Éditeur du domaine fréquentiel

1. Aperçu général

Le module de fréquence permet de simuler la réponse du dispositif dans le domaine fréquentiel. Grâce à cet outil, il est possible d’effectuer une spectroscopie d’impédance, ainsi que des mesures optiquement excitées, telles que la spectroscopie photo-modulée en intensité (IMPS) et la spectroscopie de tension modulée en intensité (IMVS). L’éditeur de domaine permet de configurer les simulations dans le domaine fréquentiel. Cela est illustré ci-dessous dans les figures. [fig : maillage du domaine FX] et [fig : circuit du domaine FX]À gauche, vous trouverez l’éditeur de maillage du domaine fréquentiel, qui permet de définir les fréquences qui seront simulées. Figure [fig : circuit du domaine FX] montre circuit onglet de la fenêtre du domaine fréquentiel, cet onglet définit la configuration électrique de la simulation. Il est possible de simuler une diode idéale (ce qui est le type de simulation le plus rapide), une diode avec des composants parasites ou une diode en circuit ouvert. Une diode idéale serait utilisée pour les simulations IMPS, tandis que le modèle en circuit ouvert serait utilisé pour les simulations IMVS. Choisissez le circuit en fonction des conditions que vous souhaitez simuler. Si vous souhaitez des exemples de simulation dans le domaine fréquentiel, consultez la nouvelle fenêtre de simulation, dans la section « Cellules solaires organiques ». Certains des dispositifs PM6:Y6 contiennent déjà des exemples de simulations dans le domaine fréquentiel.

Frequency-domain experiment window showing the Frequency mesh tab with a logarithmic frequency axis, colored marker bar, and a table listing Frequency start, Frequency stop, Max points, and Multiply. — Éditeur dans le domaine fréquentiel — Onglet « maillage fréquentiel ». Définissez le maillage (début/fin, densité, multiplicateur) pour les mesures IMPS/IMVS/IS.

Frequency-domain experiment window on the Circuit tab showing a simple circuit with a diode and source; Load type set to ideal_diode_ideal_load. — Éditeur dans le domaine fréquentiel — Onglet « Circuit ». Sélectionnez le modèle de charge (par exemple, `ideal_diode_ideal_load`) et visualisez le circuit équivalent.

2. Signal de grande amplitude ou signal de faible amplitude.

Il existe deux méthodes pour simuler les comportements en fonction de la fréquence dans un modèle de dispositif : une approche à grand signal ou une approche à petit signal. L’approche à petit signal suppose que le problème étudié varie de manière linéaire autour d’un point de polarisation continue, ce qui peut être vrai ou non, selon les conditions considérées. Cette méthode est toutefois rapide en termes de calcul. La deuxième approche consiste à utiliser une approche à grand signal et, au lieu de simuler une variation linéaire autour d’un point donné, on simule la réponse du dispositif dans le domaine temporel pour chaque longueur d’onde d’intérêt. Cette méthode est plus adaptée aux systèmes non linéaires et il n’est pas nécessaire de se soucier du fait que l’on se trouve dans le régime à grand ou à petit signal, mais elle est plus lente. OghmaNano utilise l’approche à grand signal.

3. Données d’entrée

Dans la figure 4.9, on peut voir l’onglet « Configuration » de la fenêtre du domaine fréquentiel. Cet onglet permet de définir précisément la manière dont la simulation sera exécutée. Ces paramètres sont décrits ci-dessous dans le tableau 4.2.

Files produced by the time domain simulation
Nom du fichier	Description
Cycles à simuler.	Le nombre de périodes complètes d’une fréquence donnée qui sont simulées.
Suscitez l’enthousiasme grâce à	De quelle manière l’appareil est-il activé, soit par voie optique, soit par voie électrique.
Points de maillage du domaine FX	Le nombre d’étapes temporelles utilisées pour simuler chaque cycle.
Résistance de charge	Résistance de charge externe, généralement réglée sur zéro.
Mesurer	Quelles sont les valeurs mesurées : le courant ou la tension ?
Profondeur de modulation	Quelle est l’amplitude de la modulation de la tension/du courant continu.
Augmenter le niveau de détail des informations affichées et les enregistrer sur le disque.	Quelle quantité de données est enregistrée sur le disque (voir les autres sections pour plus de détails).
Afficher les informations détaillées à l’écran.	Quelle quantité de données est affichée à l’écran (voir les autres sections pour plus de détails).
Choisissez la période souhaitée.	Le nombre de cycles dans le domaine fréquentiel utilisés pour déterminer l’angle de phase.
Type de simulation	Laissez ce paramètre sur « Signal fort ».
\(V_{external}\)	La tension externe appliquée à la cellule.

Frequency-domain experiment window showing the Configure tab. Options include external bias voltage, simulation type, load resistor, number of mesh points, cycles to simulate, excitation type, measurement type, modulation depth, fitting options, and output verbosity controls. — Éditeur dans le domaine fréquentiel — Onglet Configuration. Utilisez ce panneau pour définir le biais, la résistance de charge, la taille du maillage, le type d’excitation et de mesure, la profondeur de modulation et le niveau de détail des résultats pour la simulation.

4. Résultats.

Files produced by the time domain simulation
Nom du fichier	Description	Remarques
fx_abs.csv	fx par rapport à \(\lvert i(fx) \rvert\)
fx_C.csv	Effet de fréquence par rapport à la capacité.
fx_imag.csv	fx par rapport à Im(i(fx))
fx_phi.csv	fx par rapport à \(\angle i(fx)\)
fx_R.csv	Effets spéciaux contre réalisme.
fx_real.csv	fx par rapport à Re(i(fx))
real_imag.csv	Re(i(fx)) par rapport à Im(i(fx))