第9章:量子井戸およびバンド構造モデリング
本章では、OghmaNanoにおける量子井戸およびバンド構造モデリングについて解説する。具体的には、量子閉じ込め効果、k·p理論、ひずみ、半導体のバンド構造、光遷移、利得、散乱現象、ならびに量子井戸モデルの選定方法などを取り扱う。
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9.1.1 概要 – k·p理論に基づくバンド構造および量子井戸モデリング
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9.1.2 放物線型量子井戸のチュートリアル(GaAs/AlGaAs)
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9.1.3 8バンド亜鉛ブレンデ型k·p量子井戸チュートリアル(GaAs/AlGaAs)
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9.1.4 10バンド亜鉛ブレンデ型k·p理論に基づく希薄窒化物量子井戸のシミュレーション手順(GaInNAs/GaAs)
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9.1.5 ウルツァイト構造における8バンドk·p理論に基づく量子井戸シミュレーションのチュートリアル(GaN/AlGaN)
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9.1.6 シリコンΔバレー量子井戸チュートリアル(Si/SiGe)
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9.1.7 六バンドルッティンガー・コーン価電子量子井戸チュートリアル(Si/SiGe)