Editor de dominio de frecuencia
1. Visión general
El plugin de frecuencia permite simular la respuesta del dispositivo en el dominio de frecuencia. Con esta herramienta se puede
realizar espectroscopía de impedancia, así como medidas excitadas ópticamente tales como Intensity Modulated Photo
Spectroscopy (IMPS), Intensity Modulated Voltage Spectroscopy (IMVS). El editor de dominio permite configurar
simulaciones en el dominio de frecuencia. Esto se muestra a continuación en las Figuras [fig:fx_domain_mesh] y [fig:fx_domain_circuit]. En el
lado izquierdo está el editor de malla del dominio de frecuencia; se utiliza para definir qué frecuencias serán simuladas.
La Figura [fig:fx_domain_circuit] muestra la pestaña circuit de la ventana de dominio de frecuencia;
esta establece la configuración eléctrica de la simulación. Se puede simular un diodo ideal (este es el
tipo de simulación más rápido de realizar), un diodo con componentes parásitos o un diodo en circuito abierto. Un
diodo ideal se utilizaría para simulaciones IMPS mientras que el modelo de circuito abierto se utilizaría para simulaciones IMVS.
Elija el circuito dependiendo de las condiciones que quiera simular. Si desea ejemplos de simulación en dominio
de frecuencia, mire en la ventana de nueva simulación dentro de Organic Solar cells; algunos de los dispositivos PM6:Y6 tienen ejemplos de
simulaciones de dominio de frecuencia ya configuradas.
ideal_diode_ideal_load) y visualice el circuito equivalente.2. Señal grande o señal pequeña
Hay dos formas de simular simulaciones en dominio de frecuencia en un modelo de dispositivo: un enfoque de señal grande o un enfoque de señal pequeña. El enfoque de señal pequeña asume que el problema que observamos varía linealmente alrededor de un punto DC; esto puede o no ser cierto dependiendo de las condiciones que se estén observando. Sin embargo, este método es computacionalmente rápido. El segundo enfoque consiste en utilizar un enfoque de señal grande y, en lugar de simular la variación lineal alrededor de un punto establecido, se simula por completo la respuesta temporal del dispositivo para cada longitud de onda de interés. Este método maneja mejor los sistemas no lineales y no es necesario preocuparse por si se está en el régimen de señal grande o pequeña, pero es más lento. OghmaNano utiliza el enfoque de señal grande.
3. Entradas
En la Figura 4.9 se puede ver la pestaña Configure de la ventana de dominio de frecuencia. Esto decide exactamente cómo se realizará la simulación. Estas opciones se describen a continuación en la tabla 4.2
| Nombre del archivo | Descripción |
|---|---|
| Cycles to simulate | El número de períodos completos de cualquier frecuencia dada que se simulan. |
| Excite with | Cómo se excita el dispositivo, ópticamente o eléctricamente. |
| FX domain mesh points | El número de pasos temporales utilizados para simular cada ciclo. |
| Load resistor | Resistencia de carga externa, normalmente establecida en cero. |
| Measure | Qué se mide, corriente o voltaje. |
| Modulation depth | Qué tan profundamente se modula el voltaje/corriente DC. |
| Output verbosity to disk | Cuántos datos se vuelcan a disco (descrito en otras secciones). |
| Output verbosity to screen | Cuántos datos se muestran en pantalla (descrito en otras secciones). |
| Periods to fit | El número de ciclos en dominio de frecuencia que se ajustan para extraer el ángulo de fase. |
| Simulation type | Déjelo como Large signal. |
| \(V_{external}\) | El voltaje externo aplicado a la célula. |
4. Salidas
| Nombre del archivo | Descripción | Notas |
|---|---|---|
| fx_abs.csv | fx vs. \(\lvert i(fx) \rvert\) | |
| fx_C.csv | fx vs. Capacitancia | |
| fx_imag.csv | fx vs. Im(i(fx)) | |
| fx_phi.csv | fx vs. \(\angle i(fx)\) | |
| fx_R.csv | fx vs. Resistencia | |
| fx_real.csv | fx vs. Re(i(fx)) | |
| real_imag.csv | Re(i(fx)) vs. Im(i(fx)) |