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使用 OghmaNano 模拟 IMPS/IS 实验

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Frequency domain simulations

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Re(i) - Im(i)

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Frequency v.s. Im(i)

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Frequency v.s. Re(i)

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Simulation setup

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通过使用 OghmaNano 模拟 强度调制光电流谱（IMPS）和 阻抗谱（IS），深入理解您的实验数据。 这些工具可帮助您研究关键物理参数（如载流子迁移率、陷阱、复合速率以及寄生电路元件）如何影响器件的频率响应。

施加电压或光强调制，观察所得电流和电压随频率的变化。 可在频域分析与时域瞬态之间无缝切换，以可视化相位和幅值随时间的演化。 这种双重视角有助于将器件中的动态过程与其测量得到的频率响应联系起来。

主要特性：

• 用于 IMPS 和 IS 测量的直观、快速仿真设置。
• Nyquist 图（Re(i) 对 Im(i)），用于可视化复阻抗行为。
• Bode 风格图（频率对 Re(i)，频率对 Im(i)），用于幅值和相位分析。
• 同时在频域和完整时域瞬态中检查结果。
• 在同一器件结构上快速切换 IMPS/IS 仿真与 JV（电流–电压）仿真。
• 兼容光强调制和电压调制测量。
• SRH 陷阱建模——模拟 Shockley–Read–Hall 缺陷态对频率响应的影响，包括陷阱密度、能级和俘获截面效应。
• 温度相关频率扫描，用于研究在不同工作条件下迁移率、复合和陷阱行为的变化。
• 批处理模式，可在一次自动化运行中对不同偏置电压、光照水平或器件配置执行多组扫描。
• 导出为标准格式（如 CSV），以便在 MATLAB、Python 或 ZView 等专业拟合工具中进行分析。
• 提供分步视频教程，点击此处观看。

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