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OghmaNano 有機/ペロブスカイト太陽電池、OFET、OLEDをシミュレーション ダウンロード

容量–電圧エディタ

実験的に、容量–電圧(CV)測定はデバイス内のドーピングを決定するための有用な方法です。OghmaNano における CV 測定では、上で説明した周波数領域シミュレーションツールの簡略版を使用します。

2. 入力

開始電圧、停止電圧、ステップサイズ、周波数、負荷抵抗、シミュレーションタイプ、および出力オプションなどの設定フィールドを示す容量–電圧エディタウィンドウ。
容量–電圧(CV)エディタ — 電圧掃引パラメータ、励振、周波数、および出力詳細度を定義して CV シミュレーションを設定します。
パラメータ 説明
Start voltage CV 実験が開始される電圧。
Stop voltage CV 実験が終了する電圧。
dV step 掃引中の電圧点間の増分。
Frequency AC 摂動の周波数(Hz)。例:1000 Hz。
Simulation type シミュレーション領域を定義します。常に Large signal に設定する必要があります。
Load resistor 外部負荷抵抗を定義します(例:オシロスコープ入力に対して 50 Ω)。
fx domain mesh points 正弦波 1 周期あたりのメッシュ点数。large-signal モードでは波形を明示的にシミュレーションするためです。
Cycles to simulate シミュレーションする AC サイクルの総数(例:5 周期)。
Excite with デバイスを励振するために使用される信号(例:Voltage)。
Measure デバイス応答から記録される量(例:Current)。
Voltage modulation depth DC バイアスの上に加える摂動振幅(V)。
Run fit after simulation 有効にすると、実行後にシミュレーション波形をフィッティングします。
Periods to fit フィッティングおよび周波数領域情報の抽出に使用されるサイクル数(シミュレーション終端から数える)。例:5 周期のうち最後の 2 周期。
Output verbosity to disk ディスクに書き込むシミュレーションデータ量を制御します。詳細度が高いほどシミュレーションは遅くなります。
Output verbosity to screen 画面に表示する詳細レベルを制御します。詳細度が低いほど実行は高速になります。

2. 出力

CV シミュレーションによって生成されるファイル
ファイル名 説明
cv.dat fx 対 容量
cv2.dat fx 対 \(1/\text{Capacitance}^2\)
fx_imag.dat fx 対 Im(i(fx))
fx_real.dat fx 対 Re(i(fx))
real_imag.dat Re(i(fx)) 対 Im(i(fx))