Головна Приклади Знімки екрана Інструкція користувача Логотип Bluesky. YouTube ☰
OghmaNano Мультифізична платформа для моделювання оптоелектронних пристроїв і фотонних систем. ЗАВАНТАЖИТИ Короткий посібник зі швидкого старту

Режими моделювання та редактори для створення моделей.

1. Вступ

OghmaNano використовує модульну архітектуру, що базується на плагінах, яка застосовує один і той самий основний алгоритм для різних типів електричного та оптичного моделювання. Кожен плагін адаптує цей алгоритм дещо по-різному: наприклад, один виконує розрахунки стаціонарних характеристик струм-напруга, інший – аналіз у частотній області, а третій – обчислює зовнішню квантову ефективність (EQE). Кожен плагін представлений піктограмою на панелі інструментів редакторів моделювання (??), на яку можна натиснути, щоб відкрити редактор плагіна та налаштувати параметри моделювання.

Editors ribbon with icons for JV, Time-domain, Frequency-domain, CV, Suns–Voc, Suns–Jsc, Charge extraction, Steady-state PL, Exciton, Quantum efficiency, Electrical equilibrium, and related tools.
Панель редактора — натисніть на значок, щоб відкрити відповідний плагін і налаштувати параметри для проведення електричних або оптичних симуляцій.

2. Редагування режимів моделювання

Натиснувши на відповідну іконку в панелі інструментів редактора моделювання, ви можете відкрити редактор відповідного плагіна та налаштувати параметри виконання цього моделювання. Наприклад, у редакторі JV ви можете задати початкову та кінцеву напруги для циклічного сканування. Два таких набори налаштувань показано на ?? і ??: один експеримент під назвою «Крива JV – низька напруга» (0,02–1,0 В), а інший – «Крива JV – висока напруга» (1,0–10,0 В). Кожен набір налаштувань називається експериментом – це збережена конфігурація параметрів моделювання в межах плагіна. Визначення кількох експериментів особливо корисне у складніших випадках, наприклад, під час досліджень у часовій області, коли потрібно перевірити кілька профілів напруги або світлових імпульсів на одному й тому ж пристрої. Немає фіксованої межі кількості експериментів, які можна створити в кожному плагіні.

JV editor showing an experiment ‘JV curve – low voltage’ with Start 0.02 V, Stop 1.0 V, Step 0.01 V, and step multiplier 1.02.
Редактор кривих струм-напруга — експеримент із низькою напругою (0,02–1,0 В). В одному редакторі можна проводити кілька експериментів одного й того ж типу моделювання.
JV editor showing an experiment ‘JV curve – high voltage’ with Start 1.0 V, Stop 10.0 V, Step 0.01 V, and step multiplier 1.02.
Редактор JV — експеримент із високою напругою (1,0–10,0 В). Названі експерименти зберігаються як налаштування для моделювання.

2. Запуск режиму моделювання.

Колись експеримент після визначення він відображається як піктограма на панелі інструментів у режимах моделювання.??). У цьому прикладі на стрічці відображаються піктограми для обох. Характеристика вольт-амперної кривої – низька напруга. і Вольт-амперна характеристика – висока напругавідповідають експериментам, описаним у ?? і ??Натиснута (активована) іконка вказує на поточний режим — ось тут. Характеристика вольт-амперної кривої – низька напруга.Коли ви натискаєте кнопку відтворення F9), виконується лише обраний режим. В будь-який момент часу може бути активним лише один режим моделювання.

Simulation type ribbon with selectable experiments: JV low voltage (selected), JV high voltage, Suns–Voc, Suns–Jsc, CELIV, IMPS, Transfer-matrix optics, and EQE.
Режим симуляції: стрічка — натиснута іконка.Характеристика вольт-амперної кривої – низька напруга.) — це експеримент, який буде запущено, коли ви натиснете кнопку «Відтворити».F9).

4. Усі плагіни

Нижче наведено перелік доступних плагінів та їх функцій:

Плагін Опис
jv Розрахуйте стаціонарні характеристики струм-напружної кривої.
suns_jsc Змоделюйте криві «Suns» проти «Jsc».
suns_voc Моделювання гри «Санс» проти «Вокс».
eqe Змоделюйте зовнішню квантову ефективність (ЗКЕ).
cv Моделювання залежності ємності від напруги.
ce Проведіть моделювання експериментів із вилучення заряду.
time_domain Розв’язувач у часовій області для розрахунків перехідних процесів.
fx_domain Моделюйте частотну характеристику (електричне та оптичне збудження).
pl_ss Розрахуйте спектр фотолюмінесценції (ФЛ) у стаціонарному стані.
mode Розв’язуйте задачі щодо оптичних мод в одновимірних/двовимірних хвилеводах.
spm Моделюйте скануючу зондову мікроскопію в тривимірних електричних моделях.
equilibrium Електричне моделювання в стані рівноваги.
exciton Моделювання транспортування та рекомбінації екситонів.
mesh_gen Створюйте сітки для моделювання.