GaAs 教程(Part B):3D → 2D → 1D(移除缺陷)
1. 引言:在 3D、2D 和 1D 漂移–扩散之间进行选择
在半导体器件仿真中,一个关键的建模决策是选择合适的 维度:3D、2D 或 1D。 更高维的模型运行成本更高,但如果存在横向效应,低维模型可能会遗漏重要的 物理机制。 本节重点学习 何时确实需要更高维度。在 Part A 中,GaAs 二极管包含一个垂直缺陷,它迫使电流发生横向流动, 使问题本质上成为 3D。 在这里,我们通过禁用缺陷来消除这种不对称性,使同一个器件变成 均匀结构,可以在 3D、2D 和 1D 中使用相同的物理参数求解。
一般而言,1D 模型适用于横向均匀的层状结构(例如理想 pn 二极管或太阳能电池), 2D 模型用于描述单一横向变化(例如 OFET、边缘效应或线缺陷), 而 3D 模型则用于局域特征,例如旁路、导电细丝、有限面积接触或点缺陷。 在本教程中,你将学习如何 比较 3D、2D 和 1D 漂移–扩散仿真, 评估 运行时间与网格缩放,并判断何时更高维建模能够提供真实的物理洞察——以及何时不会。
2. 移除横向不对称(禁用缺陷对象)
在 Part A 中,垂直缺陷迫使电流发生横向流动,使器件本质上成为 三维。 为了研究维度本身如何影响运行时间和结果,我们现在移除此横向变化来源, 同时保持底层几何结构不变。 我们不会删除缺陷,而是将其 禁用,从而使器件在 x 和 z 方向上 横向均匀。
该缺陷由 两个独立对象 组成。 在 3D 器件视图中,右键单击 其中一个缺陷块并选择 Edit object(而不是 Delete),如 ?? 所示。 这将打开对象编辑器 (??), 在其中可以切换绿色的 Object enabled 控件。 禁用后,对象将显示为红色叉,其字段将被灰化 (??)。 对 第二个 缺陷块重复此过程。
禁用两个缺陷块之后,主仿真视图应类似于 ??。 缺陷体积会被小型标记球替代,这表明对象仍然存在于项目中, 但不再参与仿真。 这恢复了横向均匀性,同时保留原始几何结构, 从而允许我们在下一步改变维度,而不会引入新的物理特征。
3. 比较 3D、2D 和 1D 仿真:维度、运行时间和结果
在禁用缺陷之后,器件现在在 x 和 z 方向上横向均匀。 这使我们能够研究 仅由维度带来的影响,而不会引入新的物理特征。 在本节中,你将把 同一个 GaAs 二极管作为 3D、2D 和 1D 漂移–扩散问题运行,比较每次仿真的运行时间,并验证 电学结果保持不变。首先打开 Electrical 功能区并点击 Electrical mesh (见 ??)。 首先确保 x、y 和 z 都启用,使仿真完全 三维 (??)。 在此网格状态下运行仿真,并在仿真过程中观察终端输出。
在运行过程中,关注终端打印的时间信息。 右侧列报告每个 仿真步骤所需的毫秒数 (??)。 在典型笔记本电脑上,3D 情况通常需要 每步几十到几百毫秒, 对应总运行时间约为 30 秒。 仿真结束时,请记录运行结束时报告的最终电流值 (例如 top = 1.00 V 对应的行)。
接下来返回 Electrical mesh 编辑器并禁用 z 方向。 此时网格表示 2D(y–x) 仿真 (??)。 再次运行仿真并比较终端输出 (??)。 你应当会看到运行时间显著减少,每步仅需几毫秒。 重要的是,运行结束时报告的最终电流值应当与 3D 情况 数值完全相同。
最后也禁用 x 方向,只保留传输方向 y。 这将问题简化为纯粹的 1D 漂移–扩散仿真 (??)。 最后再运行一次求解器并检查终端输出 (??)。 在这种情况下,每步时间几乎为零,但 top = 1.00 V 时的最终电流 与 2D 和 3D 运行相同。
这个比较说明了器件建模中的一个核心原则。 随着维度降低,仿真速度会显著提高,因为未知量的数量会迅速减少 (通常大致随网格密度的立方缩放)。 然而,由于器件现在在横向上是均匀的,降低维度 不会 改变物理结果。 你仍然是在求解同一结构的同一组方程,只是使用了更高效的坐标表示。 关键结论是:更高维度并不会自动产生不同或更好的物理结果。 只有当器件本身存在真实的横向变化时,高维建模才具有价值。 一旦这种变化被移除,3D、2D 和 1D 仿真就会收敛到相同的电学解—— 仅在计算成本上有所不同。
步骤 5:注意数值结果是相同的
现在仔细查看输出。选择同一条电压线(例如 top = 1.00 V 对应的条目),并比较 3D、2D 和 1D 运行之间计算得到的电流。 你会发现这些值是 相同的(在数值精度范围内)。这就是关键结论: 一旦我们移除了不对称性,器件实际上就是 1D,因此 2D 和 3D 并不会带来新的物理 —— 只会增加运行时间。
Part B 到这里结束。在 Part C 中,我们将研究在 2D 和 3D 仿真中可能出现的数值稳定性问题,并通过引入光照来开始将这个二极管变成类似太阳能电池的问题,观察照明如何改变器件响应。
👉 下一步: 继续到 Part C。