Editor per la modifica nel dominio del tempoEditor per la modifica nel dominio del tempo

L’editor del dominio del tempo può essere utilizzato per configurare le simulazioni nel dominio del tempo, come illustrato nella Figura 4.6. Come descritto nella sezione precedente, è possibile utilizzare un singolo editor di simulazione per modificare più esperimenti. Il pannello a sinistra mostra l’editor in uso per modificare una simulazione CELIV, mentre il pannello a destra mostra l’editor in uso per modificare una simulazione TPC. I pulsanti «Nuovo», «Elimina» e «Clona» nella parte superiore della finestra possono essere utilizzati per creare nuove modalità di simulazione. La tabella nella parte inferiore della finestra può essere utilizzata per impostare la griglia del dominio del tempo e applicare tensioni o impulsi luminosi.L’editor del dominio del tempo può essere utilizzato per configurare le simulazioni nel dominio del tempo, come illustrato nella Figura 4.6. Come descritto nella sezione precedente, è possibile utilizzare un singolo editor di simulazione per modificare più esperimenti. Il pannello a sinistra mostra l’editor in uso per modificare una simulazione CELIV, mentre il pannello a destra mostra l’editor in uso per modificare una simulazione TPC. I pulsanti «Nuovo», «Elimina» e «Clona» nella parte superiore della finestra possono essere utilizzati per creare nuove modalità di simulazione. La tabella nella parte inferiore della finestra può essere utilizzata per impostare la griglia del dominio del tempo e applicare tensioni o impulsi luminosi.

La figura 4.8 mostra le diverse schede dell’editor del dominio del tempo. L’immagine a sinistra mostra lo schema del circuito utilizzato per modellare l’esperimento CELIV. Il diodo a sinistra rappresenta la simulazione della diffusione per deriva, mentre gli altri componenti rappresentano vari componenti parassiti. Dopo il diodo a sinistra, si trova un condensatore utilizzato per modellare la carica sulle piastre del dispositivo, seguito da una resistenza di shunt e poi da una resistenza in serie. La resistenza finale a destra rappresenta la resistenza esterna dell’apparecchiatura di misurazione; per impostazione predefinita, è impostata a zero, ma è consigliabile verificarla. Il menu a tendina in alto a sinistra dell’immagine, sopra lo schema del circuito, indica il tipo di carico; questo può modificare il carico del circuito rispetto a quanto mostrato nell’immagine, passando a un diodo ideale in cui non sono presenti componenti parassiti, oppure a un dispositivo a circuito aperto, che verrebbe utilizzato per simulare le misurazioni della tensione fotoelettrica transitoria. La figura a destra mostra le opzioni di configurazione della finestra del dominio del tempo. Si noti nuovamente l’opzione “Livello di dettaglio dell’output su disco”, come descritto nella sezione precedente; questa opzione ricomparirà più volte in OghmaNano.La figura 4.8 mostra le diverse schede dell’editor del dominio del tempo. L’immagine a sinistra mostra lo schema del circuito utilizzato per modellare l’esperimento CELIV. Il diodo a sinistra rappresenta la simulazione della diffusione per deriva, mentre gli altri componenti rappresentano vari componenti parassiti. Dopo il diodo a sinistra, si trova un condensatore utilizzato per modellare la carica sulle piastre del dispositivo, seguito da una resistenza di shunt e poi da una resistenza in serie. La resistenza finale a destra rappresenta la resistenza esterna dell’apparecchiatura di misurazione; per impostazione predefinita, è impostata a zero, ma è consigliabile verificarla. Il menu a tendina in alto a sinistra dell’immagine, sopra lo schema del circuito, indica il tipo di carico; questo può modificare il carico del circuito rispetto a quanto mostrato nell’immagine, passando a un diodo ideale in cui non sono presenti componenti parassiti, oppure a un dispositivo a circuito aperto, che verrebbe utilizzato per simulare le misurazioni della tensione fotoelettrica transitoria. La figura a destra mostra le opzioni di configurazione della finestra del dominio del tempo. Si noti nuovamente l’opzione “Livello di dettaglio dell’output su disco”, come descritto nella sezione precedente; questa opzione ricomparirà più volte in OghmaNano.

\(C=\dfrac{\varepsilon_r \varepsilon_0 A}{d+\Delta}\) \(C=\dfrac{\varepsilon_r \varepsilon_0 A}{d+\Delta}\)

Poiché le celle solari utilizzano elettrodi ampi e planari separati da materiali dielettrici, esiste anche una capacità del dispositivo che è importante per le misurazioni transitorie. Nell’espressione precedente, A rappresenta l’area del dispositivo, d lo spessore geometrico, \(\varepsilon_r\) la permittività relativa e \(\varepsilon_0\) la permittività del vuoto. Nella pratica, la capacità misurata spesso differisce dalla stima ideale del condensatore a piastre. Il termine «Altri strati», indicato con Δ, nell’editor dei componenti parassiti, rappresenta una correzione dello spessore complessivo che consente di conciliare la capacità misurata con la geometria e con eventuali materiali dielettrici aggiuntivi non modellati esplicitamente.Poiché le celle solari utilizzano elettrodi ampi e planari separati da materiali dielettrici, esiste anche una capacità del dispositivo che è importante per le misurazioni transitorie. Nell’espressione precedente, A rappresenta l’area del dispositivo, d lo spessore geometrico, \(\varepsilon_r\) la permittività relativa e \(\varepsilon_0\) la permittività del vuoto. Nella pratica, la capacità misurata spesso differisce dalla stima ideale del condensatore a piastre. Il termine «Altri strati», indicato con Δ, nell’editor dei componenti parassiti, rappresenta una correzione dello spessore complessivo che consente di conciliare la capacità misurata con la geometria e con eventuali materiali dielettrici aggiuntivi non modellati esplicitamente.