OghmaNano
Platforma do symulacji wielofizycznych procesów zachodzących w optoelektronicznych urządzeniach i systemach fotonicznych. POBIERZPrzewodnik szybkiego uruchomienia
📦 Oprogramowanie do symulacji ogniw słonecznych na bazie perowskitów — histereza, jony i zaawansowana optyka.
Główne okno — zaawansowany interfejs 3D umożliwiający efektywne symulowanie działania urządzeń.Zaawansowane metody macierzowe do symulacji rozchodzenia się światła.Krzywe charakterystyki prądowo-napięciowej dla małych prądów.
OghmaNano zawiera wszystkie modele fizyczne niezbędne do symulacji ogniw słonecznych na bazie perowskitów, w tym dedykowany moduł do obliczeń związanych z ruchliwością jonów. W przeciwieństwie do uproszczonych metod, które uwzględniają jedynie prąd stały, OghmaNano wykonuje pełne symulacje w dziedzinie czasu, odzwierciedlające rzeczywiste warunki pomiarowe, co pozwala na analizę dynamicznych zjawisk, takich jak histereza, migracja jonów, degradacja i odpowiedź przejściowa.
Generację optyczną można obliczyć za pomocą metody macierzy przenoszenia (TMM) dla cienkich warstw lub za pomocą śledzenia promieni dla struktur rozpraszających/o fakturze. Profile generacji w funkcji głębokości są automatycznie uwzględniane w rozwiązaniu równań dyfuzji i dryfu elektrycznego, które obejmuje równanie Poissona, stany pułapkowe i realistyczne kontakty.
🚀 Co możesz zrobić.
Dynamika jonów w układach mobilnych: symulacja dryfu/dyfuzji jonów, ekranowania pola oraz tworzenia się podwójnej warstwy jonowej w warunkach przyłożonego napięcia i oświetlenia.
Histereza w warunkach zbliżonych do rzeczywistych: wykonaj pomiary w trybie sekwencyjnym (do przodu/do tyłu) charakterystyki J–V, kontrolując szybkość pomiaru, napięcie wstępne, opóźnienie i kierunek pomiaru.
Pułapki i interfejsy: Uwzględnij rozkłady pułapek w całej objętości materiału oraz w obszarze interfejsu, aby zbadać rekombinację wspomaganą przez pułapki (SRH) oraz prędkości rekombinacji na interfejsie.
Stan ustalony, stan przejściowy i prąd zmienny: symulacja charakterystyki prądowo-napięciowej (J–V) dla obwodów stałoprądowych, termoelektrycznych generatorów/konwerterów (TPV/TPC), charakterystyki częstotliwościowej małych sygnałów oraz zmian prądu/napięcia w zależności od oświetlenia.
Dla modeli optycznych i nośników: wykorzystaj metodę TMM lub śledzenia promieni do obliczenia absorpcji/generacji w warstwach wielowarstwowych; wyniki wprowadź bezpośrednio do modelu transportu.
Architektury: opracowanie modeli płaskich, mezoporowatych i tandemowych ogniw perowskitowych z selektywnymi kontaktami i asymetrycznymi interfejsami.
Ekstrakcja parametrów: dopasowanie danych J–V, EQE i Suns–VOC w celu określenia mobilności nośników, gęstości pułapek, długości dyfuzji i współczynników rekombinacji.
Tworzenie skryptów i wykonywanie sekwencji testów: Wykorzystaj zintegrowany silnik Lua do automatyzacji sekwencyjnych testów parametrów, testów stabilności i analiz grupowych.
🧪 Przykłady skalibrowane na podstawie danych z rzeczywistych urządzeń
OghmaNano zawiera gotowe, skalibrowane przykłady planarnych, mezoporowatych i tandemowych ogniw słonecznych z perowskitu. Można odtworzyć opublikowane wyniki, modyfikować parametry lub przeprowadzać pomiary histerezy w funkcji czasu, aby dopasować je do własnych danych.
Załaduj płaski lub mezoporowaty stos i zdefiniuj rodzaje jonów, rozkłady pułapek oraz selektywność kontaktu.
Nałóż na wykres eksperymentalne dane J–V, EQE lub Suns–VOC w celu określenia parametrów.
Zbadaj zależność histerezy od szybkości skanowania, napięcia wstępnego i ruchliwości jonów.
🔧 Stworzony z myślą o badaczach i specjalistach od modelowania.
Niezależnie od tego, czy analizujesz migrację jonów, histerezę, czy ścieżki rekombinacji, OghmaNano zapewnia szczegółowe informacje na temat wewnętrznej fizyki urządzeń perowskitowych. Jest to idealne narzędzie do celów edukacyjnych, badawczych i do tworzenia prototypów – a wszystko to jest dostępne bezpłatnie.
☰
