OghmaNano
Simular células solares orgânicas/Perovskita, OFETs e OLEDs DESCARREGAR
Editor de capacitância-tensão
Medições experimentais de capacitância-tensão (CV) são uma forma útil de determinar a dopagem dentro de um dispositivo. No
OghmaNano, medições CV utilizam uma versão reduzida da ferramenta de simulação em domínio de frequência descrita acima.
2. Entradas
Editor de capacitância–tensão (CV) — configure simulações CV definindo parâmetros de varredura de tensão, excitação, frequência e verbosidade de saída.
Parâmetro
Descrição
Start voltage
A tensão na qual o experimento CV começa.
Stop voltage
A tensão na qual o experimento CV termina.
dV step
Incremento entre pontos de tensão na varredura.
Frequency
Frequência da perturbação AC (Hz). Exemplo: 1000 Hz.
Simulation type
Define o regime de simulação. Deve sempre ser definido como Large signal.
Load resistor
Define a resistência de carga externa (por exemplo, 50 Ω para a entrada do osciloscópio).
fx domain mesh points
Número de pontos de malha por período senoidal, já que o modo de grande sinal simula explicitamente a forma de onda.
Cycles to simulate
Número total de ciclos AC a simular (por exemplo, 5 períodos).
Excite with
Sinal usado para excitar o dispositivo (por exemplo, Tensão).
Measure
Grandeza registrada da resposta do dispositivo (por exemplo, Corrente).
Voltage modulation depth
Amplitude da perturbação aplicada sobre o viés DC (V).
Run fit after simulation
Se habilitado, ajusta a forma de onda simulada após a execução.
Periods to fit
Número de ciclos (a partir do final da simulação) usados para ajuste e extração de informação no domínio de frequência. Exemplo: últimos 2 ciclos de 5.
Output verbosity to disk
Controla quanto dado de simulação é gravado em disco; maior verbosidade torna a simulação mais lenta.
Output verbosity to screen
Controla o nível de detalhe impresso na tela; menor verbosidade acelera a execução.
