Strona główna Przykłady Zrzuty ekranu Instrukcja obsługi Logo Bluesky. YouTube ☰
OghmaNano Platforma do symulacji wielofizycznych procesów zachodzących w optoelektronicznych urządzeniach i systemach fotonicznych. POBIERZ Przewodnik szybkiego uruchomienia

Samouczek dotyczący symulacji OPV: symulacja organicznej ogniwa słonecznego

Ten samouczek dotyczący symulacji OPV pokazuje, jak symulować organiczną ogniwo słoneczne w programie OghmaNano. Organiczne urządzenia fotowoltaiczne stanowią najprostszą klasę urządzeń w tym oprogramowaniu i oferują bezpośredni sposób na zapoznanie się z symulacją charakterystyki prądowo-napięciowej (JV), kluczowymi parametrami fotowoltaicznymi oraz podstawowym modelowaniem dryfu i dyfuzji, bez konieczności wcześniejszego uwzględniania efektów dwuwymiarowych, migracji jonów lub emisji światła. W zaledwie kilku krokach skonfigurujesz urządzenie P3HT:PCBM, uruchomisz symulację charakterystyki prądowo-napięciowej i przeanalizujesz prąd zwarciowy (JSC), napięcie w obwodzie otwartym (VOC), współczynnik wypełnienia i wydajność. Biblioteka przykładów zawiera również inne systemy materiałowe OPV, w tym PM6:Y6 i D18:L8-BO, które możesz zbadać, gdy już opanujesz ten prosty system materiałowy – często określany jako „owocówka” w badaniach nad OPV.

Krok 1: Uruchom OghmaNano.

Uruchom program OghmaNano z menu Start systemu Windows. Pojawi się główne okno programu OghmaNano, jak pokazano na ilustracji ??.

OghmaNano start window with options to create a new simulation, open a project, or access recent files
Okno startowe programu OghmaNano. Można utworzyć nową symulację, otworzyć istniejący projekt lub uzyskać dostęp do ostatnio używanych plików.

Krok 2: Utwórz nową symulację.

Kliknij „Nowa symulacja”. Spowoduje to otwarcie biblioteki dostępnych typów urządzeń, jak pokazano na ilustracji ??. Kliknij dwukrotnie ikonę „Organiczne ogniwa słoneczne” (znajdującą się w lewym górnym rogu), aby otworzyć folder z przykładami OPV. Zobaczysz listę gotowych symulacji, takich jak ogniwo słoneczne P3HT:PCBM (PCE ≈ 4%), PM6:Y6 lub D18:L8-BO, jak pokazano na ilustracji ??. W ramach tego samouczka wybierz ogniwo słoneczne P3HT:PCBM (PCE = 4%). Po wyświetleniu odpowiedniego komunikatu, zapisz symulację w folderze, do którego masz uprawnienia zapisu.

💡 Wskazówka: Aby uzyskać najlepszą wydajność, zapisz dane na lokalnym dysku, na przykład C:\. Symulacje przechowywane w folderach sieciowych, na dyskach USB lub w chmurze (np. OneDrive) mogą działać wolniej ze względu na dużą liczbę operacji odczytu/zapisu.

OghmaNano new simulation window listing device categories such as organic solar cells, OLEDs, OFETs, perovskites, ray tracing, and FDTD examples
Nowe okno symulacji udostępnia bibliotekę typów urządzeń i przykładowych projektów. Kliknij dwukrotnie ikonę, aby otworzyć wstępnie skonfigurowaną symulację, na przykład dotyczącą organicznych ogniw słonecznych, wyświetlaczy OLED, tranzystorów OFET, ogniw perowskitowych, ustawień śledzenia promieni lub przykładów FDTD. Dzięki tym gotowym szablonom można łatwo zapoznać się z różnymi klasami urządzeń, bez konieczności tworzenia każdej symulacji od podstaw.
OghmaNano organic solar cell examples list showing devices such as P3HT:PCBM, PM6:Y6, and D18:L8-BO with power conversion efficiencies
W kategorii „organiczne ogniwa słoneczne” można wybrać spośród różnych gotowych struktur urządzeń OPV. Każdy z nich odpowiada opublikowanej lub reprezentatywnej architekturze (np. P3HT:PCBM, PM6:Y6, D18:L8-BO), a typowe wartości wydajności podane są w nawiasach. Kliknięcie dwukrotne jednego z tych szablonów otwiera gotowe do uruchomienia symulacje, które można modyfikować, co pomaga w analizie wpływu materiałów warstwy aktywnej i układu warstw urządzenia na jego działanie.

Krok 3: Uruchom symulację.

Otwiera się główne okno (patrz ??). Kliknij „Uruchom symulację” (niebieska ikona odtwarzania) lub naciśnij F9. Na wolniejszych komputerach proces ten może trwać nieco dłużej. Użyj przycisków xy/yz/xz, aby zmienić orientację widoku urządzenia.

Main OghmaNano interface showing the Run Simulation button and a 3D cross-section of a solar cell stack with layers labelled ITO, PEDOT:PSS, P3HT:PCBM, and Al.
Główny OghmaNano interfejs symulacji. Pasek narzędzi u góry zapewnia szybki dostęp do funkcji, takich jak tworzenie lub otwieranie symulacji, eksportowanie danych oraz uruchamianie solvera. Na panelu 3D wyświetlana jest struktura urządzenia, składająca się z warstw, w tym ITO, PEDOT:PSS, aktywnej warstwy P3HT:PCBM oraz aluminium (Al) jako warstwy kontaktowej. Wyświetlona część Uruchom symulację. przycisk (lub) F9rozpoczyna obliczenia.
OghmaNano Output tab displaying the simulation working directory with result files such as jv.csv, reflect.dat, snapshots, and input files.
Zakładka „Wyniki” w programie OghmaNano. W tym widoku wyświetlany jest katalog roboczy dla aktualnej symulacji, a także generowane pliki wynikowe, takie jak jv.dat (dane dotyczące krzywej prądu i napięcia), reflect.dat (widmo odbicia), snapshots (profile pola optycznego/elektrycznego) oraz różne pliki z parametrami wejściowymi. Kliknięcie dwukrotne pliku powoduje jego otwarcie w odpowiednim programie do przeglądania lub edycji.

Krok 4: Wyświetl wykres charakterystyki prądowo-napięciowej (JV) oraz parametry ogniwa słonecznego.

Otwórz. Wynik / Dane wyjściowe Kliknij zakładkę, aby przejrzeć pliki wygenerowane przez symulację. Otwórz. jv.csv aby wyświetlić aktualną krzywą zależności gęstości prądu od napięcia, zwaną również krzywą JV. Naciśnij. g w oknie grafiki, aby włączyć lub wyłączyć siatkę.

Analizując krzywą charakterystyki prądowo-napięciowej (JV), zwróć uwagę na następujące kluczowe parametry ogniw fotowoltaicznych:

Wraz z współczynnikiem wypełnienia i efektywnością konwersji energii, wartości te stanowią standardowe wskaźniki, które służą do porównywania wyników symulacji i eksperymentów dotyczących organicznych ogniw słonecznych.

Current density–voltage (JV) curve of an organic solar cell. The curve shows Jsc at negative bias, Voc at the zero-current intercept, and Pmax at the knee of the curve.
Przykładowa krzywa zależności gęstości prądu od napięcia (JV) dla organicznej ogniwa słonecznego. Jsc (gęstość prądu zwarciowego) to wartość prądu przy zerowym przyłożonym napięciu. Voc (napięcie w obwodzie otwartym) to napięcie, przy którym gęstość prądu spada do zera. Pmax oznacza punkt pracy, w którym iloczyn gęstości prądu i napięcia jest maksymalny, co odpowiada maksymalnej mocy wyjściowej urządzenia.

Świetnie! Przeprowadziłeś pierwsze symulacje OPV i wygenerowałeś wykres charakterystyki prądowo-napięciowej.

Wyniki symulacji.

Każda symulacja generuje zestaw danych, które oddają różne aspekty zachowania urządzenia – od surowych krzywych prądowo-napięciowych i gęstości ładunku, po widma optyczne, stałe rekombinacji oraz migawki pól elektrycznych lub optycznych. Pliki te są zazwyczaj prostymi plikami CSV, które można bezpośrednio otworzyć wbudowanymi przeglądarkami w programie OghmaNano lub przetwarzać w inny sposób (np. poprzez tworzenie wykresów w programach Excel lub Python). Najważniejsze dane wyjściowe dla podstawowych badań nad ogniwami fotowoltaicznymi przedstawiono w tabeli 1 poniżej.

Table 1: Files produced by the JV simulation
Nazwa pliku Opis
jv.csvZależność gęstości prądu od napięcia (krzywa J-V)
plik charge.csvZależność gęstości ładunku od napięcia.
plik.datTrójwymiarowy model urządzenia
dane_do_dopasowania*.inpDane eksperymentalne dotyczące przykładowego urządzenia (jeśli są dostępne).
k.csvZależność parametru rekombinacji od napięcia.
reflect.csv / transmit.csvWspółczynnik odbicia / współczynnik przepuszczalności światła
zdjęcia/Charakterystyki elektryczne (zależne od polaryzacji/czasu); patrz ??.
obrazy_optyczne/Obraz pola/natężenia światła w danym momencie; patrz ??.
plik sim_info.datPodsumowanie (VOC, JSC, FF, η); patrz ??.
pamięć podręczna/Przejściowe dane przechowywane w pamięci podręcznej; szczegółowe informacje w ??.

👉 Kolejne kroki: