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仿真 OFET 及其他 2D 结构

OghmaNano 提供了一个稳健且灵活的 2D drift–diffusion 模型，专门用于仿真有机场效应晶体管（OFET）及相关薄膜器件。该求解器同时支持稳态与瞬态工作条件，能够处理高度各向异性的几何结构，并完整考虑表面陷阱与电荷注入效应。

• 定义任意顶部与底部接触配置，包括多个栅极电极和复杂几何结构。
• 在栅极调控下仿真表面电荷累积、耗尽与反型层。
• 支持高电压仿真：可在无数值不稳定的情况下建模超过 200 V 的栅极和漏极电压。
• 精确仿真高纵横比器件——例如 20 mm 沟道长度与 200 nm 栅介质厚度。
• 包含半导体–介电层界面及体内的陷阱态与能量无序。
• 从实验转移曲线与输出曲线中提取迁移率、接触电阻与陷阱密度。
• 支持底栅与顶栅结构，包括交错式与共面式架构。
• 可视化2D 势分布、载流子密度以及电流流线，以深入理解工作机理与失效模式。

该模型非常适合从事柔性电子、有机 TFT 以及其他平面半导体体系研究的用户，这些体系中传统的 1D 近似往往失效。可仿真实际器件布局，包括介电层堆叠、边缘场效应以及接触工程。

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