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GaAs 教程(Part B):3D → 2D → 1D(移除缺陷)

1. 引言:在 3D、2D 和 1D 漂移–扩散之间进行选择

在半导体器件仿真中,一个关键的建模决策是选择合适的 维度3D2D1D。 更高维的模型运行成本更高,但如果存在横向效应,低维模型可能会遗漏重要的 物理机制。 本节重点学习 何时确实需要更高维度。在 Part A 中,GaAs 二极管包含一个垂直缺陷,它迫使电流发生横向流动, 使问题本质上成为 3D。 在这里,我们通过禁用缺陷来消除这种不对称性,使同一个器件变成 均匀结构,可以在 3D、2D 和 1D 中使用相同的物理参数求解。

一般而言,1D 模型适用于横向均匀的层状结构(例如理想 pn 二极管或太阳能电池), 2D 模型用于描述单一横向变化(例如 OFET、边缘效应或线缺陷), 而 3D 模型则用于局域特征,例如旁路、导电细丝、有限面积接触或点缺陷。 在本教程中,你将学习如何 比较 3D、2D 和 1D 漂移–扩散仿真, 评估 运行时间与网格缩放,并判断何时更高维建模能够提供真实的物理洞察——以及何时不会。

Right-click context menu on a defect object showing Edit object and Delete options. Select Edit object.
右键单击一个缺陷对象并选择 Edit object(不要删除)。
Object editor showing the defect object with the Object enabled (green tick) control.
在对象编辑器中,点击 Object enabled(绿色勾)。
Object editor showing the defect object disabled with a red cross and greyed out fields.
该对象现在已 禁用(红色叉)。对第二个缺陷块重复此操作。

2. 移除横向不对称(禁用缺陷对象)

在 Part A 中,垂直缺陷迫使电流发生横向流动,使器件本质上成为 三维。 为了研究维度本身如何影响运行时间和结果,我们现在移除此横向变化来源, 同时保持底层几何结构不变。 我们不会删除缺陷,而是将其 禁用,从而使器件在 xz 方向上 横向均匀

该缺陷由 两个独立对象 组成。 在 3D 器件视图中,右键单击 其中一个缺陷块并选择 Edit object(而不是 Delete),如 ?? 所示。 这将打开对象编辑器 (??), 在其中可以切换绿色的 Object enabled 控件。 禁用后,对象将显示为红色叉,其字段将被灰化 (??)。 对 第二个 缺陷块重复此过程。

禁用两个缺陷块之后,主仿真视图应类似于 ??。 缺陷体积会被小型标记球替代,这表明对象仍然存在于项目中, 但不再参与仿真。 这恢复了横向均匀性,同时保留原始几何结构, 从而允许我们在下一步改变维度,而不会引入新的物理特征。

Main device view with both defect objects disabled, shown as small marker spheres.
两个缺陷对象均已禁用。标记仍然存在,但器件现在在横向上是均匀的。

3. 比较 3D、2D 和 1D 仿真:维度、运行时间和结果

Electrical ribbon showing the Electrical mesh button used to configure dimensionality and mesh points.
Electrical 功能区。使用 Electrical mesh 在 3D、2D 和 1D 仿真之间切换。

在禁用缺陷之后,器件现在在 xz 方向上横向均匀。 这使我们能够研究 仅由维度带来的影响,而不会引入新的物理特征。 在本节中,你将把 同一个 GaAs 二极管作为 3D2D1D 漂移–扩散问题运行,比较每次仿真的运行时间,并验证 电学结果保持不变。首先打开 Electrical 功能区并点击 Electrical mesh (见 ??)。 首先确保 xyz 都启用,使仿真完全 三维??)。 在此网格状态下运行仿真,并在仿真过程中观察终端输出。

在运行过程中,关注终端打印的时间信息。 右侧列报告每个 仿真步骤所需的毫秒数??)。 在典型笔记本电脑上,3D 情况通常需要 每步几十到几百毫秒, 对应总运行时间约为 30 秒。 仿真结束时,请记录运行结束时报告的最终电流值 (例如 top = 1.00 V 对应的行)。

接下来返回 Electrical mesh 编辑器并禁用 z 方向。 此时网格表示 2D(y–x) 仿真 (??)。 再次运行仿真并比较终端输出 (??)。 你应当会看到运行时间显著减少,每步仅需几毫秒。 重要的是,运行结束时报告的最终电流值应当与 3D 情况 数值完全相同

最后也禁用 x 方向,只保留传输方向 y。 这将问题简化为纯粹的 1D 漂移–扩散仿真 (??)。 最后再运行一次求解器并检查终端输出 (??)。 在这种情况下,每步时间几乎为零,但 top = 1.00 V 时的最终电流 与 2D 和 3D 运行相同。

Mesh editor showing x, y and z enabled for a full 3D simulation.
3D 网格:启用 xyz。这是完整的三维仿真。
Mesh editor showing Y and X enabled (2D) after disabling Z.
2D 网格:禁用 z,使求解器在 y–x 平面运行。
Mesh editor showing only Y enabled (1D) after disabling X and Z.
1D 网格:同时禁用 x,仅保留 y(传输方向)。

这个比较说明了器件建模中的一个核心原则。 随着维度降低,仿真速度会显著提高,因为未知量的数量会迅速减少 (通常大致随网格密度的立方缩放)。 然而,由于器件现在在横向上是均匀的,降低维度 不会 改变物理结果。 你仍然是在求解同一结构的同一组方程,只是使用了更高效的坐标表示。 关键结论是:更高维度并不会自动产生不同或更好的物理结果。 只有当器件本身存在真实的横向变化时,高维建模才具有价值。 一旦这种变化被移除,3D、2D 和 1D 仿真就会收敛到相同的电学解—— 仅在计算成本上有所不同。

Terminal output from the 3D simulation showing per-step timing in milliseconds.
3D 运行:每步时间最高(几十到几百毫秒)。
Terminal output from the 2D simulation showing per-step timing in milliseconds.
2D 运行:每步时间降低到几毫秒。
Terminal output from the 1D simulation showing near-zero per-step timing.
1D 运行:每步时间几乎为零。

步骤 5:注意数值结果是相同的

现在仔细查看输出。选择同一条电压线(例如 top = 1.00 V 对应的条目),并比较 3D、2D 和 1D 运行之间计算得到的电流。 你会发现这些值是 相同的(在数值精度范围内)。这就是关键结论: 一旦我们移除了不对称性,器件实际上就是 1D,因此 2D 和 3D 并不会带来新的物理 —— 只会增加运行时间。

Part B 到这里结束。在 Part C 中,我们将研究在 2D 和 3D 仿真中可能出现的数值稳定性问题,并通过引入光照来开始将这个二极管变成类似太阳能电池的问题,观察照明如何改变器件响应。

👉 下一步: 继续到 Part C