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Simular células solares orgânicas/Perovskita, OFETs e OLEDs DESCARREGAR
Editor JV (Editor de simulação em regime estacionário)
1. Entradas
Se você clicar no ícone do editor JV na faixa dos editores de simulação (??),
a janela do editor JV será aberta (??). O editor JV é usado para configurar simulações de corrente–tensão em regime estacionário.
Ele aplica uma rampa de tensão de uma tensão inicial definida até uma tensão final, independentemente de o dispositivo
ser uma célula solar, um OFET ou outra estrutura.
Abrindo o editor JV a partir da faixa dos editores de simulação.
Você pode definir a tensão inicial, a tensão final e o tamanho do passo. O multiplicador do passo de tensão JV
escala o tamanho do passo após cada incremento. O padrão é 1.0 (sem crescimento).
Definir esse multiplicador ligeiramente acima de 1.0 pode reduzir o número de passos e acelerar a simulação,
mas valores muito maiores que 1.05 podem causar problemas de convergência.
Janela do editor JV para configurar simulações de corrente–tensão em regime estacionário.
Parâmetro
Descrição
Start voltage
Polarização inicial da rampa de tensão (V).
Stop voltage
Polarização final da rampa de tensão (V).
Voltage step
Incremento entre pontos sucessivos de polarização (V).
JV voltage step multiplier
Escala o tamanho do passo após cada ponto. Valores > 1 aumentam o passo à medida que a varredura avança (útil para grandes intervalos); valores muito grandes podem afetar a convergência.
Use external voltage as stop
Escolhe o critério de parada. Quando On, usa a tensão externa do dispositivo (após resistência série/shunt). Quando Off, usa a tensão interna do diodo.
Maximum current density
Encerra a varredura quando a densidade de corrente atinge esse limiar (A·m−2).
Single point
Calcula um único ponto de operação em vez de uma varredura JV completa.
JV curve photon generation efficiency
Multiplicador aplicado à taxa de geração óptica; pode levar em conta recombinação geminada.
Charge carrier generation model
Seleciona o solucionador óptico (por exemplo, Transfer Matrix, Ray Tracing).
Smooth the EQE spectra
Aplica suavização ao EQE antes do uso (usado em certas simulações OFET 2D).
Output verbosity to disk
Controla a gravação de snapshots (bandas, portadores, taxas de geração). Não gravar nada, gravar apenas resultados-chave, gravar tudo, ou tudo a cada n-ésimo passo.
Dump trap distribution
Grava o perfil da densidade de estados de armadilhas em disco.
Save parameter sweeps
Salva métricas resumidas (recombinação média, densidades de portadores, portadores aprisionados) no diretório sweep.
2. Saídas
Arquivos de simulação
Arquivos produzidos pela simulação JV
Nome do arquivo
Descrição
Notas
charge.dat
Densidade de carga vs. tensão
jv.dat
Curva corrente–tensão
k.csv
Constante de recombinação k
sim_info.dat
Resumo da simulação (\(V_{oc}\), \(J_{sc}\), etc. calculados); veja
§4.1.4
Diretórios de simulação
Diretórios gravados pela simulação JV
Diretório
Descrição
Notas
snapshots/
Dados dependentes da posição por passo de simulação para parâmetros-chave do dispositivo (por exemplo, banda de condução, banda de valência, potencial, densidades de portadores, taxas de geração e recombinação).
sweep/
Métricas espacialmente integradas (média do dispositivo) em função do passo de simulação (por exemplo, taxa de recombinação total/média, densidade média de portadores, densidade de portadores aprisionados).
Essas saídas podem ser habilitadas ajustando Output verbosity to disk (e, para métricas agregadas, habilitando Save parameter sweeps) no editor de simulação.
sim_info.dat
Este é um arquivo json contendo todas as métricas-chave da simulação, como \(J_{sc}\),
\(V_{oc}\), e um arquivo de exemplo sim_info.dat é dado abaixo: