Розділ 10: Перовськитні пристрої та матеріали

У цьому розділі розглядається моделювання перовськитних напівпровідникових пристроїв і матеріалів у OghmaNano, причому особлива увага приділяється перовськитним сонячним елементам і модулям. У навчальних матеріалах використовуються моделі, що описують дрейф-дифузію, оптичні властивості та великі площі пристроїв, для дослідження транспортування заряду, рекомбінації, міграції іонів, вольт-амперних характеристик і спектральної чутливості перовськитних пристроїв. Практичні приклади включають моделювання характеристик «струм-напруга» (JV), електрохімічну імпедансну спектроскопію (CELIV), квантову ефективність (EQE), залежності «Suns-Voc» і «Suns-Jsc», двосторонні сонячні елементи та моделювання великих перовськитних модулів.

• 10.0 Вступ до моделювання пристроїв на основі перовськиту
  • 10.0.1. Що таке перовськітні напівпровідники? Матеріали, пристрої та сфери їх застосування.
  • 10.0.2. Моделювання пристрою сонячної батареї на основі перовськіту
• 10.1 навчальні матеріали про перовськитні сонячні елементи
  • 10.1.1. Моделювання сонячної батареї на основі перовськіту.
  • 10.1.2 Моделювання двосторонньої перовскітної сонячної батареї
• 10.2 Методи вивчення перехідних процесів і вилучення заряду в перовськітах
  • Приклад застосування перовськитної сонячної батареї CELIV.
• 10.3 Дослідження спектральної чутливості та впливу освітлення на перовськит.
  • Приклад характеристики квантової ефективності (EQE) перовськитної сонячної батареї.
  • Приклад використання 10.3.2 сонячних панелей на основі перовськіту – Voc.
  • Приклад використання 10.3.3 перовськитних сонячних елементів – Jsc.
• Структура електронних зон перовсциту та перенесення заряду.
  • 10.4.1. Обчислення зонної структури перовсциту та рухливості носіїв заряду на основі фундаментальних принципів.
  • 10.4.2. Теорія зонної структури перовськіту: восьмизонний гамільтоніан k·p.
• 10.5 Перовськитні пристрої великої площі
  • Великий за площею модуль на основі перовськіту.