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OghmaNano Simulation von organischen/Perowskit-Solarzellen, OFETs und OLEDs DOWNLOAD Quick Start guide

Editor für Rasterkraftmikroskopie

Bei der Simulation einer dreidimensionalen Struktur, wie beispielsweise eines großflächigen Kontakts, möchte man oft den Widerstand zwischen einem Punkt (x, z) auf der Oberfläche des Bauelements und dem Ladungsträger-Kontakt ermitteln. Dieses Werkzeug wird verwendet, um systematisch Spannungen über die Bereiche z, x anzulegen und so Spannungs- oder Widerstandsprofile im Raum abzubilden. In der Regel wird dieses Werkzeug entweder mit vollständigen 2D-/3D-Drift-Diffusionssimulationen oder mit dem 3D-Modell eines großflächigen elektrischen Schaltkreises verwendet. Weitere Informationen zu diesem Werkzeug finden Sie in Abschnitt 12.

Scanning probe microscopy editor window showing controls for applied voltage in volts and scan section selection (e.g., whole device).
Editor für Rasterkraftmikroskopie (SPM) – hier können Sie die angelegte Vorspannung und den Abtastbereich für elektrische Simulationen konfigurieren, die auf der SPM-Technologie basieren.