GaAs 器件仿真 | OghmaNano 中的 3D Drift

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使用 3D drift–diffusion 模型查看局部缺陷如何扭曲 GaAs p-n 结中的电流流动。由 OghmaNano TCAD 仿真。

扫描栅极电压，观察经典 nMOS 电容中能带弯曲、表面势以及载流子密度的形成——全部由 OghmaNano TCAD 在 3D 中仿真。非常适合学习或教学器件物理。

查看掺杂梯度如何塑造 3D 半导体电阻中的电场与电流流动。该仿真使用 OghmaNano TCAD 可视化电势降、电流密度以及非均匀掺杂的影响。是理解欧姆导电与器件中场效应的绝佳入门。

使用 OghmaNano 完整的 1D、2D 与 3D drift–diffusion 引擎，探索砷化镓（GaAs）器件的丰富物理。凭借其高电子迁移率与直接带隙，GaAs 是高速电子学、激光器以及先进光伏的重要材料。我们的 GaAs 示例旨在突出空间效应、缺陷与掺杂分布如何塑造器件性能——以及为什么 3D 仿真常常能揭示更简单模型所忽略的洞见。

🚀 你可以做什么

仿真真实的 GaAs p–n 结： 使用真实的掺杂（例如 ±1×10²⁴ m⁻³）与迁移率（μ_n ≈ 0.8 m²/V·s，μ_p ≈ 0.04 m²/V·s）建立器件模型，并研究正向/反向偏置特性。
在 3D 中可视化局部缺陷： 添加富陷阱区域或分流区域，查看电流路径如何弯曲或绕过缺陷，并获得完整的空间复合映射。
分析欧姆导电： 对 GaAs 电阻中的均匀与梯度掺杂进行建模，并在 3D 中观察电场梯度与电压降。
研究栅极调控： 构建 GaAs MOS 电容结构，以探索表面势、累积、耗尽与反型效应。
提取关键参数： 通过 JV 曲线、能带图与复合热图，确定迁移率、掺杂与陷阱能级如何影响器件性能。

🧪 内置示例仿真

3D GaAs 缺陷二极管： 带有中心复合缺陷的 p–n 结——查看其如何扭曲电流流动并降低性能。
高掺杂 GaAs 二极管： 探索真实的正向与反向偏置工作，包括耗尽区宽度与内建势分析。
GaAs 掺杂电阻： 演示欧姆导电、场分布以及梯度掺杂的影响。

🔧 非常适合学习与研究

这些 GaAs 演示非常适合电子学课程、半导体器件培训，或作为 III–V 器件研究的起点。所有示例都可以通过内置 Lua 脚本接口，使用你自己的掺杂分布、陷阱态与接触条件进行修改。