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OghmaNano Simule células solares orgánicas/de perovskita, OFETs y OLEDs DESCARGAR

Tutorial Suns–Jsc: Extracción del escalado de fotocorriente a partir de la intensidad de iluminación

Introducción

Suns–Jsc es el equivalente de Suns–Voc, pero en lugar de seguir el voltaje en circuito abierto, el experimento registra la densidad de corriente de cortocircuito Jsc como función de la intensidad de iluminación (Suns). Debido a que Jsc es directamente proporcional a la fotogeneración en el caso ideal, este método se utiliza ampliamente para comprobar la eficiencia de colección, identificar la saturación de corriente y revelar el impacto de la recombinación o de cuellos de botella en el transporte bajo iluminación intensa.

En un dispositivo ideal con extracción eficiente de carga, Jsc debería aumentar linealmente con Suns. Las desviaciones de la linealidad —como un crecimiento sublineal a intensidades altas— indican pérdidas por recombinación, baja movilidad de portadores o limitaciones por resistencia en serie. Un comportamiento superlineal a intensidades muy bajas puede indicar llenado de trampas o ganancia fotoconductiva.

En la práctica, Suns–Jsc se realiza barriendo la intensidad de luz en un intervalo elegido (por ejemplo, 0.01–10 Suns) mientras el dispositivo se mantiene en cortocircuito. OghmaNano guarda los resultados en suns_jsc.csv, que puede representarse gráficamente para revelar qué tan bien el dispositivo mantiene la eficiencia de colección a lo largo de varios órdenes de magnitud de iluminación. Ajustando la pendiente en una escala log–log se puede identificar si el escalado es lineal (α ≈ 1) o está limitado por efectos de recombinación o transporte.

El análisis Suns–Jsc es por lo tanto un complemento útil de las mediciones JV y Suns–Voc: aísla los procesos de colección de corriente y resalta cuándo la extracción o el transporte de portadores se vuelven limitantes.

Paso 1: Crear una nueva simulación

Haga doble clic en la categoría Perovskite cells en la ventana de nueva simulación (??), luego elija Perovskite solar cell (MAPI) (??) y guarde el proyecto en disco. Aunque este tutorial utiliza el ejemplo MAPI, el procedimiento Suns–Jsc se aplica a cualquier estructura de célula solar, ya que simplemente varía la intensidad de la luz y mide el Jsc resultante.

Ventana New simulation de OghmaNano mostrando categorías; carpeta Perovskite cells resaltada.
En la ventana New simulation, elija Perovskite cells.
Lista de ejemplos Perovskite cells con ‘Perovskite solar cell (MAPI)’ resaltado.
Seleccione Perovskite solar cell (MAPI) y guarde el proyecto en disco.

Paso 2: Seleccionar el modo de simulación

Después de guardar, se abre la ventana principal de simulación. Cambie el simulador al modo Suns–Jsc yendo a Simulation type y haciendo clic en el botón Suns–Jsc para que aparezca presionado (??). Ejecutar la simulación en este modo genera una curva Suns–Jsc.

Para configurar el experimento Suns–Jsc, abra la cinta Editors y seleccione Suns–Jsc (no se muestra aquí). Esto abre la ventana de configuración (??), donde puede establecer la intensidad inicial, la intensidad final (en Suns) y el multiplicador de paso. El multiplicador de paso (por ejemplo 1.2) escala la intensidad de forma logarítmica, lo que facilita inspeccionar el escalado de Jsc en gráficos log–log. Por ejemplo, aquí la intensidad final es 1.1 Suns, pero en la práctica se podría extender a ~10 Suns para probar la saturación. Los valores predeterminados suelen ser adecuados para una primera ejecución.

Ventana principal de OghmaNano con dispositivo de perovskita; la cinta Simulation type incluye el botón Suns–Jsc.
En la ventana principal, en Simulation type, haga clic en Suns–Jsc para seleccionar el modo correcto.
Ventana de configuración Suns–Jsc con campos de intensidad inicial/final y multiplicador de paso.
Ajuste la configuración de Suns–Jsc según sea necesario y luego ejecute la simulación.

Paso 3: Analizar los resultados

Una vez configurado, vuelva a la ventana principal y haga clic en Play (o presione F9). Cuando la ejecución termine, abra la pestaña Output (??) y localice suns_jsc.csv. Al abrir este archivo se produce el gráfico Suns vs. Jsc (??).

Pestaña Output mostrando archivos generados incluido suns_jsc.csv.
Después de la ejecución, abra la pestaña Output y busque suns_jsc.csv.
Gráfico Suns–Jsc que muestra la densidad de corriente de cortocircuito Jsc frente a la intensidad de iluminación.
Al abrir suns_jsc.csv se muestra la curva Suns vs. Jsc.

Ahora ha ejecutado una simulación Suns–Jsc y producido la curva característica. Esta curva muestra cómo la fotocorriente escala con la intensidad de la luz, proporcionando una verificación directa de la eficiencia de colección y de posibles efectos de saturación. Para profundizar su comprensión, experimente con los parámetros eléctricos: cambios en trampas, tasas de recombinación o movilidades afectarán notablemente el comportamiento de escalado.

📈 Avanzado: Analice su curva Suns–Jsc — haga clic para expandir

Objetivo; cuantificar cómo Jsc escala con la iluminación. En un gráfico log–log, ajuste una línea recta para obtener el exponente α en \( J_{sc} \propto \text{Suns}^{\,\alpha} \).

\[ \alpha \;=\; \frac{\Delta \log_{10} J_{sc}}{\Delta \log_{10}(\text{Suns})} \quad\text{(use la región lineal central; excluya Suns muy bajos/altos)} \]

Interpretación; \(\alpha \approx 1\) → colección eficiente (sin saturación); \(\alpha < 1\) → límites de recombinación/transporte a mayor densidad de portadores; \(\alpha > 1\) a Suns muy bajos puede indicar llenado de trampas o ganancia fotoconductiva.

👉 Siguiente paso: Ahora continúe con Extracción de movilidad SCLC.