寄生元件编辑器

1. 概述

真实器件很少表现为理想二极管。电极与布线带来的串联电阻、通过不完美绝缘路径的漏电，以及由封装或缓冲层引入的“额外”介电厚度都会改变测量响应。寄生元件编辑器 允许你在模拟两端器件（例如 OLEDs/LEDs、太阳电池、光电二极管）时考虑这些效应。生成 JV 曲线及相关图时会自动包含这些参数。

2. 参数

该编辑器提供三个量：

并联电阻（Ω·m²）— 跨器件的面积归一化漏电通道。使用 Ω·m² 单位可使暗态 JV 曲线对器件面积保持不变：当模拟面积改变时，绝对并联电流会正确缩放，从而 电流密度保持不变。
串联电阻（Ω）— 与器件串联的集总电阻（例如 ITO 片电阻、布线、接触）。以欧姆为单位给出，因为将其理解为总串联元件更直观。
其他层（m）— 一个有效的附加厚度 \(\Delta t\)，用于调整 几何电容，以考虑额外的介电间隔（封装、垫片等）。

OghmaNano main window with the Electrical ribbon showing the Parasitic components editor entry point. — OghmaNano 主仿真窗口——从 *Electrical* 功能区打开 *寄生元件编辑器*。（这对应于你提供的第一张截图。）

Parasitic components editor with fields for Shunt resistance (Ω·m²), Series resistance (Ω), and Other layers (m). — 寄生元件编辑器——配置 **并联电阻**（Ω·m²）、 **串联电阻**（Ω）以及 **其他层**（m）。（这对应于你提供的第二张截图。）

Equivalent circuit: diode and geometric capacitance in parallel with a shunt resistor, all followed by a series resistor. — 寄生参数的等效电路——二极管与几何电容与并联电阻并联，端子处串联电阻。

3. 它们如何应用

对于两端器件（OLEDs/LEDs、太阳电池、光电二极管及类似器件），这些参数会自动包含在模拟的 JV 特性与小信号响应中。对于多于两个端子的器件（例如 OFETs 以及其他晶体管类或复杂多端结构），并不明显应当在何处施加一对串联/并联元件；因此这些寄生参数不会自动应用。在这种情况下，请根据你选择的测量配置在后处理时添加等效寄生参数。

带“其他层”的几何电容。 在实践中，器件的实验测得几何电容并不总与简单介电板公式预测值一致。这种差异可能由多种原因引起：边缘处电场线泄漏、电极尺寸略大或略小于假设值、实际器件厚度的不准确，或对多层半导体如何处理（尤其当其中一些层可存储电荷时）的不确定性。

为了让用户能够考虑这些效应，OghmaNano 引入了一个附加参数 其他层，它作为有效厚度修正 \(\Delta t\)。默认情况下该参数为零，因此除非用户明确修改，否则电容将由名义器件几何计算。

\[ C_{\mathrm{geo}} \;=\; \frac{\varepsilon A}{d + \Delta t}, \]

其中 \(d\) 为名义器件厚度，\(A\) 为器件面积，\(\varepsilon = \varepsilon_0 \varepsilon_r\) 为介电常数。通过调整 \(\Delta t\)，用户可以使模拟的几何电容更接近实验观测值，从而补偿器件几何、接触定义或电场分布方面的不确定性。该修正主要与瞬态仿真（例如充放电动力学）以及频域计算（例如阻抗谱）相关，因为电容的精确取值会强烈影响模拟响应。