Editor de contatos
1. Visão geral
O Editor de contatos é usado para definir contatos. Os contatos fazem parte do modelo elétrico e determinam como a carga é injetada no dispositivo, ou removida dele. Com este editor, você define a posição do contato, atribui um nome, especifica como a tensão é aplicada (e o valor), e define as densidades de portadores e o modelo físico relevantes no contato. Esta página do manual fornece uma visão geral dessas configurações.
Para abrir o editor, vá para a janela principal, selecione a aba Device e clique no botão Contacts (??). Isso abre ??, que é a janela principal do Editor de contatos.
Colunas do editor de contatos
- Name: Um nome em inglês para o contato. Pode ser qualquer rótulo (por exemplo top, gate, collector).
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Top/Bottom: A posição do contato. As opções incluem
Top (y0),Bottom (y1),Left (x0),Right (x1),Front (z0),Back (z1), ou simplesmenteX,Y,Z.
Elas indicam a localização coordenada do contato. - Contatos left/right são frequentemente usados em geometrias de transistores com injeção lateral. - Contatos top/bottom são típicos em dispositivos planares, como OLEDs ou células solares. - ContatosX/Y/Zpermitem injeção em um ponto específico do dispositivo, sendo frequentemente usados em modelagem de dispositivos de grande área. -
Applied voltage: Define como a tensão é aplicada ao contato.
Opções:
- Constant bias: Mantém o contato em um potencial fixo, que pode ser diferente de zero. Útil em dispositivos multi-terminais, onde um terminal é mantido em uma tensão definida.
- Change: A tensão de varredura da simulação é aplicada a este contato (por exemplo, para simulações de curva J–V).
- Ground: Define o contato como referência de 0 V.
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Charge density / Fermi offset: define a densidade de portadores em equilíbrio
no contato, de acordo com a estatística de Maxwell–Boltzmann:
\( n = N_c \exp\left(-\frac{E_c - E_f}{kT}\right) \),
\( p = N_v \exp\left(-\frac{E_f - E_v}{kT}\right) \).
A densidade de carga deve ser menor que a densidade efetiva de estados definida no editor elétrico. O Fermi offset indica o quão distante o nível de Fermi do contato está da borda de banda. Normalmente este é um número positivo (dentro da banda). Valores negativos só devem ser usados em circunstâncias excepcionais.
Nota: O arquivo JSON armazena a densidade real de portadores; o deslocamento de Fermi é calculado para conveniência do usuário. - Majority carrier: especifica se o contato injeta lacunas ou elétrons como portador dominante.
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Physical model: Descreve o comportamento elétrico do contato:
- Ohmic: contato ideal, totalmente condutor.
- Fully blocking: sem transferência de carga através do contato.
- Ohmic + barrier: ôhmico, mas com uma barreira rasa de injeção implementada via um ponto de malha de contorno. Útil para simular curvas J–V em forma de S.
- Schottky: contato com barreira retificadora, não ôhmico.
- ID: Coluna oculta contendo o identificador JSON do contato. Isso é usado em scripting e automação.
Configurações de portador minoritário
Clique na seta do menu suspenso Minority carrier para revelar a tabela de portador minoritário. Por padrão, a parte superior do Editor de contatos foca nas configurações de Majority carrier e assume que o portador minoritário será tratado automaticamente (isto é, complementar à escolha do majoritário).
O pareamento de portadores é fixado pela física: se o portador majoritário for hole, o minoritário será electron; se o majoritário for electron, o minoritário será hole. O que você pode escolher, entretanto, são as condições de contorno aplicadas ao portador minoritário em cada contato (via o modelo físico).
- Ohmic (para ambos os portadores): Apropriado para dispositivos nos quais ambos os portadores são bem injetados/extraídos — por exemplo, muitos diodos laser (por exemplo, GaAs) com contatos altamente condutores.
- Comportamento seletivo/bloqueante: Comum em células solares. Você pode definir o portador majoritário como Ohmic (para extraí-lo eficientemente), ao mesmo tempo em que define o Minority carrier no mesmo eletrodo como Fully blocking (para suprimir recombinação). Variações como Ohmic + barrier ou um modelo Schottky permitem ajustar seletividade parcial.
Na prática, para células solares, introduzir bloqueio de portador minoritário no contato do portador “errado” frequentemente melhora a seletividade e pode aumentar a tensão de circuito aberto VOC em cerca de 0.1–0.2 V, dependendo do dispositivo e de como os contornos são configurados. Use a tabela de portador minoritário para definir essas condições de contorno explicitamente.