제8장: 실리콘 및 III-V족 반도체 소자

이 장에서는 드리프트-확산 모델을 활용하여 OghmaNano 내에서 실리콘 및 III-V족 반도체 소자의 시뮬레이션 방법을 다룬다. 튜토리얼 내용으로는 실리콘 및 갈륨비소 기반 PN 접합 다이오드, 결정질 및 비정질 실리콘 태양전지, MOS 구조, 그리고 다차원 반도체 시뮬레이션이 포함된다. 예제들을 통해 실제 반도체 소자 구조 내에서의 전하 캐리어 이동 현상, 정전기학적 특성, 재결합 현상, 도핑 효과, 결함의 영향 및 전류-전압 특성 등을 살펴본다.

• 8.0 반도체 소자 모델링 입문
  • 8.0.1 실리콘 및 반도체 소자 시뮬레이션
• 8.1 실리콘 소자 시뮬레이션 튜토리얼
  • 8.1.1 실리콘 PN 접합 다이오드(1차원): 드리프트-확산 모델(암전류-전압 특성 및 SRH 재결합)
  • 8.1.2 다결정 실리콘 태양전지(1차원): 산업용 n+/p/p+ 구조(알루미늄 후면장벽층 유형)
  • 8.1.3 비정질 실리콘(a-Si:H) 태양전지(1차원): 박막형 p/i/n 구조(결함에 의해 특성이 제한됨)
  • 8.1.4 실리콘 2차원 NMOS 커패시터 튜토리얼: 정전기학 및 공핍층
• 8.2 III-V 반도체 소자(GaAs, AlGaAs, InGaAs/InP)
  • 8.2.1 GaAs PN 접합 다이오드(1차원): 드리프트-확산 모델(암전류-전압 특성 및 SRH 재결합)
  • 8.2.2 갈륨비소 3차원 드리프트-확산 시뮬레이션: 수직 결함 포함
  • 8.2.3 GaAs/AlGaAs 이종접합 태양전지: 드리프트-확산 및 광학 모델링
  • 8.2.4 1550 nm 파장에서의 InGaAs/InP PIN 광다이오드: 광생성 현상, 드리프트-확산 모델 및 응답도
  • 870 nm 파장의 GaAs/AlGaAs 적외선 LED: 전하 캐리어 주입, 복사 재결합 및 광방출