Editor de dominio temporal

El editor de dominio temporal puede utilizarse para configurar simulaciones de dominio temporal, esto se muestra en la Figura 4.6. Puede ver, como se describió en la sección anterior, que un editor de simulación puede utilizarse para editar múltiples experimentos. El panel de la izquierda muestra el editor usándose para editar una simulación CELIV, mientras que el panel de la derecha muestra el editor usándose para editar una simulación TPC. Los botones new, delete y clone en la parte superior de la ventana pueden utilizarse para crear nuevos modos de simulación. La tabla en la parte inferior de la ventana puede utilizarse para configurar la malla de dominio temporal, aplicar voltajes o pulsos de luz.

La Figura 4.8 muestra diferentes pestañas del editor de dominio temporal. La imagen de la izquierda muestra el diagrama de circuito utilizado para modelar el experimento CELIV. El diodo de la izquierda representa la simulación drift-diffusion, mientras que los otros componentes representan varios componentes parásitos. Después del diodo de la izquierda viene un condensador utilizado para modelar la carga en las placas del dispositivo, luego una resistencia shunt y después la resistencia serie. La resistencia final de la derecha representa la resistencia externa del equipo de medida, esta está por defecto configurada en cero pero merece la pena comprobarla. El menú desplegable en la parte superior izquierda de la imagen, sobre el diagrama del circuito, dice load type; esto puede cambiar la carga del circuito desde lo que se muestra en la imagen, a un diodo perfecto donde no se muestran componentes parásitos, o a un dispositivo en circuito abierto que se utilizaría para simular medidas de Transient Photo Voltage. La figura de la derecha muestra las opciones de configuración de la ventana de dominio temporal. De nuevo observe la opción Output verbosity to disk como se describió en la sección anterior, la verá una y otra vez en OghmaNano.

\(C=\dfrac{\varepsilon_r \varepsilon_0 A}{d+\Delta}\)

Debido a que las células solares utilizan electrodos planos y anchos separados por dieléctricos, también existe una capacitancia del dispositivo importante para medidas transitorias. En la expresión anterior, A es el área del dispositivo, d es el espesor geométrico, \(\varepsilon_r\) es la permitividad relativa y \(\varepsilon_0\) es la permitividad del vacío. En la práctica, la capacitancia medida a menudo difiere de la estimación ideal de condensador de placas. El término Other layers, Δ, en el editor Parasitic components es un ajuste de espesor agrupado que reconcilia la capacitancia medida con la geometría y con cualquier dieléctrico adicional no modelado explícitamente.