделювання скануючої зондової мікроскопії.

en: <big><b>PL simulation editor</b></big><br> Use this window to configure the steady state photoluminescence simulation.
uk: <big><b>Редактор моделювання PL</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб налаштувати моделювання фотолюмінесценції в стаціонарному стані.

en: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=pgaJg6dErP4">Watch the youtube video</a></b></big><br>Watch the video on perfomring PL simulation.
uk: <big><b><a href="https://www.youtube.com/watch?v=pgaJg6dErP4">Переглянути відео на YouTube</a></b></big><br>Переглянути відео про виконання моделювання PL.

en: <big><b>Suns voc simulation editor</b></big><br> Use this window to select the step size and parameters of the JV simulations.
uk: <big><b>Редактор моделювання Suns voc</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб вибрати розмір кроку та параметри моделювання JV.

en: <big><b>Suns Jsc simulation editor</b></big><br> Use this window to select the step size and parameters of the JV simulations.
uk: <big><b>Редактор моделювання Suns Jsc</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб вибрати розмір кроку та параметри моделювання СП.

en: <big><b>Charge Extraction editor</b></big><br> This performs charge extraction experiments in time domain, accounting for recombination losses.  If you don’t mind about accounting for recombination losses on extraction just run a JV curve or a Suns-Voc simulation and use the charge.dat file.
uk: <big><b>Редактор вилучення заряду</b></big><br> Виконує експерименти з вилучення заряду в часовій області, враховуючи втрати на рекомбінацію. Якщо ви не заперечуєте щодо врахування рекомбінаційних втрат під час екстракції, просто запустіть криву JV або моделювання Suns-Voc і скористайтеся файлом charge.dat.

en: <big><b>Costs window</b></big>
    Use this window to calculate the cost of the solar cell and the energy payback time.
uk: <big><b>Вікно витрат</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб обчислити вартість сонячної батареї та час окупності енергії.

en: <big><b>JV simulation editor</b></big><br> Use this window to configure JV simulations.
uk: <big><b>Редактор моделювання СП</b></big><br> Використовуйте це вікно для налаштування моделювання СП.

en: <big><b>Polynomial editor</b></big><br> Use this window to generate random date sets for resting the fitting model.
uk: <big><b>Редактор поліномів</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб генерувати випадкові набори дат для збереження підходящої моделі.

en: <big><b>Exciton simulation editor</b></big><br> Use this window to configure exciton simulations.
uk: <big><b>Редактор симуляції екситонів</b></big><br> Використовуйте це вікно, щоб налаштувати моделювання екситонів.

en: <big><b>Simulation hardware</b></big><br>Use this window to change how the model uses the computer's hardware.
uk: <big><b>Апаратне забезпечення моделювання</b></big><br>Використовуйте це вікно, щоб змінити спосіб використання апаратного забезпечення комп’ютера в моделі.

en: Output files
uk: Вихідні файли

en: Banned files and tokens
uk: Заборонені файли та токени

en: Probes
uk: Зонди

en: File name
uk: Ім'я файлу

en: Probe
uk: Зонд

en: <big><b>The scan window</b></big><br> Now using the drop down menu in the prameter to change 'column', select the device parameter you wish to vary, an example may be dos0/Electron Mobility. Now enter the values you would like it to scan oveer in the  'Values', an example could be '1e-3 1e-4 1e-5 1e-6'.  And hit the double arrorw to run the simulation.
uk: <big><b>Вікно сканування</b></big><br> Тепер, використовуючи спадне меню в праметрі, щоб змінити «стовпець», виберіть параметр пристрою, який потрібно змінити, наприклад, dos0/ Рухливість електронів. Тепер введіть значення, які ви б хотіли сканувати, у «Значення», наприклад, «1e-3 1e-4 1e-5 1e-6». Натисніть подвійну стрілку, щоб запустити симуляцію.

en: Neural network editor
uk: Редактор нейронних мереж

en: ML Input vector
uk: Вхідний вектор ML

en: ML Output vector
uk: Вихідний вектор ML

en: Optimizer
uk: Оптимізатор

en: Scan - Configure Optimizer
uk: Сканувати - налаштувати оптимізатор

en: Solar Spectrum Generator
uk: Генератор сонячного спектру

en: Show energies
uk: Показати енергію

en: Plot token values
uk: Побудуйте значення токенів

en: Suns Jsc simulation editor
uk: Редактор моделювання Suns Jsc

en: Disabled
uk: Вимкнено

en: Ray
    trace
uk: Промінь
    trace

en: Perfect
    outcoupling
uk: Ідеальне
    зчеплення

en: time mesh
uk: сітка часу

en: Explore the simulation data structure
uk: Дослідіть структуру даних моделювання

en: Interface editor
uk: Редактор інтерфейсу

en: Sim name
uk: Ім'я сима

en: Vectors
uk: Вектори

en: Cluster get data
uk: Кластер отримує дані

en: Copy src to cluster
uk: Копіювати src до кластера

en: Make on cluster
uk: Зробіть на кластері

en: Clean cluster
uk: Чистий кластер

en: Kill all cluster code
uk: Знищити весь код кластера

en: Sync
uk: Синхронізувати

en: Cluster
uk: Кластер

en: 3D object viewer
uk: Переглядач 3D об'єктів

en: Machine learning
uk: Машинне навчання

en: Build
    vectors
uk: Побудуйте
    вектори

en: Norm
    vectors
uk: Нормальні
    вектори

en: Run
    Generator
uk: Запустіть
    генератор

en: Clean files
uk: Чисті файли

en: Generator
uk: Генератор

en: Clone
uk: Клон

en: Building simulations:
uk: Симуляції будівництва:

en: Building vectors:
uk: Побудова векторів:

en: The directory does not exist:
uk: Каталог не існує:

en: Loading
uk: Завантаження

en: Rename:
uk: Перейменувати:

en: Clone:
uk: Клон:

en: Are you sure you want to delete :
uk: Ви впевнені, що хочете видалити:

en: Make a new:
uk: Зробити новий:

en: Delete file
uk: Видалити файл

en: Clone object
uk: Клонувати об'єкт

en: New shape name:
uk: Назва нової форми:

en: I cant write to:
uk: Я не можу написати:

en: This means either the disk is full or your system administrator has not given you write permissions to that location.
uk: Це означає, що або диск заповнений, або ваш системний адміністратор не надав вам дозволу на запис у це місце.

en: Merge shapes to new
uk: Об’єднайте фігури в нові

en: name
uk: назва

en: path
uk: шлях

en: start
uk: початок

en: stop
uk: СТІЙ

en: CPUs
uk: ЦП

en: status
uk: статус

en: Adding:
uk: Додавання:

en: No sim dir name
uk: Немає імені каталогу SIM

en: I can't load flat_list.inp.  This usually means there is a problem with how you have set up your scan.
uk: Я не можу завантажити flat_list.inp. Зазвичай це означає, що є проблема з тим, як ви налаштували сканування.

en: Problem loading file.
uk: Проблема із завантаженням файлу.

en: Problem generating tree.
uk: Проблема створення дерева.

en: Lambda stop
uk: Лямбда-стоп

en: File containing generation rate
uk: Файл, що містить швидкість генерації

en: Photon efficiency
uk: Ефективність фотонів

en: QE spectra file
uk: Файл спектрів QE

en: Incoherent wavelengths
uk: Некогерентні довжини хвиль

en: Mesh layers must equal device layers
uk: Шари сітки мають дорівнювати шарам пристроїв

en: Light spectrum
uk: Спектр світла

en: Light multiplyer
uk: Мультиплікатор світла

en: Photo current density
uk: Фото щільність струму

en: Photo current
uk: Фото поточне

en: Invert
uk: Перевернути

en: Optical filter material
uk: Матеріал оптичного фільтра

en: dB
uk: дБ

en: Degrees
uk: Ступені

en: n
uk: п

en: Illuminate from
uk: Висвітлювати від

en: Top (y0)
uk: Топ (y0)

en: Bottom (y1)
uk: Знизу (y1)

en: Left (x0)
uk: Ліворуч (x0)

en: Right (x1)
uk: Вправо (x1)

en: Front (z0)
uk: Передня (z0)

en: Back (z1)
uk: Назад (z1)

en: Log fit
uk: Колода підходить

en: Opperation
uk: Операція

en: Enable vector
uk: Увімкнути вектор

en: Edit patch
uk: Редагувати патч

en: Edit vectors
uk: Редагувати вектори

en: Number of archives
uk: Кількість архівів

en: Simulations per archive
uk: Симуляції на архів

en: Random distribution
uk: Випадковий розподіл

en: Log
uk: Журнал

en: Linear
uk: Лінійний

en: Archive path
uk: Архівний шлях

en: Vector file name
uk: Ім'я векторного файлу

en: Crash time
uk: Час аварії

en: Build vectors when done
uk: Побудуйте вектори, коли закінчите

en: ML Output Vector
uk: Вихідний вектор ML

en: ML Input Vector
uk: Вхідний вектор ML

en: file
uk: файл

en: Experimental file
uk: Експериментальний файл

en: multiplier
uk: множник

en: Multiplier
uk: Множник

en: Laser wavelength
uk: Довжина хвилі лазера

en: Length of pulse
uk: Тривалість імпульсу

en: Spot size x
uk: Розмір плями x

en: Spot size y
uk: Розмір плями y

en: Energy in pulse
uk: Енергія в імпульсі

en: Efficiency of photons
uk: Ефективність фотонів

en: Solve optical problem
uk: Розв’язати оптичну задачу

en: Yes - n/k
uk: Так - н/к

en: Yes - k
uk: Так - к

en: No
uk: Немає

en: Yes
uk: Так

en: contact
uk: контакт

en: active layer
uk: активний шар

en: other
uk: інший

en: Optical thickness
uk: Оптична товщина

en: Free carrier statistics
uk: Безкоштовна статистика перевізника

en: Maxwell Boltzmann - analytic
uk: Максвелл Больцман - аналітик

en: Maxwell Boltzmann - numerical+analytic
uk: Максвелл Больцман - чисельний+аналітичний

en: Maxwell Boltzmann - full numerical
uk: Максвелл Больцман - повний числовий

en: Ferm-Dirac - numerical
uk: Ферма-Дірака - числова

en: <b>Free carriers</b>
uk: <b>Безкоштовні перевізники</b>

en: Effective density of free electron states (@300K)
uk: Ефективна густина вільних електронних станів (@300K)

en: Effective density of free hole states (@300K)
uk: Ефективна щільність вільних дірок (@300K)

en: Enable T dependent free carrier mob
uk: Увімкнути безкоштовний моб

en: Enable \u03BB power in free to free recombination
uk: Увімкніть \u03BB живлення у вільній рекомбінації

en: Show excited singlet states
uk: Показати збуджені синглетні стани

en: <b>Equilibrium SRH traps</b>
uk: <b>Пастки рівноваги SRH</b>

en: <b>Non-equilibrium SRH traps</b>
uk: <b>Нерівноважні пастки СРЗ</b>

en: Number of traps
uk: Кількість пасток

en: DoS distribution
uk: Розповсюдження DoS

en: Complex
uk: Комплекс

en: Exponential
uk: Експоненціальний

en: Electron trap density
uk: Щільність електронної пастки

en: Hole trap density
uk: Щільність діркової пастки

en: Electron tail slope
uk: Нахил електронного хвоста

en: Hole tail slope
uk: Отвір хвостового схилу

en: Free electron to Trapped electron
uk: Від вільного електрона до захопленого електрона

en: Trapped electron to Free hole
uk: Захоплений електрон у вільну дірку

en: Trapped hole to Free electron
uk: Захоплена дірка до вільного електрона

en: Free hole to Trapped hole
uk: Вільний отвір до захопленого отвору

en: Enable/Disable
uk: Увімкнути/вимкнути

en: <b>Excitons</b>
uk: <b>Екситони</b>

en: Scattering length
uk: Довжина розсіювання

en: Life time
uk: Час життя

en: Max itterations
uk: Макс ітерацій

en: Convergence error
uk: Помилка конвергенції

en: Boundary condition for y_{min}
uk: Гранична умова для y_{min}

en: Dirichlet
uk: Діріхле

en: Periodic
uk: Періодичні

en: Boundary condition for y_{max}
uk: Гранична умова для y_{max}

en: Boundary condition for x_{min}
uk: Гранична умова для x_{min}

en: Boundary condition for x_{max}
uk: Гранична умова для x_{max}

en: Boundary condition for z_{min}
uk: Гранична умова для z_{min}

en: Boundary condition for z_{max}
uk: Гранична умова для z_{max}

en: Neumann (==0)
uk: Нейман (==0)

en: Heatsink
uk: Радіатор

en: Exciton density at y_{min}
uk: Щільність екситонів при y_{min}

en: Conductivity of heat sink y_{min}
uk: Провідність радіатора y_{min}

en: Exciton density at y_{max}
uk: Щільність екситонів при y_{max}

en: Conductivity of heat sink y_{max}
uk: Провідність радіатора y_{max}

en: Heat sink length y_{max}
uk: Довжина радіатора y_{max}

en: Exciton density at x_{min}
uk: Щільність екситонів при x_{min}

en: Exciton density at x_{max}
uk: Густина екситонів при x_{max}

en: Conductivity of heat sink x_{max}
uk: Провідність радіатора x_{max}

en: Heat sink length x_{max}
uk: Довжина радіатора x_{max}

en: Conductivity of heat sink z_{min}
uk: Провідність радіатора z_{min}

en: Heat sink length z_{min}
uk: Довжина радіатора z_{min}

en: Exciton density at z_{max}
uk: Густина екситонів при z_{max}

en: Conductivity of heat sink z_{max}
uk: Провідність радіатора z_{max}

en: Heat sink length z_{max}
uk: Довжина радіатора z_{max}

en: <b>Auger recombination</b>
uk: <b>Рекомбінація шнека</b>

en: Auger C_{n}
uk: Шнек C_{n}

en: Auger C_{p}
uk: Шнек C_{p}

en: Start temperature
uk: Початкова температура

en: Stop temperature
uk: Температура зупинки

en: Temperature steps
uk: Температурні ступені

en: Perovskite ion density
uk: Щільність іонів перовскіту

en: Doping density (x=0)
uk: Щільність легування (x=0)

en: Doping density (x=max)
uk: Щільність легування (x=max)

en: n_{free} to p_{free} Recombination rate constant
uk: n_{free} до p_{free} Константа швидкості рекомбінації

en: <b>Electrostatics</b>
uk: <b>Електростатика</b>

en: Eg
uk: напр

en: <b>Excited states</b>
uk: <b>Збуджені стани</b>

en: Forster transfer rate
uk: Швидкість передачі Forster

en: Host singlet-exciton decay rate
uk: Швидкість розпаду синглетного екситону вузла

en: Host inter-system crossing rate
uk: Швидкість міжсистемного перетину хоста

en: Host singlet-singlet annihilation (SSA) rate
uk: Швидкість синглет-синглетної анігіляції (SSA) господаря

en: Host singlet-polaron annihilation (SPA) rate
uk: Швидкість анігіляції синглет-полярону (SPA) господаря

en: Host singlet-triplet annihilation (STA) rate
uk: Швидкість синглет-триплетної анігіляції (STA) господаря

en: Dexter transfer rate
uk: Швидкість передачі Dexter

en: Host triplet decay rate
uk: Швидкість розпаду триплету хазяїна

en: Host triplet-polaron annihilation (TPA) rate
uk: Швидкість анігіляції триплет-поляронів (TPA).

en: Host triplet-triplet annihilation (TTA) rate
uk: Швидкість триплет-триплетної анігіляції (TTA) господаря

en: Dopant singlet-exciton decay rate
uk: Швидкість розпаду синглетного екситону допанту

en: Dopant inter-system crossing rate
uk: Швидкість міжсистемного перетину допантів

en: Dopant singlet-polaron annihilation (SPA) rate
uk: Швидкість анігіляції синглет-поляронів (SPA).

en: Dopant singlet-triplet annihilation (STA) rate
uk: Швидкість синглетно-триплетної анігіляції (STA) допанту

en: Dopant singlet-singlet annihilation (SSA) rate
uk: Швидкість синглет-синглетної анігіляції допанту (SSA).

en: Dopant triplet decay rate
uk: Швидкість триплетного розпаду допанту

en: Dopant triplet-triplet annihilation (TTA) rate
uk: Швидкість триплет-триплетної анігіляції (TTA) допанту

en: Dopant triplet-polaron annihilation (TPA) rate
uk: Швидкість анігіляції триплет-поляронів (TPA).

en: Confinement factor
uk: Коефіцієнт конфайнменту

en: Dopant concentration
uk: Концентрація допанту

en: Spectral overlap
uk: Спектральне перекриття

en: k_{RISC} Reverse Inter-System crossing rate
uk: k_{RISC} Швидкість зворотного міжсистемного перетину

en: \u03C3_{em} Stimulated Emission cross section
uk: \u03C3_{em} Переріз стимульованого випромінювання

en: \u03C3_{t1tn} Triplet Absorption cross section
uk: \u03C3_{t1tn} Переріз триплетного поглинання

en: \u03C3_{n,p} Polaron Absorption cross section
uk: \u03C3_{n,p} Переріз поглинання полярона

en: e-h separation distance
uk: e-h відстань поділу

en: <b>Photon rate equation</b>
uk: <b>Рівняння швидкості фотонів</b>

en: Spontaneous emission factor
uk: Коефіцієнт спонтанної емісії

en: Cavity photon decay rate
uk: Швидкість розпаду фотонів резонатора

en: Density of guest molecules
uk: Щільність молекул-гостей

en: \u03BE Stimulated emission gain coefficient
uk: \u03BE Коефіцієнт посилення стимульованої емісії

en: <b>Excited states for OPV</b>
uk: <b>Збуджені стани для OPV</b>

en: Decay of singlets to 1C (k_{ds})
uk: Розпад синглетів до 1C (k_{ds})

en: Inter system crossing (k_{isc})
uk: Міжсистемний перетин (k_{isc})

en: Reverse inter system crossing (k_{risc})
uk: Зворотний міжсистемний перетин (k_{risc})

en: Triplet-triplet annihilation (k_{tta})
uk: Триплет-триплет анігіляції (k_{tta})

en: Singlet-triplet annihilation (k_{sta})
uk: Синглет-триплетна анігіляція (k_{sta})

en: Singlet-singlet annihilation (k_{ssa})
uk: Синглет-синглетна анігіляція (k_{ssa})

en: Alpha fraction (alpha)
uk: Альфа-дріб (альфа)

en: Singlet to ground state (k_{fs})
uk: Синглет до основного стану (k_{fs})

en: Decay of triplets (k_{dt})
uk: Розпад триплетів (k_{dt})

en: Triplet to ground state (k_{ft})
uk: Триплет до основного стану (k_{ft})

en: Decay of 3C to np (k_{dct})
uk: Розпад 3C до np (k_{dct})

en: Inter system crossing CT (k_{isc ct})
uk: Міжсистемний перетин CT (k_{isc ct})

en: Reverse inter system crossing CT (k_{risc ct})
uk: Зворотний міжсистемний перетин CT (k_{risc ct})

en: 3C and 1C to ground state (k_{f})
uk: 3C і 1C до основного стану (k_{f})

en: Blended material
uk: Змішаний матеріал

en: Eg_{0}
uk: Наприклад_{0}

en: Eg_{1}
uk: Наприклад_{1}

en: Thermal conductivity
uk: Теплопровідність

en: Electron relaxation time
uk: Час релаксації електронів

en: Hole relaxation time
uk: Час релаксації отвору

en: Density
uk: Щільність

en: Cost per Kg
uk: Вартість за кг

en: Energy per Kg
uk: Енергія на кг

en: Link
uk: Посилання

en: Shunt resistivity
uk: Питомий опір шунта

en: Series resistivity
uk: Послідовний питомий опір

en: Series resistivity z
uk: Послідовний питомий опір z

en: Series resistivity x
uk: Послідовний питомий опір х

en: Series resistivity y
uk: Послідовний питомий опір y

en: Layer ideality factor
uk: Фактор ідеальності шару

en: Reverse bias current
uk: Зворотний струм зміщення

en: Enable optical charge
    carrier generation
uk: Увімкнути генерацію носія
    оптичного заряду

en: Scan section
uk: Розділ сканування

en: Whole device
uk: Цілий пристрій

en: Box section
uk: Коробчатий перетин

en: x-start
uk: x-старт

en: z-start
uk: z-початок

en: x-stop
uk: х-стоп

en: z-stop
uk: z-стоп

en: Dump only at end
uk: Дамп тільки в кінці

en: Shape type
uk: Тип форми

en: Rotate around y-axis
uk: Обертання навколо осі y

en: y-axis
uk: вісь y

en: x-axis
uk: вісь х

en: Rotate around x-axis
uk: Обертання навколо осі х

en: dx of the object
uk: dx об'єкта

en: dy of the object
uk: dy об'єкта

en: dz of the object
uk: дз об'єкта

en: padding
uk: оббивка

en: dz padding
uk: дз відступ

en: Number of objects x
uk: Кількість об'єктів х

en: Number of objects
uk: Кількість об'єктів

en: Number of objects y
uk: Кількість об'єктів y

en: Number of objects z
uk: Кількість об'єктів z

en: <b>Object</b>
uk: <b>Об'єкт</b>

en: <b>Attributes</b>
uk: <b>Атрибути</b>

en: x offset
uk: x зміщення

en: Offset
uk: Зсув

en: y offset
uk: y зсув

en: z offset
uk: z зміщення

en: Web page link
uk: Посилання на веб-сторінку

en: Text label
uk: Текстова мітка

en: Texture
uk: Текстура

en: Circuit model
    parameters
uk: Параметри
    моделі схеми

en: Color
uk: Колір

en: Interface model
uk: Модель інтерфейсу

en: None
uk: Жодного

en: Free-to-Free
uk: Безкоштовно-безкоштовно

en: Recombination constant
uk: Константа рекомбінації

en: Interface doping LHS
uk: Інтерфейс легування LHS

en: Doping LHS
uk: Допінг LHS

en: Electron tunneling
uk: Електронне тунелювання

en: Electron tunneling (T)
uk: Електронне тунелювання (T)

en: Hole tunneling
uk: Тунелювання отвору

en: Hole tunneling (T)
uk: Тунелювання отвору (T)

en: Interface doping RHS
uk: Інтерфейс легування RHS

en: Doping RHS
uk: Допінг RHS

en: startime
uk: час початку

en: den
uk: ден

en: externalv
uk: зовнішнійv

en: stark
uk: суворий

en: Website
uk: Веб-сайт

en: Author
uk: Автор

en: Journal
uk: журнал

en: Title
uk: Назва

en: Volume
uk: Обсяг

en: Pages
uk: сторінки

en: Year
uk: рік

en: Book title
uk: Назва книги

en: Publisher
uk: Видавець

en: Scraped text
uk: Вискоблений текст

en: Efficiency of light
uk: Ефективність світла

en: subtract DC
uk: відняти DC

en: External load resistor
uk: Зовнішній резистор навантаження

en: Material type
uk: Тип матеріалу

en: Organic
uk: Органічний

en: Oxide
uk: Оксид

en: Inorganic
uk: неорганічні

en: Metal
uk: метал

en: Other
uk: Інший

en: Transparency
uk: Прозорість

en: Privicy options
uk: Параметри конфіденційності

en: Public - everyone
uk: Громадські – всі

en: Public - within org
uk: Загальнодоступний – в межах орг

en: Private - never publish
uk: Приватне - ніколи не публікувати

en: Change log
uk: Журнал змін

en: Use external
    voltage as stop
uk: Використовуйте зовнішню
    напругу як зупинку

en: <b>Output</b>
uk: <b>Вихід</b>

en: Dump trap distribution
uk: Розподіл відвалів

en: False
uk: помилковий

en: Energy space map
uk: Енергетична космічна карта

en: Single mesh point
uk: Одна точка сітки

en: Power conversion efficiency (PCE)
uk: Ефективність перетворення потужності (PCE)

en: Fill factor
uk: Коефіцієнт заповнення

en: Max power
uk: Максимальна потужність

en: Voltage at max power
uk: Напруга при максимальній потужності

en: Current density at max power
uk: Щільність струму при максимальній потужності

en: Current density at Voc
uk: Щільність струму при Voc

en: Theta_{SRH} - free P_{max}
uk: Theta_{SRH} - вільний P_{max}

en: Theta_{SRH} - free-trap P_{max}
uk: Theta_{SRH} - вільна пастка P_{max}

en: Recombination time constant
uk: Постійна часу рекомбінації

en: Device capacitance
uk: Ємність приладу

en: Photos absorbed in active layer
uk: Фотографії, поглинені активним шаром

en: Peak height Rp
uk: Висота піку Rp

en: RMS height Rq
uk: Середньоквадратична висота Rq

en: Average height Ra
uk: Середня висота Ra

en: dV step
uk: крок dV

en: Left hole density
uk: Щільність лівого отвору

en: Left electron density
uk: Ліва електронна густина

en: Right hole density
uk: Правильна щільність отворів

en: Right electron density
uk: Права електронна густина

en: Built in potential
uk: Вбудований потенціал

en: Electron affinity left
uk: Спорідненість до електрона вліво

en: Electron affinity right
uk: Електронна спорідненість справа

en: <b>CPU</b>
uk: <b>ЦП</b>

en: Number of threads used by the backend
uk: Кількість потоків, які використовує сервер

en: No threading
uk: Без різьби

en: Maximum number of core instances
uk: Максимальна кількість примірників ядра

en: Path to source code
uk: Шлях до вихідного коду

en: Path to compiled libs for cluster
uk: Шлях до скомпільованих бібліотек для кластера

en: Make command
uk: Зробіть команду

en: exe name
uk: ім'я exe

en: Store DoS on disk
uk: Зберігайте DoS на диску

en: Remote cluster directory
uk: Каталог віддаленого кластера

en: Remote node list
uk: Список віддалених вузлів

en: x-triangles
uk: х-трикутники

en: y-triangles
uk: y-трикутники

en: Method
uk: метод

en: Node reduce
uk: Вузол зменшити

en: No reduce
uk: Без зменшення

en: Min allowable angle
uk: Мінімально допустимий кут

en: Gaussian blur
uk: Gaussian Blur

en: Percent of histogram to ignore
uk: Відсоток гістограми, який потрібно ігнорувати

en: Sigma of gaussian
uk: Сигма гауса

en: Gaussian offset x
uk: Гаусове зміщення x

en: Gaussian offset y
uk: Гаусове зміщення y

en: Threshold value
uk: Порогове значення

en: dr
uk: доктор

en: offset
uk: зсув

en: Lens type
uk: Тип лінзи

en: Convex
uk: Опукла

en: Concave
uk: Увігнутий

en: Lens size
uk: Розмір лінзи

en: length
uk: довжина

en: Waveform
uk: Форма хвилі

en: Square
uk: Майдан

en: Saw wave
uk: Побачив хвилю

en: pixels
uk: пікселів

en: Boundary x0
uk: Межа х0

en: Boundary x1
uk: Межа х1

en: Boundary y0
uk: Кордон y0

en: Boundary y1
uk: Кордон y1

en: <b>Fist iteration</b>
uk: <b>Перша ітерація</b>

en: Max Electrical iterations (first step)
uk: Макс. електричні ітерації (перший крок)

en: Electrical clamp (first step)
uk: Електричний затискач (перший крок)

en: Desired solver error (first step)
uk: Бажана помилка розв’язувача (перший крок)

en: <b>Later iterations</b>
uk: <b>Пізніші ітерації</b>

en: Max electrical iterations
uk: Максимальна кількість електричних ітерацій

en: Electrical clamp
uk: Електричний затискач

en: Desired solver error
uk: Бажана помилка розв’язувача

en: <b>Exit strategy</b>
uk: <b>Стратегія виходу</b>

en: Newton minimum iterations
uk: Мінімальні ітерації Ньютона

en: <b>Solver type</b>
uk: <b>Тип розв'язувача</b>

en: dll name
uk: ім'я dll

en: Complex matrix solver to use
uk: Розв’язувач складних матриць для використання

en: Quit on convergence problem
uk: Вийти з проблеми конвергенції

en: Quit on inverted Fermi-level
uk: Вийти на інвертованому рівні Фермі

en: Circuit diagram mode
uk: Режим електричної схеми

en: Hand drawn
uk: боку звернено

en: From layer structure
uk: Від шарової структури

en: From electrical mesh
uk: З електросітки

en: Poisson solver max iterations
uk: Максимальні ітерації вирішувача Пуассона

en: Poisson clamping
uk: Пуассонівське затискання

en: Enable poisson solver
uk: Увімкнути розв’язувач Пуасона

en: Output verbosity to disk
uk: Вивести багатослівність на диск

en: Nothing
uk: нічого

en: Write everything to disk
uk: Записати все на диск

en: Matrix solver
uk: Вирішувач матриць

en: Newton solver to use
uk: Розв’язувач Ньютона для використання

en: Slotboom T0
uk: Слотбом Т0

en: Slotboom D0
uk: Слотбум D0

en: Slotboom n0
uk: Слотбум №0

en: Calculate current at
uk: Розрахувати струм при

en: Mid point
uk: Середня точка

en: Solve Kirchhoff's current law in Newton solver
uk: Розв’яжіть поточний закон Кірхгофа в розв’язнику Ньютона

en: filename
uk: ім'я файлу

en: Keep sign for log y
uk: Зберігайте знак для журналу y

en: Point to normalize
uk: Точка для нормалізації

en: Fit against simulation
uk: Підходить проти симуляції

en: File or token banned
uk: Файл або маркер заборонено

en: EQE Voltage
uk: Напруга EQE

en: Optical power
uk: Оптична сила

en: Single optical power
uk: Одна оптична потужність

en: Optical power start
uk: Пуск оптичної потужності

en: Optical power stop
uk: Зупинка оптичної потужності

en: Use electrical DoS at low energy
uk: Використовуйте електричний DoS за низької енергії

en: Max iterations
uk: Максимальна кількість ітерацій

en: Number of x eigenmodes
uk: Кількість x власних мод

en: Number of y eigenmodes
uk: Кількість y власних мод

en: Transverse Electric (TE)
uk: Поперечний електричний (TE)

en: Transverse Magnetic (TM)
uk: Поперечний магніт (TM)

en: Find only fundamental
uk: Знайти тільки фундаментальні

en: Thermal model type
uk: Тепловий тип моделі

en: Hydrodynamic
uk: Гідродинамічний

en: Lattice heat
uk: Гратчасте тепло

en: Device temperature at y_{max}
uk: Температура пристрою при y_{max}

en: Device temperature at x_{max}
uk: Температура пристрою при x_{max}

en: Device temperature at z_{max}
uk: Температура пристрою при z_{max}

en: Lattice heat model
uk: Граткова теплова модель

en: Electron heat model
uk: Модель електронного тепла

en: Hole heat model
uk: Теплова модель отвору

en: Max thermal solver iterations
uk: Максимальна кількість ітерацій термічного вирішувача

en: Desired thermal error
uk: Бажана теплова похибка

en: Force use of thermal mesh
uk: Примусове використання термосітки

en: Minimum device temperature
uk: Мінімальна температура пристрою

en: Maximum device temperature
uk: Максимальна температура пристрою

en: Thermal mesh points
uk: Термічні точки сітки

en: Interpolate
uk: Інтерполяція

en: Constant
uk: Постійний

en: Boundary value for y_{min}
uk: Граничне значення для y_{min}

en: Boundary value for y_{max}
uk: Граничне значення для y_{max}

en: Boundary value for x_{min}
uk: Граничне значення для x_{min}

en: Boundary value for x_{max}
uk: Граничне значення для x_{max}

en: Couple to electrical solver
uk: Пара до електричного розв’язника

en: Dump slices
uk: Звалювати скибочки

en: Dump dynamic
uk: Дамп динамічний

en: Write out band structure
uk: Випишіть структуру смуги

en: Write newton solver convergence to disk
uk: Записати конвергенцію розв’язувача Ньютона на диск

en: Print poisson solver convergence
uk: Конвергенція розв'язувача Пуассона

en: Normalize output x-time to one
uk: Нормалізуйте вихід x-time до одиниці

en: Dump the built in voltage.
uk: Зніміть вбудовану напругу.

en: Dump optical probe spectrum
uk: Дамп спектру оптичного зонду

en: Write file access log to disk.
uk: Записати журнал доступу до файлів на диск.

en: Write headers to output files
uk: Запис заголовків у вихідні файли

en: Write first guess to equations
uk: Напишіть першу припущення до рівнянь

en: Log verbocity
uk: Багатослівність журналу

en: Screen
uk: Екран

en: Disk
uk: диск

en: Screen and disk
uk: Екран і диск

en: PL dump Energy
uk: PL дамп Енергія

en: Clean up DoS cache files
uk: Очистіть файли кешу DoS

en: Write binary data where possible
uk: Запишіть двійкові дані, де це можливо

en: Probe enabled
uk: Зонд увімкнено

en: Probe type
uk: Тип зонда

en: Device state
uk: Стан пристрою

en: Jsc
uk: АТ

en: <b>Run control</b>
uk: <b>Запуск керування</b>

en: <b>Solver control</b>
uk: <b>Керування розв'язувачем</b>

en: Dump absorption profile
uk: Профіль поглинання скиду

en: Run the ray tracer
uk: Запустіть трасувальник променів

en: When called
uk: При виклику

en: Once per simulation
uk: Один раз на симуляцію

en: Each simulation step
uk: Кожен крок моделювання

en: Every nth simulation step
uk: Кожен n-й крок моделювання

en: Each n steps
uk: Кожні n кроків

en: Theta steps
uk: Тета кроки

en: Theta start
uk: Тета початок

en: Theta stop
uk: Тета стоп

en: Phi steps
uk: Фі кроки

en: Phi start
uk: Фі старт

en: Phi stop
uk: Фі стоп

en: Escape bins
uk: Евакуаційні контейнери

en: Emit from
uk: Випромінювати з

en: Center of each layer
uk: Центр кожного шару

en: Each electrical mesh point
uk: Кожна точка електричної сітки

en: Center of y slice
uk: Центр y зрізу

en: Super sample x
uk: Супер зразок х

en: Super sample x points
uk: Супер зразок х балів

en: <b>Ray tracing</b>
uk: <b>Трасування променів</b>

en: Minimum ray intensity
uk: Мінімальна інтенсивність променя

en: Maximum number of bounces
uk: Максимальна кількість відскоків

en: Simulate transmitted rays
uk: Імітація променів, що проходять

en: Simulate reflected rays
uk: Імітація відбитих променів

en: Mesh points x
uk: Точки сітки x

en: Mesh points z
uk: Точки сітки z

en: <b>Detector</b>
uk: <b>Детектор</b>

en: LED extraction efficiency
uk: Ефективність відведення світлодіодів

en: Series resistance
uk: Послідовний опір

en: Other layers
uk: Інші шари

en: debug (ignore)
uk: налагодити (ігнорувати)

en: Contact charge density
uk: Контактна щільність заряду

en: Contact position
uk: Контактна позиція

en: top
uk: зверху

en: bottom
uk: дно

en: right
uk: правильно

en: left
uk: зліва

en: Charge type
uk: Тип заряду

en: Electron
uk: Електрон

en: Hole
uk: отвір

en: Physical model
uk: Фізична модель

en: Ohmic
uk: Омічний

en: Schottky
uk: Шотткі

en: Automatic remesh x
uk: Автоматичне відновлення x

en: Automatic remesh y
uk: Автоматичне відновлення y

en: Automatic remesh z
uk: Автоматичне повторення z

en: Left/Right
uk: Ліво право

en: Mesh dy
uk: Сітка ди

en: n_{free} to p_{free} photon generation efficiency
uk: Ефективність генерації фотонів від n_{free} до p_{free}

en: n_{free} to n_{trap} photon generation efficiency
uk: Ефективність генерації фотонів від n_{free} до n_{trap}

en: n_{trap} to p_{free} photon generation efficiency
uk: Ефективність генерації фотонів від n_{trap} до p_{free}

en: p_{trap} to n_{free} photon generation efficiency
uk: ефективність генерації фотонів від p_{trap} до n_{free}

en: p_{free} to p_{trap} photon generation efficiency
uk: p_{free} до p_{trap} ефективність генерації фотонів

en: Experimental emission spectra
uk: Експериментальні спектри випромінювання

en: Icon
uk: значок

en: Experimental emission efficiency
uk: Експериментальна емісійна ефективність

en: Use experimental emission spectra
uk: Використовуйте експериментальні спектри випромінювання

en: Free-to-free emission
uk: Безкоштовна емісія

en: Free-to-trap emission
uk: Free-to-trap емісія

en: Load resistor
uk: Резистор навантаження

en: fx domain mesh points
uk: точки сітки домену fx

en: Cycles to simulate
uk: Цикли для моделювання

en: Voltage modulation depth
uk: Глибина модуляції напруги

en: Excite with
uk: Хвилювати с

en: Light
uk: світло

en: Measure
uk: Виміряти

en: Light modulation depth
uk: Глибина модуляції світла

en: Run fit after simulation
uk: Запустіть форму після симуляції

en: Periods to fit
uk: Періоди, щоб відповідати

en: Normalize transfer functon by light intensity
uk: Нормалізуйте функцію передачі за інтенсивністю світла

en: di
uk: ди

en: dmodulation
uk: dмодуляція

en: Simulation type
uk: Тип моделювання

en: Large signal
uk: Великий сигнал

en: Fourier
uk: Фур'є

en: Node list
uk: Список вузлів

en: Initialization vector
uk: Вектор ініціалізації

en: Cryptographic key
uk: Криптографічний ключ

en: Intensity of the sun
uk: Інтенсивність сонця

en: #saturation_n0
uk: #насиченість_n0

en: #saturation_rate
uk: #швидкість_насичення

en: Absorption of material
uk: Поглинання матеріалу

en: Simulation mode
uk: Режим моделювання

en: start voltage
uk: початкова напруга

en: Max voltage
uk: Максимальна напруга

en: Invert output
uk: Інвертувати вихід

en: Use capacitor
uk: Використовуйте конденсатор

en: External C
uk: Зовнішній C

en: External R
uk: Зовнішній Р

en: Resistance of scope
uk: Опір розмаху

en: Photon Flux
uk: Фотонний потік

en: device width
uk: ширина пристрою

en: device breadth
uk: ширина пристрою

en: Start light intensity
uk: Почніть інтенсивність світла

en: Stop light intensity
uk: Зупинка інтенсивності світла

en: Numer of steps
uk: Кількість кроків

en: CE light on time
uk: CE світло вчасно

en: CE light off time
uk: Час вимкнення світла CE

en: Automatic world size
uk: Автоматичний розмір світу

en: World fills mesh
uk: Світ заповнює сітку

en: margin x0
uk: запас х0

en: margin x1
uk: поле x1

en: margin y0
uk: маржа y0

en: margin y1
uk: запас y1

en: margin z0
uk: запас z0

en: margin z1
uk: запас z1

en: Active layer width
uk: Ширина активного шару

en: Reset time to zero each cycle
uk: Скидання часу до нуля кожного циклу

en: OpenCL GPU acceleration
uk: Прискорення GPU OpenCL

en: GPU name
uk: Назва GPU

en: <b>Excitation type</b>
uk: <b>Тип збудження</b>

en: FDTD Slice
uk: Зріз FDTD

en: Sin
uk: гріх

en: Pulse
uk: Пульс

en: Start wavelength
uk: Початкова довжина хвилі

en: Stop wavelength
uk: Стоп-довжина хвилі

en: Wavelength steps
uk: Кроки довжини хвилі

en: Pulse length
uk: Довжина імпульсу

en: Excite Ex
uk: Хвилювати Ex

en: Excite Ey
uk: Хвилювати Ей

en: Excite Ez
uk: Хвилювати Ез

en: <b>FDTD mesh</b>
uk: <b>Сітка FDTD</b>

en: zy
uk: зи

en: Mesh points y
uk: Точки сітки y

en: Use gnuplot to visualize
uk: Використовуйте gnuplot для візуалізації

en: <b>Simulation time</b>
uk: <b>Час симуляції</b>

en: Stop time
uk: Зупинити час

en: Max steps
uk: Макс кроків

en: Key results
uk: Ключові результати

en: Write everything to disk every 2nd step
uk: Записуйте все на диск кожен другий крок

en: Write everything to disk every 5th step
uk: Записуйте все на диск кожен 5-й крок

en: Write everything to disk every 10th step
uk: Записуйте все на диск кожен 10-й крок

en: Output verbosity to screen
uk: Виведення багатослівності на екран

en: Show lots
uk: Показати лоти

en: Show key results
uk: Показати ключові результати

en: Solver output verbosity
uk: Багатослівність вихідних даних розв’язувача

en: As answers are found
uk: Як знаходять відповіді

en: Each step
uk: Кожен крок

en: Source
uk: Джерело

en: x rotation
uk: х обертання

en: y rotation
uk: y обертання

en: z rotation
uk: z обертання

en: x pos
uk: x поз

en: y pos
uk: y поз

en: zoom
uk: збільшити

en: The following erros/warning were found while running the simulations:
uk: Під час моделювання було виявлено наступні помилки/попередження:

en: Output vectors for
uk: Вихідні вектори для

en: ML Token
uk: Токен ML

en: Symmetric
uk: Симетричний

en: Asymmetric
uk: Асиметричний

en: Gaussian
uk: гаусівський

en: Lorentzian
uk: Лоренціан

en: Colors
uk: Кольори

en: Save as
uk: Зберегти як

en: Save as image
uk: Зберегти як зображення

en: Save as gobj
uk: Зберегти як gobj

en: Optical
uk: Оптичний

en: Show photons
uk: Покажіть фотони

en: FDTD grid
uk: Сітка FDTD

en: Optical mode
uk: Оптичний режим

en: Rays
uk: Промені

en: Solid rays
uk: Суцільні промені

en: Show detectors
uk: Показати детектори

en: Electrical mesh
uk: Електрична сітка

en: Show device
uk: Показати пристрій

en: Grid
uk: Сітка

en: Coordinates
uk: Координати

en: Show text
uk: Показати текст

en: Show Dimensions
uk: Показати розміри

en: Show plot
uk: Показати сюжет

en: Transparent objects
uk: Прозорі об'єкти

en: Ray tracing mesh
uk: Сітка трасування променів

en: Show world box
uk: Показати світову коробку

en: Lock view
uk: Заблокувати перегляд

en: Show gl lights
uk: Показати вогні gl

en: Show buttons
uk: Показати кнопки

en: Stars
uk: Зірки

en: Font
uk: Шрифт

en: Background color
uk: Колір фону

en: Interface background color
uk: Колір фону інтерфейсу

en: Interface text color
uk: Колір тексту інтерфейсу

en: Objects
uk: Об'єкти

en: New free object
uk: Новий вільний об'єкт

en: New light source
uk: Нове джерело світла

en: New detector
uk: Новий детектор

en: Rescale
uk: Змінити масштаб

en: Object tree
uk: Дерево об'єктів

en: Copy image
uk: Копіювати зображення

en: Object tree viewer
uk: Переглядач дерева об'єктів

en: Device view
uk: Вид пристрою

en: Charge extraction experiment window
uk: Вікно експерименту з виділення заряду

en: You've made a mistake in the equation, use w for wavelength.
uk: Ви зробили помилку в рівнянні, використовуйте w для довжини хвилі.

en: Are you sure you wisht to import this, it will overwrite
uk: Ви впевнені, що хочете імпортувати це, воно буде перезаписано

en: Equation editor
uk: Редактор формул

en: Import
    into model
uk: Імпорт
    до моделі

en: Add section
uk: Додати розділ

en: Delete section
uk: Видалити розділ

en: Your version of OghmaNano is now out of date. To continue using OghmaNano please download a new version at https://www.oghma-nano.com.
uk: Ваша версія OghmaNano зараз застаріла. Щоб продовжити використовувати OghmaNano, будь ласка, завантажте нову версію на https://www.oghma-nano.com.

en: <big><b>Update available!</b></big><br>Download it now from <a href="
uk: <big><b>Доступне оновлення!</b></big><br>Завантажте його зараз із <a href="

en: Optical detectors editor
uk: Редактор оптичних детекторів

en: Ions
uk: Іони

en: Doping/Mobilie ion profile editor
uk: Редактор профілю допінгу/мобільних іонів

en: New emission spectra name:
uk: Нова назва спектру випромінювання:

en: New emission spectra name
uk: Нова назва спектрів випромінювання

en: New spectra name:
uk: Нова назва спектра:

en: New spectra name
uk: Нова назва спектра

en: New material name:
uk: Назва нового матеріалу:

en: New material name
uk: Нова назва матеріалу

en: I cant write to:
uk: Я не можу написати:

en: New filter name:
uk: Нова назва фільтра:

en: New filter name
uk: Нова назва фільтра

en: New directory name:
uk: Нова назва каталогу:

en: New directory
uk: Новий каталог

en: Save a the simulation as
uk: Збережіть симуляцію як

en: Directory
uk: Довідник

en: Simulation information
uk: Інформація про моделювання

en: Orthographic
uk: Орфографічний

en: Fly
uk: Літати

en: Running job
uk: Поточна робота

en: The file to import:
uk: Файл для імпорту:

en: The imported file, the numbers should now be in SI units
uk: Імпортований файл, числа тепер мають бути в одиницях СІ

en: x units:
uk: х одиниць:

en: y units:
uk: y одиниць:

en: Title:
uk: Назва:

en: x-label:
uk: х-мітка:

en: x-column:
uk: х-стовпець:

en: y-label:
uk: y-мітка:

en: y-column:
uk: y-стовпець:

en: device area:
uk: область пристрою:

en: Can not load file
uk: Неможливо завантажити файл

en: I can't read the file:
uk: Я не можу прочитати файл:

en: I can only read plain text files such as csv formats. I can not read binary files such as excel documents.
uk: Я можу читати лише звичайні текстові файли, такі як формати CSV. Я не можу читати двійкові файли, наприклад документи Excel.

en: Photonenergy
uk: Фотоенергія

en: J
uk: Дж

en: Amps
uk: ампер

en: Amps - no convert
uk: Ампери - без конвертації

en: I
uk: я

en: -Voltage
uk: -Напруга

en: Angular frequency
uk: Кутова частота

en: Attenuation coefficient
uk: Коефіцієнт ослаблення

en: Intensity
uk: Інтенсивність

en: mA
uk: мА

en: Simulation notes
uk: Нотатки моделювання

en: Bibtex reference
uk: Довідник Bibtex

en: Simulation Notes
uk: Примітки до моделювання

en: Simulation snapshots
uk: Знімки моделювання

en: Running:
uk: Запуск:

en: I could not find a free cpu to run the command on
uk: Я не міг знайти вільний процесор для виконання команди

en: CPU
uk: ЦП

en: Nodes
uk: Вузли

en: Generate keys
uk: Генерувати ключі

en: Install to cluster
uk: Встановити в кластер

en: Boot cluster
uk: Завантажувальний кластер

en: Stop cluster
uk: Зупинити кластер

en: Remove from cluster
uk: Видалити з кластера

en: CV experiment window
uk: Вікно експерименту CV

en: Doping/
    Ions
uk: Легування/
    Іони

en: Material
    Gradients
uk: Матеріал
    Градієнти

en: Interfaces
uk: Інтерфейси

en: Parasitic
     components
uk: Паразитні
     компоненти

en: Mobile
    Ion solver
uk: Розв'язувач
    мобільних іонів

en: Electrical
    mesh
uk: Електрична
    сітка

en: <big><b>Interface editor</b></big>
    Use this window to edit how electrical interfaces behave.
uk: <big><b>Редактор інтерфейсу</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб змінити поведінку електричних інтерфейсів.

en: Electrical boundary conditions
uk: Електричні граничні умови

en: Excitonic boundary conditions
uk: Екситонні граничні умови

en: <big><b>Doping window</b></big>
    Use this window to add doping to the simulation
uk: <big><b>Вікно допування</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб додати допінг до симуляції

en: <big><b>Gradients window</b></big>
    Use this window to add doping to the simulation
uk: <big><b>Вікно градієнтів</b></big>
    Використовуйте це вікно, щоб додати легування до симуляції

en: <big><b>Parasitic components</b></big>
    Use this window to edit the shunt and series resistance.
uk: <big><b>Паразитні компоненти</b></big>
    Використовуйте це вікно для редагування шунта та послідовного опору.

en: Load type
uk: Тип навантаження

en: Multiplyer
uk: Мультиплікатор

en: External
    interface:
uk: Зовнішній
    інтерфейс:

en: External
    Reflection
uk: Зовнішнє
    відбиття

en: Reflective interface editor
uk: Світловідбиваючий редактор інтерфейсу

en: Connect to cluster
uk: Підключитися до кластера

en: Connect
uk: Підключитися

en: Disconnect
uk: Відключити

en: Cancel
uk: Скасувати

en: <big><b>The device structure tab</b></big>
     Use this tab to change the structure of the device, the layer thicknesses and to perform optical simulations.  You can also browse the materials data base and  edit the electrical mesh.
uk: <big><b>Вкладка «Структура пристрою»</b></big>
     Використовуйте цю вкладку, щоб змінити структуру пристрою, товщину шарів і виконати оптичне моделювання. Ви також можете переглядати базу даних матеріалів і редагувати електросітку.

en: <big><b>Update available!</b></big><br>
uk: <big><b>Доступне оновлення!</b></big><br>

en: File to plot
uk: Файл для малювання

en: Plot type
uk: Тип сюжету

en: Play
uk: грати

en: Snapshot slider
uk: Повзунок знімка

en: Fit variables duplicate window
uk: Вікно копії відповідних змінних

en: Destination
uk: Пункт призначення

en: Source (JSON)
uk: Джерело (JSON)

en: Destination (JSON)
uk: Місце призначення (JSON)

en: Open data file
uk: Відкрити файл даних

en: Load/Import
uk: Завантажити/Імпортувати

en: Next
uk: Далі

en: Online help
uk: Онлайн довідка

en: On line help
uk: Он-лайн допомога

en: Hide
uk: Сховати

en: OghmaNano in your language!
uk: OghmaNano твоєю мовою!

en: OghmaNano translated by:
uk: Переклав OghmaNano:

en: Dimension editor
uk: Редактор розмірів

en: Substrate xz size
uk: Розмір підкладки xz

en: World size
uk: Світовий розмір

en: Select simulation parameter
uk: Виберіть параметр симуляції

en: OK
uk: в порядку

en: No row selected in the scan window, can't insert the selection
uk: У вікні сканування не вибрано жодного рядка, не вдається вставити виділення

en: New material
uk: Новий матеріал

en: New spectra
uk: Нові спектри

en: New shape
uk: Нова форма

en: New filter
uk: Новий фільтр

en: Unpack archive
uk: Розпакувати архів

en: Clone the file to be called:
uk: Клонуйте файл, який потрібно викликати:

en: The file name already exists
uk: Назва файлу вже існує

en: Rename the simulation to be called:
uk: Перейменуйте симуляцію на назву:

en: Are you sure you want to delete the files ?
uk: Ви впевнені, що хочете видалити файли?

en: You should now have a sim.json file in:
uk: Тепер у вас має бути файл sim.json у:

en: Open this directory to see it.
uk: Відкрийте цей каталог, щоб побачити його.

en: Image
uk: Зображення

en: Text file (txt)
uk: Текстовий файл (txt)

en: Graph
uk: Графік

en: Show title
uk: Показати назву

en: Show key
uk: Показати ключ

en: Light source editor
uk: Редактор джерел світла

en: Rebuild
uk: Перебудувати

en: Electrical parameters
uk: Електричні параметри

en: <big><b>Electrical parameters</b></big><br>Use this tab to configure the electrical parameters for the material.
uk: <big><b>Електричні параметри</b></big><br>Використовуйте цю вкладку, щоб налаштувати електричні параметри для матеріалу.

en: <big><b>Absorption</b></big><br>
uk: <big><b>Поглинання</b></big><br>

en: <big><b>Refractive index</b></big><br>
uk: <big><b>Показник заломлення</b></big><br>

en: <big><b>Emission spectrum</b></big><br>Use this tab to edit the emission spectrum.
uk: <big><b>Спектр випромінювання</b></big><br>Використовуйте цю вкладку, щоб редагувати спектр випромінювання.

en: Material editor
uk: Редактор матеріалів

en: Thermal parameters
uk: Теплові параметри

en: Life cycle
uk: Життєвий цикл

en: Refractive index (n)
uk: Показник заломлення (n)

en: Don't run me as root!!
uk: Не запускайте мене як root!!

en: I can't run from inside a zip file!
uk: Я не можу запустити з файлу zip!

en: <big><b>New simulation!</b></big><br> Now selected the type of device you would like to simulate.
uk: <big><b>Нова симуляція!</b></big><br> Тепер вибрано тип пристрою, який ви хочете імітувати.

en: <big><b>Now run the simulation</b></big><br> Click on the play icon to start a simulation.
uk: <big><b>Тепер запустіть симуляцію</b></big><br> Натисніть значок відтворення, щоб розпочати симуляцію.

en: <big><b>Hi!</b></big><br> I'm the on-line help system :).  If you have any questions or find any bugs please send them to <a href="mailto:
uk: <big><b>Привіт!</b></big><br> Я онлайнова довідкова система :). Якщо у вас виникли запитання або виявили помилки, надішліть їх на <a href="mailto:

en: Click on the new icon to make a new simulation directory.
uk: Натисніть новий значок, щоб створити новий каталог симуляції.

en: Open an existing simulation
uk: Відкрийте існуючу симуляцію

en: To open this file I need to rename it to have a .oghma extention. Do you want me to do that?. I would rename the file:
uk: Щоб відкрити цей файл, мені потрібно перейменувати його, щоб він мав розширення .oghma. Ви хочете, щоб я це зробив? Я б перейменував файл:

en: The simulation directory has been deleted.
uk: Каталог симуляції видалено.

en: Desktop
uk: Робочий стіл

en: Downloads
uk: Завантаження

en: <big><b>Examine the results in time domain</b></big><br> After you have run a simulation in time domain, if is often nice to be able to step through the simulation and look at the results.  This is what this window does.  Use the slider bar to move through the simulation.  When you are simulating a JV curve, the slider sill step through voltage points rather than time points.
uk: <big><b>Перегляньте результати в часовій області</b></big><br> Після того, як ви запустили симуляцію в часовій області, часто приємно мати можливість пройти через симуляцію та переглянути результати . Ось що робить це вікно. Використовуйте повзунок для переміщення по симуляції. Коли ви симулюєте криву JV, повзунок переходить через точки напруги, а не через точки часу.

en: Are you sure you want restore this file from the backup, it will overwrite all files in the simulation directory?
uk: Ви впевнені, що бажаєте відновити цей файл із резервної копії, це перезапише всі файли в каталозі симуляції?

en: title
uk: назва

en: x axis
uk: вісь х

en: y axis
uk: вісь y

en: equilibrium
uk: рівновагу

en: This contains the simulation output at 0V in the dark.
uk: Це містить вихід моделювання при 0 В у темряві.

en: Attenuation
uk: Затухання

en: Luminescence editor
uk: Редактор люмінесценції

en: Optical
    Emission
uk: Оптичне
    випромінювання

en: <big><b>Luminescence</b></big>
    If you set 'Turn on luminescence' to true, the simulation will assume recombination is a raditave process and intergrate it to produce Voltage-Light intensity curves (lv.dat).  Each number in the tab tells the model how efficient each recombination mechanism is at producing photons.
uk: <big><b>Люмінесценція</b></big>
    Якщо ви встановите для параметра «Увімкнути люмінесценцію» значення «true», симуляція припускатиме, що рекомбінація є процесом випромінювання, і інтегруватиме її для створення кривих інтенсивності напруги та світла (lv.dat ). Кожне число на вкладці говорить моделі, наскільки ефективним є кожен механізм рекомбінації для створення фотонів.

en: All
uk: все

en: Wavelengths
uk: Довжини хвиль

en: Electrical equilibrium solver
uk: Вирішувач електричної рівноваги

en: Polynomial data generator
uk: Генератор поліноміальних даних

en: Laser editor
uk: Лазерний редактор

en: Youtube channel
uk: Youtube канал

en: Quit
uk: Вийти

en: Stop
    simulation
uk: Зупинити
    симуляцію

en: Thickness
uk: Товщина

en: Mesh Auto
uk: Сітка Авто

en: Stop
uk: СТІЙ

en: Step multiply
uk: Крок множення

en: points
uk: балів

en: Mesh points
uk: Точки сітки

en: PL experiment window
uk: Вікно експерименту PL

en: Script editor
uk: Редактор сценаріїв

en: Rename the script:
uk: Перейменуйте сценарій:

en: active
uk: активний

en: Flyby video maker
uk: Flyby Video Maker

en: Set
    position
uk: Встановіть
    положення

en: Goto
uk: Йти до

en: window width not divisible by two
uk: ширина вікна не ділиться на два

en: window height not divisible by two
uk: висота вікна не ділиться на два

en: and
uk: і

en:  more.
uk: більше.

en: Should I delete these files?:
uk: Чи слід видалити ці файли?:

en: command line tool
uk: інструмент командного рядка

en: Prints the used paths
uk: Друкує використані шляхи

en: www.pvlighthouse.com.au sync
uk: www.pvlighthouse.com.au синхронізація

en: Load new image
uk: Завантажити нове зображення

en: Generate
    Image
uk: Створити
    зображення

en: Show
    Mesh
uk: Показати
    сітку

en: Edit
    Mesh
uk: Редагувати
    сітку

en: Build
    Mesh
uk: Побудувати
    сітку

en: Generate
    Honeycomb
uk: Згенерувати
    соту

en: Generate
    Xtal
uk: Створити
    Xtal

en: Generate
    lens
uk: Створити
    лінзу

en: Generate
    Gaussian
uk: Створити
    Гаусс

en: Saw
    wave
uk: Побачив
    хвилю

en: Blur
uk: Розмиття

en: Edit blur
uk: Редагувати розмиття

en: Normalize
    y
uk: Нормалізація

en: Edit histogram
uk: Редагувати гістограму

en: Normalize
    z
uk: Нормалізація
    z

en: Threshold
uk: Поріг

en: Boundary
uk: Межа

en: Apply
uk: Застосувати

en: 2D Image
uk: 2D зображення

en: I don't know how to process this type of file!
uk: Я не знаю, як обробляти цей тип файлу!

en: Can not connect to cluster.
uk: Не вдається підключитися до кластера.

en: Editors
uk: Редактори

en: <big><b>Simulation Editors</b></big><br> Use this tab to edit the simulation you wish to perform, you can choose from steady state measurments such as JV curve/Suns-Voc, time domain or frequency domain.  You can also choose to use advanced optical models to understand your data.
uk: <big><b>Редактори моделювання</b></big><br> Використовуйте цю вкладку, щоб редагувати моделювання, яке ви бажаєте виконати, ви можете вибрати вимірювання в стаціонарному стані, такі як крива JV/Suns-Voc, часовий домен або частотний домен. Ви також можете використовувати розширені оптичні моделі для розуміння своїх даних.

en: <big><b>Configure</b></big><br> Use this tab to control advanced features of the simulation, such as finite difference mesh, amount of data written to disk, and the configuration of the back end numerical solvers.
uk: <big><b>Налаштувати</b></big><br> Використовуйте цю вкладку, щоб керувати розширеними функціями моделювання, такими як кінцево-різнична сітка, обсяг даних, що записуються на диск, і конфігурація числового серверу розв'язники.

en: <big><b>Simulation type</b></big><br> Use this tab to select which simulation mode the model runs in, select between steady state, time domain, frequency domain and optical simulations.
uk: <big><b>Тип симуляції</b></big><br> Використовуйте цю вкладку, щоб вибрати режим симуляції, у якому працює модель, вибрати між стаціонарним режимом, часовою областю, частотною областю та оптичним моделюванням.

en: Databases
uk: Бази даних

en: <big><b>Databases</b></big><br> Use this tab to explore the materials and optical data bases, you can add and download more materials/optical models using the tools here.
uk: <big><b>Бази даних</b></big><br> Використовуйте цю вкладку, щоб досліджувати бази даних матеріалів і оптичних даних, ви можете додавати та завантажувати більше матеріалів/оптичних моделей за допомогою інструментів тут.

en: <big><b>Information</b></big><br> Access extra information about the model in this tab, there are lots of tutorial videos on YouTube, follow on Twitter for the latest updates.
uk: <big><b>Інформація</b></big><br> Отримайте додаткову інформацію про модель на цій вкладці, на YouTube є багато навчальних відео, слідкуйте за останніми оновленнями в Twitter.

en: Automation
uk: автоматизація

en: Electrical
uk: Електричний

en: Thermal
uk: Теплові

en: <big><b>Simulation mode changed</b></big><br>
uk: <big><b>Режим симуляції змінено</b></big><br>

en: Key not found
uk: Ключ не знайдено

en: User not found
uk: Користувач не знайдений

en: This version of the software is too old to validate it's key, please download the latest version.
uk: Ця версія програмного забезпечення застаріла, щоб перевірити її ключ. Завантажте останню версію.

en: OghmaNano trial
uk: Випробування OghmaNano

en: Optical simulation editor
uk: Редактор оптичного моделювання

en: Photon distribution
uk: Розподіл фотонів

en: Photon distribution absorbed
uk: Розподіл поглинених фотонів

en: m
uk: м

en: cm
uk: см

en: mm
uk: мм

en: um
uk: гм

en: nm
uk: нм

en: pm
uk: вечора

en: fm
uk: FM

en: Optical thickness editor
uk: Редактор оптичної товщини

en: File or token to ban
uk: Файл або маркер для заборони

en: Laser:
uk: Лазер:

en: Export
uk: Експорт

en: Cost and energy payback calculator
uk: Калькулятор витрат і окупності енергії

en: Re-calcualte
uk: Перерахувати

en: material
uk: матеріал

en: Mass
uk: маса

en: Optical outcoupling
uk: Оптичний вихід

en: Photon distribution (norm)
uk: Розподіл фотонів (норма)

en: Escape probability (1D in y)
uk: Імовірність втечі (1D у y)

en: You have not selected any parameters to scan through.  Use the add button.
uk: Ви не вибрали жодного параметра для сканування. Використовуйте кнопку додати.

en: Parameter scan editor
uk: Редактор сканування параметрів

en: Parameter to scan
uk: Параметр для сканування

en: JSON Variable 0
uk: Змінна JSON 0

en: JSON Variable 1
uk: JSON змінна 1

en: <big><b>Fast optimizer</b></big><br>When the fast optimizer is enabled simulation results are not written to disk and instead only key paramters are saved in a csv file. Using a spreadsheet you can then search/sort for the desired device parameters. This enables very fast parameter optimization of layer thicknesses.
uk: <big><b>Швидкий оптимізатор</b></big><br>Якщо швидкий оптимізатор увімкнено, результати симуляції не записуються на диск, а лише ключові параметри зберігаються у файлі CSV. Використовуючи електронну таблицю, ви можете шукати/сортувати потрібні параметри пристрою. Це дозволяє дуже швидко оптимізувати параметри товщини шару.
