大面积器件仿真 – 第 B 部分：运行扫描并解读电阻与电压损耗
步骤 1：运行扫描仿真
点击 运行仿真（蓝色三角形）或按 F9 开始扫描。终端输出将开始滚动（见 ??）。
从物理角度看，其过程很简单：OghmaNano 将接触视为一个 3D 电阻网络。随后在底表面的 一个 网格点施加电压激励，求解电路，提取到顶部提取接触的有效电阻，并对下一个点重复该过程。
对于 40 × 40 的扫描，这意味着需要进行 40 × 40 = 1600 次独立的电路求解。这也是扫描可能需要较长时间的原因。你并不是在运行一次 JV 扫描；你是在运行许多小型直流求解以构建空间分布图。
💡 实用提示： 如果显著提高扫描分辨率，运行时间将大致随扫描点数量增加。更高分辨率可得到更平滑的分布图，但代价是时间。
步骤 2：理解电学网格
扫描分辨率由电学网格控制，该网格在 Electrical 选项卡中的 Electrical mesh 下定义（见 ??）。在本示例中，我们在 x–z 平面使用 40 × 40 个点。y 方向由层堆叠决定（即求解器根据你定义的层来确定垂直离散）。
作为粗略的参考：
- 点数过少 → 电阻分布图会变得块状，可能错过网格周围的细尺度电流拥挤效应。
- 点数过多 → 由于电路求解次数增加，扫描可能变慢。
步骤 3：扫描生成的输出文件
扫描结束后，转到 Output 选项卡。你应该会看到类似 ?? 中所示的文件。
spm_R.csv）、其切片（spm_R_x.csv）以及电压损耗分布图（Vlost_spm.csv）。
| 文件名 | 说明 |
|---|---|
electrical_links.csv | 3D 电路网格中的电阻连接（边）列表 |
electrical_nodes.csv | 3D 网格中的电路节点（位置与连通性）列表 |
spm_R.csv | 扫描探针显微（SPM）电阻分布图（有效电阻随位置变化） |
spm_R_x.csv | 通过 spm_R.csv 的一维切片，显示器件横向电阻 |
Vlost_spm.csv | 由于接触电阻导致的各扫描点电压损耗（ΔV）估计值 |
步骤 4：查看电阻分布图与切片
spm_R.csv）。低电阻出现在提取条和
金属网格线附近；最高电阻通常出现在远离两者、位于单元深处的位置。
spm_R_x.csv 的电阻切片。电阻随远离
提取边缘而增加，在切片靠近金属网格段处出现周期性下降。
双击 spm_R.csv 查看电阻分布图（见 ??）。颜色刻度表示每个底表面点与提取接触之间的有效电阻。
- 靠近提取接触（图中的深色条）时，电阻更低——电流离开器件的路径更短。
- 靠近金属网格线时，电阻更低——电流可以快速进入高导电性的金属网络。
- 最高电阻往往出现在网格单元的 中心 且远离提取边缘的位置，因为电流必须在聚合物中进行更长距离的横向传输。
在本示例中，电阻量级为 欧姆，这是印刷接触中电流扩展的物理合理尺度。然而请注意，对许多器件而言，接近几十欧姆的数值并非无害：从有源区到外部接触存在 30–40 Ω 的路径，可能会显著降低有效填充因子（PV），或导致亮度不均匀（OLED）。
双击 spm_R_x.csv 查看分布图的一维切片（??）。该图使物理机制更加明确：
- 随着远离提取接触，电阻增加（横向电流路径更长）。
- 当扫描经过或靠近金属网格线时，电阻下降（横向路径被短路）。
这是关键诊断：它不仅告诉你接触 有多糟，还告诉你 糟在哪里，从而指示需要何种几何/材料修改才能修正。
步骤 5：可视化电路网格（连接与节点）
为了调试与理解，直接可视化电路表示可能很有用。双击连接和节点可视化（在示例输出中通常显示为 links.jpg 和 nodes.jpg）。
在这些接触问题中，电路解释是字面意义上的：每条连接都是一个电阻，每个节点都是一个结点，求解器在网络上强制满足基尔霍夫定律。
步骤 6：配置扫描（扫描探针显微编辑器）
你刚刚运行的扫描是通过 扫描探针显微（SPM）编辑器 配置的。你可以从编辑器功能区打开它（见 ??）。
配置窗口（??）允许你选择施加电压，以及扫描是否覆盖整个器件或某个子区域。当你只关注特定区域时，子区域有助于快速迭代。
步骤 7：编辑材料电阻率（以及其重要性）
为了探索设计权衡，你可以编辑每个导电层的电学参数。在 器件结构 选项卡中点击 电学参数 以打开电学参数编辑器（??）。在这里你可以输入自有材料的实测电阻率，并立即预测放大尺度后的接触行为。
这种参数化探索正是建模的目的：在投入制备之前，你可以量化更好的聚合物、更密的网格或不同的提取布局，哪一种能带来最大的性能提升。
👉 下一步： 继续阅读 第 C 部分，编辑接触几何结构（网格间距、线宽、提取布局）并优化性能。