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OghmaNano Simule células solares orgánicas/de perovskita, OFETs y OLEDs DESCARGAR

Simulación de dispositivos de gran área – Parte B: Ejecución del barrido e interpretación de la resistencia y la pérdida de voltaje

Paso 1: Ejecutar la simulación de barrido

Inicie el barrido haciendo clic en Run simulation (triángulo azul) o pulsando F9. La salida del terminal comenzará a mostrarse (véase ??).

Salida del terminal durante la simulación de barrido mostrando los índices z y x del nodo resuelto
Durante el barrido, OghmaNano avanza por la malla punto por punto. El solucionador informa de los índices del nodo (aquí z y x) mientras calcula la resistencia efectiva desde cada punto inferior hasta el contacto de extracción.

Lo que está ocurriendo físicamente es simple: OghmaNano trata el contacto como una red resistiva 3D. Después aplica una excitación de voltaje en un punto de malla de la superficie inferior, resuelve el circuito, extrae una resistencia efectiva hasta el contacto de extracción superior y repite esto para el siguiente punto.

Para un barrido de 40 × 40, esto significa 40 × 40 = 1600 resoluciones de circuito separadas. Por eso el barrido puede tardar un tiempo. No está ejecutando un único barrido JV; está ejecutando muchas pequeñas resoluciones DC para construir un mapa espacial.

💡 Nota práctica: Si aumenta sustancialmente la resolución del barrido, el tiempo de ejecución crece aproximadamente con el número de puntos de barrido. Una mayor resolución le proporciona un mapa más limpio, pero cuesta tiempo.

Paso 2: Comprender la malla eléctrica

La resolución del barrido está controlada por la malla eléctrica, definida en la pestaña Electrical bajo Electrical mesh (véase ??). En este ejemplo usamos 40 × 40 puntos en el plano x–z. La dirección y viene determinada por la pila de capas (es decir, el solucionador conoce la discretización vertical a partir de las capas que defina).

Editor de malla eléctrica mostrando 40 por 40 puntos en x y z
Configuración de la malla eléctrica. 40 × 40 suele ser un buen compromiso entre resolución espacial y tiempo de ejecución para trabajo exploratorio.

Como guía aproximada:

Paso 3: Archivos de salida producidos por el barrido

Cuando termine el barrido, vaya a la pestaña Output. Debería ver archivos como los de ??.

Pestaña de salida de OghmaNano con device.csv, electrical_links.csv, electrical_nodes.csv, spm_R.csv, spm_R_x.csv y Vlost_spm.csv
Archivos de salida producidos por la ejecución del barrido. Los resultados clave son el mapa de resistencia (spm_R.csv), su sección (spm_R_x.csv) y el mapa de pérdida de voltaje (Vlost_spm.csv).
Tabla 1: Archivos clave producidos por la simulación de barrido de contactos
Nombre de archivo Descripción
electrical_links.csvLista de enlaces resistivos (aristas) en la malla de circuito 3D
electrical_nodes.csvLista de nodos de circuito (posiciones y conectividad) en la malla 3D
spm_R.csvMapa de resistencia de microscopía de sonda de barrido (resistencia efectiva frente a posición)
spm_R_x.csvSección 1D de spm_R.csv que muestra la resistencia a través del dispositivo
Vlost_spm.csvPérdida de voltaje estimada (ΔV) en cada punto de barrido debida a la resistencia del contacto

Paso 4: Visualizar los mapas de resistencia y las secciones

Mapa de resistencia del dispositivo que muestra baja resistencia cerca de la barra de extracción y de la malla metálica
Mapa de resistencia (spm_R.csv). La baja resistencia aparece cerca de la barra de extracción y de las líneas de malla metálica; la mayor resistencia suele estar profundamente dentro de una celda, lejos de ambas.
Gráfica de sección de resistencia que muestra un aumento de la resistencia al alejarse del contacto con caídas periódicas cerca de líneas metálicas
Sección de resistencia de spm_R_x.csv. La resistencia aumenta con la distancia al borde de extracción, con caídas periódicas cuando la sección pasa cerca de segmentos de malla metálica.

Haga doble clic en spm_R.csv para ver el mapa de resistencia (véase ??). La escala de color representa la resistencia efectiva entre cada punto de la superficie inferior y el contacto de extracción.

En este ejemplo las resistencias son del orden de ohmios, lo que es una escala físicamente razonable para el reparto de corriente en contactos impresos. Sin embargo, tenga en cuenta que valores que se aproximan a unas pocas decenas de ohmios no son inocuos para muchos dispositivos: un camino de 30–40 Ω desde la región activa hasta el contacto externo puede reducir severamente el factor de llenado efectivo (FV) o causar no uniformidad de brillo (OLED).

Haga doble clic en spm_R_x.csv para ver una sección 1D a través del mapa (??). Esta gráfica hace explícita la física:

Este es el diagnóstico clave: le dice no solo cuán malo es el contacto, sino dónde es malo, y por tanto qué modificación geométrica/material lo solucionaría.

Paso 6: Configurar el barrido (editor de Scanning Probe Microscopy)

El barrido que acaba de ejecutar se configura mediante el editor de Scanning Probe Microscopy (SPM). Puede abrirlo desde la cinta de editores (véase ??).

Cinta de editores resaltando el editor de scanning probe microscopy
Abra el editor de Scanning probe microscopy para configurar el barrido.
Configuración del editor de scanning probe microscopy con voltaje aplicado y sección de barrido
Configuración del barrido SPM: voltaje aplicado y sección de barrido.

La ventana de configuración (??) le permite elegir el voltaje aplicado y si el barrido cubre todo el dispositivo o un subconjunto. Los subconjuntos son útiles para iterar rápidamente cuando solo le interesa una región concreta.

Paso 7: Editar la resistividad del material (y por qué importa)

Para explorar compromisos de diseño, puede editar los parámetros eléctricos de cada capa conductora. En la pestaña Device structure, haga clic en Electrical parameters para abrir el editor de parámetros eléctricos (??). Aquí puede introducir resistividades medidas de sus propios materiales y predecir inmediatamente cómo se comportará un contacto escalado.

Editor de parámetros eléctricos mostrando el ajuste de resistividad en serie para capas conductoras
Editor de parámetros eléctricos: edite la resistividad en serie de capas como PEDOT:PSS.

Este tipo de exploración paramétrica es precisamente el objetivo del modelado: puede cuantificar si un mejor polímero, una malla más densa o una disposición de extracción diferente le proporciona la mayor ganancia de rendimiento antes de comprometerse con la fabricación.

👉 Siguiente paso: Continúe con la Parte C para editar la geometría del contacto (paso de malla, anchura de línea, disposición de extracción) y optimizar el rendimiento.