第8章：シリコンおよびIII-V族半導体デバイス

この章では、ドリフト拡散モデルを用いてOghmaNanoにおけるシリコンおよびIII-V族半導体デバイスのシミュレーション方法について解説する。チュートリアルの内容としては、シリコンおよびガリウムヒ素製のPN接合ダイオード、結晶質および非晶質シリコン太陽電池、MOS構造、さらには多次元半導体シミュレーションが含まれる。具体例として、実際の半導体デバイス構造における電荷キャリア輸送、静電気現象、再結合、ドーピング、欠陥、および電流電圧特性などが取り上げられている。