Strona główna Przykłady Zrzuty ekranu Instrukcja obsługi Logo Bluesky. YouTube ☰
OghmaNano Platforma do symulacji wielofizycznych procesów zachodzących w optoelektronicznych urządzeniach i systemach fotonicznych. POBIERZ Przewodnik szybkiego uruchomienia

Samouczek dotyczący ogniw słonecznych z perowskitu (PSC), część A: szybki start – przeprowadź symulację swojego pierwszego urządzenia z perowskitu.

Crystal structure of a perovskite lattice showing the ABX₃ arrangement of atoms
Schematyczna reprezentacja struktury krystalicznej sieci perovskitu (ABX₃). Duże kule oznaczają kationy znajdujące się w węzłach A, średnie kule – kationy w węzłach B, a małe kule – aniony w węzłach X. Ta prosta, kubiczna struktura stanowi podstawę wyjątkowych właściwości optoelektronicznych ogniw słonecznych wykonanych z perovskitu.

Perowskitowe ogniwa słoneczne to jeden z najszybciej rozwijających się obszarów badań w dziedzinie fotowoltaiki, o czym świadczy ponad 30 000 publikacji od czasu przełomowych odkryć około 2012 roku. Ich dynamiczny rozwój jest napędzany przez rekordowe wartości sprawności konwersji energii, przekraczające 25%, co stawia je w czołówce technologii solarnych, obok ogniw krzemowych. Jednocześnie perowskity stanowią unikalne wyzwanie: problemy takie jak migracja jonów, histereza i dynamiczne zmiany strukturalne utrudniają ich pełne zrozumienie w porównaniu z konwencjonalnymi półprzewodnikami.

W tym samouczku wykorzystujemy standardową i powszechnie badaną strukturę – FTO / TiO₂ / MAPbI₃ (??) / Spiro-OMeTAD / Au – aby przedstawić podstawy symulacji ogniw słonecznych na bazie perowskitów w programie OghmaNano. W kilku prostych krokach uruchomisz oprogramowanie, zbudujesz strukturę urządzenia, przeprowadzisz pomiar charakterysty prądowo-napięciowej i przeanalizujesz kluczowe wyniki, takie jak Jsc, Voc, współczynnik wypełnienia i sprawność. Gdy opanujesz tę podstawową strukturę urządzenia, biblioteka przykładów zawiera bardziej zaawansowane systemy i mieszanki perowskitów, które możesz dalej badać.

Krok 1: Uruchom OghmaNano.

Uruchom program OghmaNano z menu Start systemu Windows. Pojawi się główne okno programu OghmaNano, jak pokazano na ilustracji ??.

OghmaNano start window with options to create a new simulation, open a project, or access recent files
Okno startowe programu OghmaNano. Można utworzyć nową symulację, otworzyć istniejący projekt lub uzyskać dostęp do ostatnio używanych plików.

Krok 2: Utwórz nową symulację.

Kliknij „Nowa symulacja”. Spowoduje to otwarcie biblioteki dostępnych typów urządzeń, jak pokazano na ilustracji ??. Kliknij dwukrotnie „Komórki perowskitowe” (podświetlone na czerwono), aby otworzyć folder z przykładami perowskitów. Zobaczysz listę gotowych symulacji, takich jak urządzenie MAPbI₃ i ogniwo słoneczne perowskitowe, jak pokazano na ilustracji ??. W ramach tego samouczka wybierz szablon „Ogniwo słoneczne perowskitowe”. Po wyświetleniu monitu zapisz symulację w folderze, do którego masz uprawnienia zapisu.

💡 Wskazówka: Aby uzyskać najlepszą wydajność, zapisz dane na lokalnym dysku, na przykład C:\. Symulacje przechowywane w folderach sieciowych, na dyskach USB lub w chmurze (np. OneDrive) mogą działać wolniej ze względu na dużą liczbę operacji odczytu/zapisu.

OghmaNano new simulation window with device categories including perovskite cells, OLEDs, OFETs, GaAs demos, ray tracing, and FDTD examples
Nowe okno symulacji zawiera bibliotekę typów urządzeń i przykładowych projektów. Kliknięcie dwukrotne kategorii otwiera wcześniej skonfigurowane symulacje – na przykład folder „Komórki perowskitowe”, który jest wyróżniony na ilustracji.
OghmaNano perovskite solar cell examples list showing preconfigured MAPbI₃ device and Perovskite solar cell templates
W ramach kategorii ogniw perowskitowych można wybrać spośród kilku gotowych struktur urządzeń, w tym MAPbI₃ oraz ogólnej konstrukcji ogniwa słonecznego perowskitowego. Te szablony zawierają gotowe do uruchomienia symulacje, które można dostosować, aby zbadać, w jaki sposób parametry materiałowe i warstwy wpływają na wydajność.

Krok 3: Uruchom symulację.

Po wybraniu szablonu otwiera się główne okno symulacji (patrz ??). Aby rozpocząć, kliknij przycisk „Uruchom symulację” (niebieska ikona odtwarzania) lub naciśnij klawisz F9. W zależności od mocy komputera, obliczenia mogą trwać kilka sekund. Możesz również użyć przycisków xy/yz/xz (w lewym dolnym rogu), aby zmienić orientację urządzenia w widoku 3D.

Main OghmaNano interface showing the Run Simulation button and a 3D cross-section of a perovskite solar cell stack with layers labelled FTO, TiO₂, Perovskite, Spiro, and Au.
Główny OghmaNano interfejs symulacji. Pasek narzędzi zapewnia szybki dostęp do często używanych funkcji, takich jak tworzenie/otwieranie symulacji, eksportowanie wyników i uruchamianie solvera. Widok urządzenia 3D wyświetla układ warstw, tutaj. FTO / TiO₂ / Perowskit / Spiro / AuKliknij podświetlony element. Uruchom symulację. przycisk (lub naciśnij) F9) aby rozpocząć obliczenia.
OghmaNano Output tab showing the working directory with simulation result files such as jv.csv, optical_output, snapshots, and time-dependent current/voltage data.
Zakładka „Wyniki” w programie OghmaNano. Tutaj można przeglądać zawartość katalogu roboczego dla bieżącej symulacji. Typowe wyniki obejmują: jv.csv (dane dotyczące krzywej prądu i napięcia), optical_output (wyniki dotyczące pola optycznego), snapshots (pola zależne od czasu) oraz pliki CSV z rozdzielczością czasową (time_j.csv, time_v.csv itp.). Kliknij dwukrotnie dowolny plik, aby otworzyć go w odpowiednim programie do przeglądania lub edycji.

Krok 4: Przejrzyj wyniki.

Current density–voltage (JV) curve of a perovskite solar cell. The plot shows Jsc, Voc, and Pmax marked with arrows.
Przykładowa krzywa zależności gęstości prądu od napięcia (JV) dla ogniwa słonecznego wykonanego z perowskitu. Jsc (gęstość prądu zwarciowego) to wartość prądu przy napięciu równym zero. Voc (napięcie w obwodzie otwartym) to napięcie, przy którym gęstość prądu spada do zera. Pmax oznacza punkt pracy, w którym iloczyn gęstości prądu i napięcia jest maksymalny, co odpowiada maksymalnej mocy wyjściowej urządzenia.

Otwórz. Wynik / Dane wyjściowe zakładka (??) aby przejrzeć pliki zapisane na dysku. Kliknij dwukrotnie. jv.csv aby wykreślić krzywą charakterystyki ogniwa słonecznego (patrz: ??). Możesz nacisnąć g w oknie wykresu można włączyć lub wyłączyć wyświetlanie siatki. Analizując krzywą JV, zwróć uwagę na następujące elementy (oznaczone na wykresie):

Wszystkie te parametry razem tworzą zestaw standardowych wskaźników, na podstawie których ocenia się jakość ogniw słonecznych.

Brawo! Właśnie przeprowadziłeś/aś swoje pierwsze symulacje perowskitu i wygenerowałeś/aś jego charakterystykę prądowo-napięciową 🎉

💡 Pokaż odpowiedź

Ta krzywa charakterystyki prądowo-napięciowej (JV) wyraźnie wskazuje na występowanie histerezy – w rzeczywistości zawiera dwie nakładające się krzywe charakterystyki prądowo-napięciowej, w zależności od tego, czy pomiar jest wykonywany w kierunku rosnącym, czy malejącym. W przypadku ogniw słonecznych na bazie perowskitów zjawisko to wynika z faktu, że ruchome jony (takie jak luki jodoionowe) przemieszczają się pod wpływem przyłożonego pola elektrycznego. Jony te ulegają redystrybucji podczas zmiany napięcia, co wpływa na lokalne pola elektryczne i ścieżki ekstrakcji ładunku. W rezultacie urządzenie wykazuje odpowiedź zależną od czasu, co objawia się jako histereza na krzywej charakterystyki prądowo-napięciowej.

💡 Pokaż odpowiedź

W ogniwach słonecznych na bazie perowskitów zjawisko histerezy może znacznie utrudnić określenie standardowych parametrów, takich jak punkt maksymalnej mocy, napięcie w obwodzie otwartym, prąd zwarciowy, a nawet współczynnik wypełnienia. Wygląd krzywej prądowo-napięciowej (JV) może się różnić w zależności od kierunku i prędkości pomiaru oraz historii działania ogniwa, co komplikuje porównywanie wyników i sprawia, że odtwarzalność staje się kluczowym wyzwaniem w badaniach nad perowskitami.

Krok 5: Zmiana trybu symulacji na tryb stanu ustalonego.

OghmaNano Simulation type ribbon highlighting how to switch from Perovskite (time-domain) to JV curve (steady-state) mode.
Przejście do stanu ustalonego: w zakładce „Typ symulacji” wybierz opcję „Krzywa J-V”, aby uruchomić symulację krzywej J-V w stanie ustalonym, bez efektu histerezy.

W przedstawionej symulacji uruchomiliśmy ją w trybie histerezy, który jest symulacją w dziedzinie czasu. Tryb ten uwzględnia, w jaki sposób przyłożone napięcie powoduje redystrybucję ruchomych jonów w perowskitach w czasie. Zmienialiśmy napięcie od niskiego do wysokiego, a następnie z powrotem, i – jak można zobaczyć na wykresie JV – przebiegi w kierunku rosnącym i malejącym nie pokrywały się ze względu na ten ruch jonów (histerezę). Jak wspomniano wcześniej w polach z pytaniami, taka histereza utrudnia określenie stabilnych wartości dla PCE, JSC, VOC i Pmax, ponieważ mogą one zależeć od poprzedniego stanu urządzenia. W dalszej części tego samouczka wyłączymy histerezę i uruchomimy symulację w trybie stanu ustalonego. Aby to zrobić, przejdź do zakładki „Typ symulacji” w głównym oknie OghmaNano i kliknij „Wykres JV” (patrz ??).

✅ Czego można się spodziewać

W stanie ustalonym wykres charakterystyki prądowo-napięciowej powinien teraz przedstawiać pojedynczą, płynną krzywą (bez nakładania się fragmentów odpowiadających kierunkowi przepływu prądu). Zwróć uwagę na wartości parametrów Jsc, Voc, FF i PCE i porównaj je z wynikami wcześniejszego pomiaru histerezy, aby ocenić, w jaki sposób efekty jonowe wpłynęły na te parametry.

Krok 6: Wyniki symulacji.

Table 1: Files produced by the JV simulation
Nazwa pliku Opis
jv.csvZależność gęstości prądu od napięcia (krzywa J-V)
plik charge.csvZależność gęstości ładunku od napięcia.
plik.datTrójwymiarowy model urządzenia
dane_do_dopasowania*.inpDane eksperymentalne dotyczące przykładowego urządzenia (jeśli są dostępne).
k.csvZależność parametru rekombinacji od napięcia.
reflect.csv / transmit.csvWspółczynnik odbicia / współczynnik przepuszczalności światła
zdjęcia/Charakterystyki elektryczne (zależne od polaryzacji/czasu); patrz ??.
obrazy_optyczne/Obraz pola/natężenia światła w danym momencie; patrz ??.
plik sim_info.datPodsumowanie (VOC, JSC, FF, η); patrz ??.
pamięć podręczna/Przejściowe dane przechowywane w pamięci podręcznej; szczegółowe informacje w ??.

Każda symulacja generuje zestaw danych, które oddają różne aspekty zachowania urządzenia – od surowych krzywych prądowo-napięciowych i gęstości ładunków, po widma optyczne, stałe rekombinacji oraz migawki pól elektrycznych lub optycznych. Pliki te są zazwyczaj prostymi plikami CSV, które można bezpośrednio otworzyć wbudowanymi przeglądarkami w programie OghmaNano lub przetwarzać w inny sposób (np. poprzez tworzenie wykresów w programach Excel lub Python). Najważniejsze dane wyjściowe dla podstawowych badań nad perowskitem zostały podsumowane w tabeli 1 poniżej.

👉 Kolejne kroki: