Навчальні посібники / Інструкції / Покрокові інструкції
Тут ви знайдете навчальні матеріали щодо використання OghmaNano. Деякі презентації містять супутні слайди у форматах ppt і pdf. Ви можете вільно використовувати або адаптувати їх для власних навчальних цілей. Розглядаються такі теми: Початок роботи/основні поняття, Одновимірне моделювання (сонячні елементи та сенсори), Уловлювання носіїв заряду, Двовимірні електричні структури (OFET), Пристрої великої площі/моделі схем, OLED, Бази даних матеріалів, Скриптування, Моделювання в частотній області, Перехідні процеси, Оптичне моделювання, Екситонне моделювання, Підгонка параметрів та Різне.
-
Початок роботи/основні поняття
- Що таке OghmaNano?
(3 Mb)
- Встановлення OghmaNano. (645 Kb)
- Створення нової моделі. (2 Mb)
- Редагування електричних параметрів (2 Mb)
- Інструкція з додавання нових матеріалів до OghmaNano. (2 Mb)
- Оптичне моделювання
- Моделювання за допомогою матриці передачі. (6 Mb)
- Відстеження променів світла для моделювання випромінювання. (2 Mb)
- Повний посібник для початківців щодо моделювання перовськитних сонячних елементів. (8 Mb)
- Моделювання OFET та розробка різнорівневих обчислювальних сіток для фінансових розрахунків. (6 Mb)
- Зберігаю більше даних на диску. (6 Mb)
- OLED-дисплеї. (6 Mb)
- Підсумкове слово/виступ. (6 Mb)
- Створення сценаріїв на Python для OghamNano. (6 Mb)
-
Одномірне моделювання
- Налаштування електричних і оптичних симуляцій в OghmaNano:
- Моделювання однієї кривої характеристики фотоелемента в умовах освітлення та в темряві за допомогою OghmaNano:
- Моделювання тунельного ефекту в гетеропереходах:
- Моделювання перовськитних сонячних елементів із рухомими іонами та явищем гістерезису – навчальний посібник:
- Моделювання сонячних елементів з кількома активними шарами за допомогою OghmaNano.
- Відтворення результатів дослідження, опублікованого 10 років тому, за допомогою OghmaNano.
-
Уловлювання носіїв заряду
- Чому необхідно враховувати стани «пасток» у ваших моделюваннях. (2 Mb)
- Моделювання характеристики вольт-амперної кривої (В-А кривої) органічної сонячної батареї з урахуванням заповнення пасток за допомогою статистичних методів SRH:
-
Двовимірні електричні структури (OFET)
- Моделювання офсетної друкарської форми за допомогою OghmaNano (17.02.2017):
- Моделювання прихованих контактів у багатошарових органічних тонкоплівкових транзисторах (31.08.2022):
- Короткий посібник зі створення моделі OFET за допомогою OghmaNano (30.08.2022):
- Отримання значень змінних як функції від координат x, y, z у результаті моделювання (13.07.2022):
- Моделювання двовимірних структур BHJ в OghmaNano (05.04.2022):
-
Моделі пристроїв/схем для великих площ.
- Інструкція зі створення великих контактних площ для гнучкої електроніки:
- Демонстрація: моделювання великих шестикутних контактних зон для органічних пристроїв:
- Дослідження особливостей друкованих гексагональних контактів для сонячних елементів великої площі за допомогою моделювання та експериментів:
- Моделювання сонячних елементів за допомогою простих діодних моделей (ідеальне рівняння діода) в OghmaNano.
-
OLED-дисплеї
- Моделювання структури OLED-дисплеїв за допомогою трасування променів і моделювання процесу дифузії носіїв заряду.
- Моделювання OLED-дисплеїв з використанням кількох шарів, що випромінюють світло
- Відстеження променів у тонких органічних плівках за допомогою gpvdm.
-
Бази даних матеріалів
- Імпорт нових матеріалів в OghmaNano:
- Моделювання однієї кривої характеристики фотоелемента в умовах освітлення та в темряві за допомогою OghmaNano:
-
Створення сценаріїв / Програмування сценаріїв
- Моделювання роботи перовськитної сонячної батареї за допомогою скриптів Python:
- Створення сценаріїв для моделювання сонячних елементів у Python за допомогою OghmaNano.
-
Моделювання в частотній області
- Моделювання імпедансної спектроскопії (ІС) у сонячних елементах:
-
Транзієнтні розрахунки (або моделювання перехідних процесів).
- Моделювання перехідних процесів CELIV за допомогою OghmaNano:
- Переклад OghmaNano на мови, відмінні від англійської:
- Моделювання оптоелектронних сенсорів, виготовлених із полімерів.
-
Оптичне моделювання
- Імпорт профілів генерації заряду, отриманих за допомогою методу FDTD, в OghmaNano:
- Трасування променів в OLED-дисплеях із використанням GPVDM (органічних світлодіодів):
- Виконання оптичних моделювань за допомогою OghmaNano:
- Відстеження променів для довільних об’єктів:
- Створення фотонних кристалічних структур для моделювання методом FDTD:
- Інструкція зі створення моделі фотонних кристалічних світловодів за допомогою методу FDTD:
- Зміна параметрів джерела вхідного світла за допомогою фільтра в OghmaNano.
- Моделювання оптичних мікроструктур у тонкоплівкових пристроях
- Розробка оптичних фільтрів, світловідбивних/антиблікових покриттів за допомогою OghmaNano.
-
Екситонні моделювання
- Моделювання екситонів в органічних сонячних елементах за допомогою:
- Тривимірне моделювання екцитонів у доменних областях донорно-акцепторних гетероструктур органічних сонячних елементів:
-
Підходить / Пасує / Відповідний / Приміряти
- Поглиблені питання, пов’язані з підгонкою кривих залежності струму від напруги до експериментальних даних за допомогою OghmaNano.
- Аналіз тимчасових фотострумів (ТФС) і характеристик світлових кривих (СВК) за допомогою OghmaNano.
- Підгонка кривої залежності струму від напруги (IV-кривої) для надвеликої площі (2,5 метра x 1 см) органічної фотоелектричної батареї за допомогою OghmaNano.
- Визначення показників рухливості та рекомбінації на основі експериментальних даних за допомогою OghmaNano.
-
Різне
- Моделювання сонячних елементів за допомогою Raspberry Pi 3.0:
- Переклад OghmaNano на мови, відмінні від англійської:
- Як оптимізувати моделювання в OghmaNano, щоб воно виконувалося швидше:
- Відлагодження моделей, що імітують перовськити, аналіз добутку mu*tau та статистики Максвелла-Больцмана.
- Поглиблені питання, пов’язані з підгонкою кривих залежності струму від напруги до експериментальних даних за допомогою OghmaNano.
- Прискорення моделювання шляхом зменшення обсягу даних, що записуються на диск.
-
Основи
- Основи роботи сонячних елементів (11 Mb)
☰