Редактор часової області

Редактор часової області можна використовувати для налаштування моделювань у часовій області, що показано на рисунку 4.6. Як зазначено в попередньому розділі, один редактор моделювання можна використовувати для редагування кількох експериментів. На панелі ліворуч відображено редактор, який використовується для редагування моделювання CELIV, а на панелі праворуч – редактор, який використовується для редагування моделювання TPC. Нові кнопки «Створити», «Видалити» та «Клонувати» у верхній частині вікна можна використовувати для створення нових режимів моделювання. Таблицю в нижній частині вікна можна використовувати для налаштування часової сітки, застосування напруг або світлових імпульсів.

На рисунку 4.8 показано різні вкладки редактора часової області. Зображення ліворуч показує схему кола, яка використовується для моделювання експерименту CELIV. Діод ліворуч представляє модель дифузії, а інші компоненти – різні паразитні компоненти. Після діода ліворуч розташовано конденсатор, який використовується для моделювання заряду на пластинах пристрою, потім шунтуючий опір і, нарешті, послідовний опір. Останній резистор праворуч представляє зовнішній опір вимірювального обладнання, за замовчуванням він встановлений на нуль, але варто перевірити. У випадаючому меню у верхньому лівому куті зображення, над схемою кола, вказано тип навантаження, що може змінити навантаження кола з того, що показано на малюнку, до ідеального діода, де не показано жодних паразитних компонентів, або до пристрою у відкритому колі, який використовується для моделювання вимірювань перехідної фотонапруги. Зображення праворуч показує параметри конфігурації вікна часової області. Зверніть увагу на опцію «Обсяг вихідних даних на диск», як описано в попередньому розділі, ви знову і знову побачите її в OghmaNano.

\(C=\dfrac{\varepsilon_r \varepsilon_0 A}{d+\Delta}\)

Оскільки сонячні елементи використовують широкі, плоскі електроди, розділені діелектриками, існує також ємність пристрою, яка важлива для вимірювань у перехідних режимах. У наведеному вище виразі A – площа пристрою, d – геометрична товщина, \(\varepsilon_r\) – відносна діелектрична проникність, а \(\varepsilon_0\) – діелектрична проникність вакууму. На практиці виміряна ємність часто відрізняється від ідеальної ємності плоскопаралельного конденсатора. Параметр «Інші шари», Δ, у редакторі «Паразитні компоненти» – це сумарне коригування товщини, яке узгоджує виміряну ємність із геометрією та будь-якими додатковими діелектриками, які не були явно змодельовані.