Σπίτι Παραδείγματα Στιγμιότυπα οθόνης Εγχειρίδιο χρήστη Λογότυπο της Bluesky YouTube ☰
OghmaNano Πλατφόρμα προσομοίωσης πολλαπλών φυσικών πεδίων για οπτοηλεκτρονικές συσκευές και φωτονικά συστήματα. Λήψη Οδηγός γρήγορης εκκίνησης

Επεξεργαστής παρασιτικών στοιχείων

1. Επισκόπηση

Στην πράξη, οι πραγματικές συσκευές σπάνια συμπεριφέρονται όπως οι ιδανικές δίοδοι. Η αντίσταση σειράς από τα ηλεκτρόδια και την καλωδίωση, η διαρροή μέσω ατελών μονωτικών διαδρομών και το «επιπλέον» πάχος του διηλεκτρικού υλικού από την ενθυλάκωση ή τις στρώσεις απομόνωσης, τροποποιούν την μετρούμενη απόκριση. Ο επεξεργαστής παρασιτικών στοιχείων σάς επιτρέπει να λάβετε υπόψη αυτές τις επιδράσεις κατά την προσομοίωση συσκευών με δύο ακροδέκτες (π.χ. OLED/LED, ηλιακά κύτταρα, φωτοδίοδοι). Οι παράμετροι περιλαμβάνονται αυτόματα κατά τη δημιουργία καμπυλών JV και σχετικών γραφημάτων.

2. Παράμετροι

Ο επεξεργαστής εμφανίζει τρεις παραμέτρους:

OghmaNano main window with the Electrical ribbon showing the Parasitic components editor entry point.
Στο κύριο παράθυρο προσομοίωσης του OghmaNano, ανοίξτε τον επεξεργαστή παρασιτικών στοιχείων από την καρτέλα "Ηλεκτρικά". (Αυτό αντιστοιχεί στην πρώτη εικόνα που παρείχατε.)
Parasitic components editor with fields for Shunt resistance (Ω·m²), Series resistance (Ω), and Other layers (m).
Επεξεργαστής παρασιτικών στοιχείων — διαμορφώστε την αντίσταση παράλληλης σύνδεσης (Ω·m²), την αντίσταση σειράς (Ω) και τις άλλες στρώσεις (m). (Αυτό αντιστοιχεί στη δεύτερη εικόνα οθόνης που παρείχατε.)
Equivalent circuit: diode and geometric capacitance in parallel with a shunt resistor, all followed by a series resistor.
Ισοδύναμο κύκλωμα για τις παρασιτικές συνιστώσες – δίοδος και γεωμετρική χωρητικότητα σε παράλληλη σύνδεση με αντίσταση παράκαμψης, και αντίσταση σε σειρά στις ακροδέκτες.

3. Πώς εφαρμόζονται.

Για τις συσκευές με δύο ακροδέκτες (OLED/LED, ηλιακά κύτταρα, φωτοδίοδοι και παρόμοιες), αυτές οι παράμετροι περιλαμβάνονται αυτόματα στα προσομοιωμένα χαρακτηριστικά JV και στις αποκρίσεις μικρού σήματος. Για τις συσκευές με περισσότερους από δύο ακροδέκτες (π.χ. OFET και άλλες δομές που μοιάζουν με τρανζίστορ ή πολύπλοκες πολυ-ακροδεκτικές δομές), δεν είναι σαφές σε ποιους ακροδέκτες πρέπει να εφαρμοστεί ένα μόνο ζεύγος στοιχείων σε σειρά/παράλληλη σύνδεση· επομένως, αυτές οι παρασιτικές παράμετροι δεν εφαρμόζονται αυτόματα. Σε αυτές τις περιπτώσεις, προσθέστε ισοδύναμες παρασιτικές τιμές κατά τη μετα-επεξεργασία, σύμφωνα με τη διαμορφωμένη ρύθμιση μέτρησης που έχετε επιλέξει.

Γεωμετρική χωρητικότητα με «άλλα στρώματα». Στην πράξη, η πειραματικά μετρημένη γεωμετρική χωρητικότητα μιας συσκευής δεν ταιριάζει πάντα με την τιμή που προβλέπεται από τον απλό τύπο της διηλεκτρικής πλάκας. Αυτή η απόκλιση μπορεί να προκύψει για διάφορους λόγους: διαρροή των γραμμών του ηλεκτρικού πεδίου στις άκρες, ηλεκτρόδια που είναι ελαφρώς μεγαλύτερα ή μικρότερα από ό,τι υποτίθεται, ανακρίβειες στο πραγματικό πάχος της συσκευής ή αβεβαιότητα σχετικά με τον τρόπο αντιμετώπισης πολλαπλών ημιαγωγικών στρωμάτων (ιδιαίτερα όταν ορισμένα από αυτά μπορούν να συγκρατήσουν φορτίο).

Για να επιτρέψει στον χρήστη να λάβει υπόψη αυτές τις επιδράσεις, το OghmaNano εισάγει μια επιπλέον παράμετρο, την "Άλλες στρώσεις", η οποία λειτουργεί ως αποτελεσματική διόρθωση πάχους \(\Delta t\). Από προεπιλογή, αυτή η παράμετρος έχει οριστεί σε μηδέν, επομένως, εκτός εάν ο χρήστης την τροποποιήσει ρητά, η χωρητικότητα υπολογίζεται με βάση τη θεωρητική γεωμετρία της συσκευής.

\[ C_{\mathrm{geo}} \;=\; \frac{\varepsilon A}{d + \Delta t}, \]

όπου \(d\) είναι το ονομαστικό πάχος της συσκευής, \(A\) είναι η επιφάνεια της συσκευής και \(\varepsilon = \varepsilon_0 \varepsilon_r\) είναι η διηλεκτρική σταθερά. Ρυθμίζοντας το \(\Delta t\), ο χρήστης μπορεί να φέρει την προσομοιωμένη γεωμετρική χωρητικότητα πιο κοντά στην πειραματικά παρατηρούμενη τιμή, αντισταθμίζοντας τις αβεβαιότητες στη γεωμετρία της συσκευής, στον ορισμό της επαφής ή στην κατανομή του ηλεκτρικού πεδίου. Αυτή η διόρθωση είναι κυρίως σχετική στις μεταβατικές προσομοιώσεις (π.χ., δυναμική φόρτισης/εκφόρτισης) και στους υπολογισμούς στον τομέα της συχνότητας (π.χ., φασματοσκοπία σύνθετης αντίστασης), όπου η ακριβής τιμή της χωρητικότητας επηρεάζει σημαντικά την προσομοιωμένη απόκριση.