Éditeur JV (éditeur pour la simulation en régime permanent)

1. Données d’entrée

Si vous cliquez sur l’icône de l’éditeur JV dans le ruban des éditeurs de simulation (??), la fenêtre de l’éditeur JV s’ouvrira (??). L’éditeur JV est utilisé pour configurer les simulations de courant-tension en régime permanent. Il applique une rampe de tension allant d’une tension de départ définie à une tension d’arrêt, quel que soit le type de dispositif (cellule solaire, transistor OFET ou autre structure).

Vous pouvez définir la tension de départ, la tension d’arrêt et l’amplitude de l’incrément. Le multiplicateur d’incrément de tension JV ajuste l’amplitude de l’incrément après chaque étape. La valeur par défaut est de 1,0 (pas d’augmentation). Définir ce multiplicateur légèrement au-dessus de 1,0 peut réduire le nombre d’étapes et accélérer la simulation, mais des valeurs beaucoup plus élevées que 1,05 peuvent entraîner des problèmes de convergence.

Paramètre	Description
Start voltage	Décalage initial de la rampe de tension (V).
Stop voltage	Décalage final de la rampe de tension (V).
Voltage step	Incrément entre les points de polarisation successifs (V).
JV voltage step multiplier	Ajuste l’amplitude du pas après chaque point. Les valeurs supérieures à 1 augmentent l’amplitude du pas au fur et à mesure de l’avancement du balayage (ce qui est utile pour les grandes plages de valeurs) ; des valeurs très élevées peuvent affecter la convergence.
Use external voltage as stop	Permet de choisir le critère d’arrêt. Lorsqu’il est activé, il utilise la tension du dispositif externe (après la résistance en série/en parallèle). Lorsqu’il est désactivé, il utilise la tension de la diode interne.
Maximum current density	Met fin à la mesure lorsque la densité de courant atteint cette valeur seuil (A·m−2).
Single point	Calcule un seul point de fonctionnement au lieu d’effectuer une analyse complète de la courbe J-V.
JV curve photon generation efficiency	Facteur multiplicatif appliqué au taux de génération optique ; il peut tenir compte de la recombinaison de paires.
Charge carrier generation model	Sélectionne le solveur optique (par exemple, méthode de la matrice de transfert, tracé de rayons).
Smooth the EQE spectra	Applique un lissage à la courbe EQE avant son utilisation (utilisé dans certaines simulations 2D de transistors à effet de champ organiques).
Output verbosity to disk	Permet de contrôler l’écriture des instantanés (bandes, porteuses, taux de génération). On peut choisir de ne rien écrire, d’enregistrer uniquement les résultats clés, d’enregistrer tout ou d’enregistrer tout à chaque n-ième étape.
Dump trap distribution	Écrit le profil de la densité d’états de la zone de piégeage sur le disque.
Save parameter sweeps	Enregistre les valeurs résumées des indicateurs (moyenne de recombinaison, densité des porteurs, nombre de porteurs piégés) dans le répertoire sweep.

2. Résultats

Fichiers de simulation

Répertoires de simulation

Ces résultats peuvent être activés en ajustant le niveau de détail des sorties vers le disque (et, pour les indicateurs agrégés, en activant la fonction d’enregistrement des paramètres lors des analyses) dans l’éditeur de simulation.

sim_info.dat

Il s’agit d’un fichier JSON contenant toutes les principales mesures de performance de la simulation, telles que \(J_{sc}\), \(V_{oc}\). Un exemple de fichier sim_info.dat est fourni ci-dessous :