频域编辑器
1. 概述
频率插件允许你仿真器件的频域响应。使用该工具可以进行阻抗谱测试,以及光学激发测量,例如强度调制光电流谱(IMPS)、强度调制电压谱(IMVS)。域编辑器允许你配置频域仿真。如下方图 [fig:fx_domain_mesh] 与 [fig:fx_domain_circuit] 所示。左侧为频域网格编辑器,用于定义将被仿真的频率。图 [fig:fx_domain_circuit] 显示了频域窗口的 电路 选项卡,它用于设置仿真的电学配置。可以仿真理想二极管(这是最快的仿真类型)、带寄生元件的二极管或开路条件下的二极管。理想二极管用于 IMPS 仿真,而开路模型用于 IMVS 仿真。根据你想要仿真的条件选择电路。如果你想要频域仿真的示例,请在新建仿真窗口中查看 Organic Solar cells,其中一些 PM6:Y6 器件已经设置了频域仿真示例。
ideal_diode_ideal_load)并查看等效电路。2. 大信号或小信号
在器件模型中进行频域仿真有两种方法:大信号方法或小信号方法。小信号方法假设我们关注的问题在某个直流工作点附近呈线性变化,这在所研究条件下可能成立也可能不成立。不过该方法计算速度快。第二种方法是使用大信号方法,与其在某个设定点附近仿真线性变化,不如针对每个感兴趣的波长完整地仿真器件的时域响应。该方法更适用于非线性系统,并且无需担心处于大信号还是小信号区间,但速度较慢。OghmaNano 使用大信号方法。
3. 输入
在图 4.9 中可以看到频域窗口的 配置 选项卡。它决定仿真将如何执行。如下表 4.2 所述
| 文件名 | 描述 |
|---|---|
| Cycles to simulate | 对任意给定频率所仿真的完整周期数。 |
| Excite with | 器件的激发方式,可以是光学激发或电学激发。 |
| FX domain mesh points | 用于仿真每个周期的时间步数。 |
| Load resistor | 外部负载电阻,通常设为零。 |
| Measure | 测量内容:电流或电压。 |
| Modulation depth | 直流电压/电流的调制深度。 |
| Output verbosity to disk | 向磁盘输出的数据量(在其他章节中描述)。 |
| Output verbosity to screen | 屏幕显示的数据量(在其他章节中描述)。 |
| Periods to fit | 用于拟合以提取相位角的频域周期数。 |
| Simulation type | 将其保持为 Large signal。 |
| \(V_{external}\) | 施加到电池上的外加电压。 |
4. 输出
| 文件名 | 描述 | 备注 |
|---|---|---|
| fx_abs.csv | fx vs. \(\lvert i(fx) \rvert\) | |
| fx_C.csv | fx vs. 电容 | |
| fx_imag.csv | fx vs. Im(i(fx)) | |
| fx_phi.csv | fx vs. \(\angle i(fx)\) | |
| fx_R.csv | fx vs. 电阻 | |
| fx_real.csv | fx vs. Re(i(fx)) | |
| real_imag.csv | Re(i(fx)) vs. Im(i(fx)) |