Tryby symulacji i edytory symulacji
1. Wprowadzenie
OghmaNano wykorzystuje modularną architekturę opartą na wtyczkach, która stosuje ten sam podstawowy algorytm do wielu typów symulacji elektrycznych i optycznych. Każda wtyczka modyfikuje algorytm w nieco inny sposób – na przykład jedna wykonuje symulacje charakterystyk prądowo-napięciowych w stanie ustalonym, inna przeprowadza analizę w dziedzinie częstotliwości, a jeszcze inna oblicza zewnętrzną wydajność kwantową (EQE). Każda wtyczka jest reprezentowana przez ikonę na pasku narzędzi edytorów symulacji (??), na którą można kliknąć, aby otworzyć edytor wtyczki i dostosować parametry symulacji.
2. Edycja trybów symulacji
Klikając ikonę na pasku narzędzi edytora symulacji, można otworzyć odpowiedni edytor wtyczki i dostosować sposób przeprowadzania symulacji. Na przykład, w edytorze JV można ustawić napięcie początkowe i końcowe dla zakresu pomiarowego. Dwa przykładowe ustawienia przedstawiono na ilustracjach ?? i ??: jedno to eksperyment o nazwie „Krzywa JV – niskie napięcie” (0,02–1,0 V), a drugie to eksperyment o nazwie „Krzywa JV – wysokie napięcie” (1,0–10,0 V). Każde ustawienie określane jest jako eksperyment – zapisana konfiguracja parametrów symulacji w obrębie wtyczki. Definiowanie wielu eksperymentów jest szczególnie przydatne w bardziej złożonych przypadkach, takich jak badania w dziedzinie czasu, gdzie można chcieć przetestować kilka profili napięcia lub impulsów świetlnych na tym samym urządzeniu. Nie ma ustalonej liczby eksperymentów, które można utworzyć w każdej wtyczce.
2. Uruchamianie trybu symulacji.
Niegdyś eksperyment po zdefiniowaniu wyświetla się jako ikona na pasku narzędzi w trybach symulacji.??). W tym przykładzie na pasku narzędzi wyświetlane są ikony dla obu opcji. Krzywa charakterystyki prądowo-napięciowej – niskie napięcie. i Krzywa charakterystyki prądowo-napięciowej – wysokie napięcieodpowiadające eksperymentom zdefiniowanym w ?? i ??Naciśnięta (podkreślona) ikona wskazuje aktywny tryb – w tym przypadku: Krzywa charakterystyki prądowo-napięciowej – niskie napięcie.Gdy naciśniesz przycisk odtwarzania F9), uruchamiany jest tylko wybrany tryb. W danym momencie aktywny może być tylko jeden tryb symulacji.
4. Wszystkie wtyczki
Poniżej znajduje się lista dostępnych wtyczek wraz z opisem ich funkcji:
| Wtyczka | Opis |
|---|---|
jv |
Oblicz krzywe charakterystyki prądowo-napięciowej w stanie ustalonym. |
suns_jsc |
Wygeneruj wykresy porównujące krzywe dla zespołów Suns i Jsc. |
suns_voc |
Symulacje porównujące systemy Suns i Voc. |
eqe |
Wykonaj symulację zewnętrznej efektywności kwantowej (EQE). |
cv |
Symulacje zależności pojemności od napięcia. |
ce |
Przeprowadź symulację eksperymentów dotyczących ekstrakcji ładunku. |
time_domain |
Rozwiązywarka działająca w dziedzinie czasu, przeznaczona do symulacji procesów przejściowych. |
fx_domain |
Symuluj charakterystykę w dziedzinie częstotliwości (dla wzbudzenia elektrycznego i optycznego). |
pl_ss |
Oblicz widmo fotoluminescencji (PL) w stanie stacjonarnym. |
mode |
Rozwiąż równania dla modów optycznych w jednowymiarowych/dwuwymiarowych światłowodach. |
spm |
Wykonaj symulację mikroskopii skanującej w trójwymiarowych symulacjach elektrycznych. |
equilibrium |
Symulacje elektryczne w stanie równowagi. |
exciton |
Symulacje transportu i rekombinacji ekscytonów. |
mesh_gen |
Generuj siatki do symulacji. |