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OghmaNano 유기/페로브스카이트 태양전지, OFET 및 OLED 시뮬레이션 다운로드

OghmaNano를 사용한 시간 영역 시뮬레이션


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Transient photovoltage (TPV)
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CELIV simulation
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Traneint Photocurrent
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Building a simulation

OghmaNano의 빠른 물리 기반 시간 영역 솔버로 과도 응답 측정 데이터를 분석하고 해석하십시오. 과도 광전압 (TPV), 과도 광전류 (TPC), 또는 선형 증가 전압에 의한 전하 추출 (CELIV) 실험을 수행하는 경우, OghmaNano를 사용하면 높은 정확도로 실험 조건을 재현하고 1초 이내에 전체 장치 응답을 시뮬레이션할 수 있습니다.

시간 영역 시뮬레이션은 캐리어 수송 및 재결합 과정에 매우 민감합니다 — 여기에는 Shockley–Read–Hall (SRH) 트래핑, 복사 및 Auger 재결합, 그리고 이동도–수명 곱이 포함됩니다. 시뮬레이션을 측정된 과도 응답에 피팅함으로써, OghmaNano는 캐리어 이동도, 트랩 밀도 및 에너지 준위, 재결합 수명, RC 시정수와 같은 물리 매개변수의 정밀한 추출을 가능하게 합니다.

여기 조건(펄스 길이, 파장, 세기, 바이어스 및 반복률)을 사용자 정의하여 실험 설정과 정확히 일치시킬 수 있으며, 온도 의존 과도 응답 스윕을 수행하여 트래핑 및 재결합 과정의 활성화 에너지를 결정할 수 있습니다. 배치 모드를 사용하면 서로 다른 조건에 대해 여러 시뮬레이션을 순차적으로 실행할 수 있으며, 결과는 MATLAB, Python 또는 기타 도구에서 추가 분석을 위해 표준 형식(CSV)으로 내보낼 수 있습니다.

지원되는 시간 영역 기법:

더 깊이 알아보고 싶으신가요?

👉 매뉴얼의 시간 영역 튜토리얼을 확인하고 바로 시뮬레이션을 시작하십시오.