Kapitel 8: Silizium- und III-V-Halbleiterbauelemente

In diesem Kapitel wird die Simulation von Silizium- und III-V-Halbleiterbauelementen in OghmaNano mithilfe von Drift-Diffusions-Bauelementmodellen behandelt. Die Tutorials umfassen Silizium- und GaAs-PN-Übergangs-Dioden, kristalline und amorphe Silizium-Solarzellen, MOS-Strukturen und mehrdimensionale Halbleitersimulationen. Anhand von Beispielen werden Ladungsträgertransport, Elektrostatik, Rekombination, Dotierung, Defekte und Strom-Spannungs-Kennlinien in praktischen Halbleiterbauelementstrukturen untersucht.

• 8.0 Einführung in die Modellierung von Halbleiterbauelementen
  • 8.0.1 Simulation von Silizium- und Halbleiterbauelementen
• 8.1 Anleitungen zur Verwendung von Silizium-Bauelementen
  • 8.1.1 Silizium-PN-Übergangsdiode (1D): Drift-Diffusionsmodell (Dunkelstrom-Spannungskennlinie, SRH-Rekombination)
  • 8.1.2 Polykristalline Silizium-Solarzelle (1D): Industrielle n+/p/p+-Zelle (Al-BSF-Typ)
  • 8.1.3 Amorphes Silizium (a-Si:H)-Solarzelle (1D): Dünnschicht-p/i/n-Zelle (durch Defekte begrenzt)
  • Tutorial: 8.1.4 Si 2D NMOS-Kondensator – Elektrostatik und Verarmungszone
• 8.2 III-V-Halbleiterbauelemente (GaAs, AlGaAs, InGaAs/InP)
  • 8.2.1 GaAs-PN-Übergangsdiode (1D): Drift-Diffusions-Modell (Dunkelstrom-Spannungskennlinie, SRH-Rekombination)
  • 8.2.2 GaAs – Dreidimensionale Drift-Diffusions-Simulation mit einer vertikalen Defektstruktur
  • 8.2.3 GaAs/AlGaAs-Heterostruktur-Solarzelle: Drift-Diffusions- und optische Modellierung
  • 8.2.4 InGaAs/InP PIN-Photodiode bei 1550 nm: Optische Erzeugung, Drift-Diffusions-Effekt und Ansprechverhalten
  • 8.2.5 GaAs/AlGaAs-Infrarot-LED mit einer Wellenlänge von 870 nm: Ladungsträgerinjektion, radiative Rekombination und Lichtemission