从薄膜中逃逸（B 部分）：更改表面结构

在 A 部分 中，您设置了 从薄膜中逃逸 光线追踪示例，可视化了嵌入式光源， 并检查了探测器输出与渲染图像。

在本部分我们将重点放在 几何结构 上。通过更改 半导体表面的形状，我们可以以一种非常直接的方式看到形貌如何控制光的 提取。我们将不再使用由 AFM 得到的轮廓，而是使用形状数据库中的一个简单三角形 saw_wave 图案，重新运行仿真，并比较 得到的光线图案。

步骤 1 – 编辑半导体对象

从 A 部分的完成状态开始，其中半导体表面由 AFM 图像描述，探测器位于结构上方。第一个任务是告诉 OghmaNano，我们希望更改用于半导体对象的网格。

1. 在 3D 视图中右键点击红色 半导体 对象。
2. 从上下文菜单中选择 编辑对象 （见 ??）。

这将打开 对象编辑器，如 ?? 所示。 该编辑器汇集了对象的所有属性：其位置、复制模式、 颜色，以及——对本教程最重要的——定义 底层网格的 对象形状。

在编辑器靠近底部的 对象形状 部分，您将看到一个路径 指向形状数据库中的 afm_image。点击 编辑 字段旁边的 … 按钮 以打开 网格编辑器，在那里实际定义了 几何结构。

步骤 2 – 从形状数据库中选择新结构

当 网格编辑器 打开时，顶部的 形状数据库 图标 应已被选中，当前条目将是 afm_image，如 ?? 所示。 形状数据库本质上是一个可复用网格的本地库——AFM 表面、光子 晶体模板、测试结构等——以 OghmaNano 自身格式存储。

要替换为不同的表面：

1. 点击网格编辑器中 file 旁的 … 按钮。
2. 在形状数据库浏览器中，双击 saw_wave （??）。

选择 saw_wave 后，关闭网格编辑器与对象编辑器。回到 主 3D 视图，半导体表面现在具有三角形轮廓，而不是 原始的 AFM 形貌。这类简单测试结构便于建立直觉， 然后再过渡到真实的测量表面。

要了解更多关于创建自定义形状、导入 AFM 图像以及构建 有用几何库的信息，请参见专门的 形状数据库教程（A 部分）。

步骤 3 – 使用新网格运行仿真

选择新表面后，再次按下 运行仿真 以重新启动 光线追踪器。光线的具体外观取决于您选择的波长。在 ?? 所示的示例中， 波长设置为 437.5 nm，以突出三角结构如何在薄膜内部重定向 并俘获光。

现在您可以重复与 A 部分完全相同的分析：检查 detector0 输出，绘制 detector_efficiency0.csv，并查看 渲染图像。将有无锯齿波结构的结果进行比较，是观察某种形貌能带来多少额外出光 （或俘获）的好方法。

通过在形状数据库中循环选择不同形状——或导入您自己的 AFM 与 CAD 网格——您可以建立一组“前后对比”，并开始设计 能将更多光推入逃逸锥、同时保持制造可行性的表面。