電荷抽出エディタ

これは電荷抽出エディタであり、電荷抽出トランジェントをシミュレーションできます。電荷抽出実験は、無秩序デバイス内にどれだけの電荷が存在するかを調べるために行われます。この種の実験では、例えば 1V @ 1Sun のように、ある設定電圧と光強度でデバイスを動作させます。その後、光を消し、抵抗を介してセルを短絡し、セルから出力された総電流を積分して、動作時にセル内に存在していた電荷を求めます。通常、セルはオシロスコープの 50 Ohm 終端を介して短絡されるため、電圧トランジェントを測定し、 V=IR を適用することで電流、ひいては総電荷を計算できます。

1. 入力

Charge extraction editor window showing configuration fields for start and stop light intensity, number of steps, light on/off times, and output verbosity options. — 電荷抽出 (CE) エディタ — 光強度範囲、照射タイミング、出力詳細度を含むトランジェント CE 実験を設定します。

この種の測定は、トラップ状態にどれだけの電荷が存在するかを調べたい無秩序デバイスにおいて重要です。この実験ではデバイス内のすべての電荷が抽出されるわけではなく、動作条件下の電荷と 0V @ 0 Suns における電荷との差のみが抽出されることに注意することが重要です。接触／ドーピングからの注入による背景電荷は、依然としてデバイス内に残ります。また、CE 実験では、電荷がデバイスから出る前に再結合によって消滅するため、誤差損失も生じます。

2. 出力

電荷抽出シミュレーションで生成されるファイル
ファイル名	説明	注記
suns_np.dat	再結合の影響を含む、Suns 対抽出電荷
suns_np_ideal.dat	再結合の影響を含まない、Suns 対抽出電荷
suns_Q_ce.dat	再結合の影響を含む、Suns 対抽出電荷
time_i.csv	単一の CE 実験における時間対抽出電流
time_v.csv	単一の CE 実験における時間対電圧
v_np.dat	再結合の影響を含む、電圧対抽出電荷
v_np_ideal.dat	再結合の影響を含まない、電圧対抽出電荷