📦 Програмне забезпечення для моделювання перовськитних сонячних елементів — гістерезис, іони та передова оптика.
Основне вікно — розширений тривимірний інтерфейс для ефективного моделювання роботи пристроїв.Удосконалені методи матричного переносу для моделювання поширення світла.Криві залежності сили струму від напруги (для малих струмів).
OghmaNano містить усі необхідні фізичні моделі для моделювання перовськитних сонячних елементів, зокрема спеціалізований модуль для розв’язання задач, пов’язаних із рухом іонів. На відміну від спрощених підходів, які враховують лише постійний струм, OghmaNano виконує повноцінне моделювання в часовій області, що дозволяє відтворити реальні умови вимірювання та досліджувати динамічні ефекти, такі як гістерезис, міграція іонів, деградація та перехідні процеси.
Оптичне генерування можна розрахувати за допомогою методу передаточних матриць (МПМ) для тонких плівок або за допомогою трасування променів для розсіяних/текстурованих шарів. Профілі генерування, що залежать від глибини, автоматично інтегруються в електричний розв’язувач рівнянь дрейфу-дифузії з рівнянням Пуассона, рівнями пасток і реалістичними контактами.
🚀 Що ви можете зробити
Динаміка рухливих іонів: моделювання іонного дрейфу/дифузії, екранування поля та формування іонного подвійного шару під дією зовнішнього поля та освітлення.
Гістерезис за умов реальних циклів: виконуйте прямі/зворотні сканування кривих залежності струму від напруги (J–V), контролюючи швидкість сканування, початкову напругу, затримку та напрямок сканування.
Пастки та міжфазні області: включіть дані про об’ємну концентрацію пасток і розподіл пасток на міжфазній межі для вивчення рекомбінації, що відбувається за участю пасток (модель SRH), і швидкості рекомбінації на міжфазній межі.
Стаціонарний режим, перехідні процеси та змінний струм: моделювання характеристик постійного струму (J–V), термоелектричних перетворювачів/термофотогальванічних комірок, частотної характеристики малого сигналу та перехідних процесів при зміні освітленості.
Від оптики до носіїв заряду: використовуйте метод передачі матриці (TMM) або метод трасування променів для обчислення поглинання/генерації в багатошарових структурах; передавайте результати безпосередньо в модуль, що описує транспорт.
Архітектури: розробка планарних, мезопористих і тандемних перовськитних елементів із селективними контактами та асиметричними інтерфейсами.
Визначення параметрів: шляхом аналізу даних залежностей J–V, EQE та Suns–VOC визначаються рухливість носіїв заряду, концентрація пасток, довжина дифузії та коефіцієнти рекомбінації.
Створення сценаріїв і серійні обчислення: використовуйте вбудований рушій Lua для автоматизації серійних обчислень параметрів, тестів на стабільність і пакетного аналізу.
OghmaNano містить попередньо налаштовані, відкалібровані приклади планарних, мезопористих і тандемних перовскітних сонячних елементів. Ви можете відтворити опубліковані результати, змінити параметри або провести дослідження гістерезису в часовій області, щоб зіставити їх зі своїми власними даними.
Завантажте плоску або мезопористу структуру та визначте типи іонів, розподіл пасток і селективність контакту.
Нанесіть на графік експериментальні дані J–V, EQE або Suns–VOC для визначення параметрів.
Дослідіть залежність гістерезису від швидкості сканування, попереднього зміщення та рухливості рухомих іонів.
🔧 Розроблено для дослідників і фахівців з моделювання.
Незалежно від того, чи ви досліджуєте міграцію іонів, гістерезис або механізми рекомбінації, OghmaNano надає детальну інформацію про внутрішню фізику перовськитних пристроїв. Він ідеально підходить для навчання, наукових досліджень і створення прототипів — і все це безкоштовно.
☰
