Редактор частотної області
1. Загальний огляд
Плагін частотного аналізу дає змогу моделювати частотну характеристику пристрою. За допомогою цього інструменту можна проводити імпедансну спектроскопію, а також оптично збуджені вимірювання, такі як спектроскопія з модуляцією інтенсивності (IMPS) і спектроскопія з модуляцією напруги (IMVS). Редактор домену дозволяє налаштовувати частотні моделювання. Це показано нижче на рисунках. [рис.: сітка області визначення функції] і [рис.: схема доменної мережі]Зліва розташований редактор сітки частотної області, який використовується для визначення того, які частоти будуть моделюватися.
Зображення. [рис.: схема доменної мережі] показує. схема; коло; маршрут; об’їжджати вкладка вікна частотної області,
у ній задаються електричні параметри моделювання. Можна змоделювати ідеальний діод (це найшвидший тип моделювання), діод з паразитними компонентами або діод у розімкнутому контурі. Ідеальний діод використовуватиметься для моделювання IMPS, а модель розімкнутого контуру – для моделювання IMVS. Обирайте схему залежно від умов, які ви хочете змоделювати. Якщо вам потрібні приклади частотного моделювання, перегляньте нове вікно моделювання в розділі «Органічні сонячні елементи», деякі пристрої PM6:Y6 вже мають налаштовані приклади частотного моделювання.
ideal_diode_ideal_load) і перегляньте еквівалентну схему.2. Великий сигнал або малий сигнал
Існують два способи моделювання частотних характеристик у моделі пристрою: метод великого сигналу або метод малого сигналу. Метод малого сигналу передбачає, що розглядавана проблема змінюється лінійно відносно точки постійного струму, і це може бути правдою або ні, залежно від умов. Однак цей метод є обчислювально швидким. Другий підхід полягає у використанні методу великого сигналу, і замість моделювання лінійної зміни навколо певної точки, моделюється часова характеристика пристрою в цілому для кожної досліджуваної довжини хвилі. Цей метод краще підходить для нелінійних систем, і немає потреби турбуватися про те, чи перебуваємо ми в режимі великого чи малого сигналу, але він є повільнішим. OghmaNano використовує метод великого сигналу.
3. Вхідні дані
На рисунку 4.9 можна побачити вкладку «Налаштування» вікна частотної області. Вона визначає, як саме буде виконуватися моделювання. Детальніше про це описано нижче в таблиці 4.2.
| Назва файлу | Опис |
|---|---|
| Цикли для моделювання. | Кількість повних періодів заданої частоти, які моделюються. |
| Захоплюйте, надихайте. | Яким чином відбувається збудження пристрою: за допомогою світла чи електричного струму. |
| Вузли сітки в області FX. | Кількість часових інтервалів, що використовуються для моделювання кожного циклу. |
| Навантажувальний резистор | Зовнішній резистор навантаження, зазвичай встановлений на нульове значення. |
| Вимірювати/розмір | Що вимірюється: сила струму чи напруга. |
| Глибина модуляції | Наскільки сильно змінюється амплітуда постійної напруги/струму. |
| Збільшити обсяг виведеної інформації та зберегти її на диску. | Який обсяг даних зберігається на диску (описано в інших розділах). |
| Виводити детальну інформацію на екран. | Який обсяг даних відображається на екрані (описано в інших розділах). |
| Підберіть потрібний період. | Кількість циклів у частотній області, які використовуються для визначення фазового кута. |
| Тип моделювання | Залиште це значення як «Великий сигнал». |
| \(V_{external}\) | Зовнішня напруга, що подається на елемент. |
4. Результати
| Назва файлу | Опис | Примітки |
|---|---|---|
| fx_abs.csv | fx проти \(\lvert i(fx) \rvert\) | |
| fx_C.csv | Ефект Фардея проти ємності | |
| fx_imag.csv | fx проти Im(i(fx)) | |
| fx_phi.csv | fx проти \(\angle i(fx)\) | |
| fx_R.csv | FX проти опору. | |
| fx_real.csv | fx проти Re(i(fx)) | |
| real_imag.csv | Re(i(fx)) проти Im(i(fx)) |