🎯 اهداف یادگیری

ساخت یک مدل موجبر اسلب 2D در OghmaNano با تعریف مش‌های نوری X و Y.
تنظیم نمونه‌برداری طول موج و تفکیک‌پذیری مش برای ثبت دقیق رفتار مد.
اجرای محاسبات مد 2D و نمایش توزیع‌های میدان در نمایشگر snapshotها.
استفاده از پارامترهای جستجوی مد ویژه (اندیس‌های X/Y) برای کنترل و هدف‌گیری مدهای خاص.
مقایسه جواب‌های TE و TM در 2D و تشخیص ویژگی‌های شاخص مانند ناپیوستگی‌های مرزی.

📦 پیش‌نیازها

OghmaNano نصب شده و در حال کار باشد.
آشنایی پایه با ضریب شکست و مدهای هدایت‌شده.

⏱ زمان تخمینی

بخش A (1D TE/TM): 10–15 دقیقه
بخش B (مدهای 2D): 10–15 دقیقه
بخش C (مدهای مختلط 2D): 10–15 دقیقه

حلگر مد موجبر اسلب

در این آموزش، مدهای نوری پشتیبانی‌شده توسط ساختارهای موجبر اسلب را در OghmaNano محاسبه می‌کنیم. ابتدا با یک پشته کلاسیک 1D سه‌لایه (n-پایین / هسته n-بالا / n-پایین) شروع می‌کنیم و مدهای الکتریکی عرضی (TE) و مغناطیسی عرضی (TM) را پیدا می‌کنیم. سپس به جستجوهای مد 2D با چگالی مش و نمونه‌برداری طول موج قابل پیکربندی گسترش می‌دهیم، و نشان می‌دهیم چگونه تعداد مدهای ویژه حل‌شده در جهت‌های X و Y را کنترل کنید.

OghmaNano Optical ribbon showing the Optical mesh button highlighted. — روی دکمه **Optical mesh** در **نوار Optical** کلیک کنید تا *ویرایشگر Optical mesh* باز شود. دکمه در کادر قرمز بالا برجسته شده است.

OghmaNano Optical Mesh Editor showing the Y-dimension mesh with wavelength points. — **ویرایشگر Optical Mesh** که *مش 1D* را در جهت Y نشان می‌دهد. اگر روی **دکمه X** در نوار ابزار کلیک کنید، مشِ بُعد X نیز قابل ویرایش خواهد بود.

OghmaNano Optical Mesh Editor showing both X and Y dimension meshes with wavelength points. — پس از افزودن **مش X** و تنظیم تعداد نقاط مش روی 20، هر دو مشِ X و Y تعریف می‌شوند و یک مش نوری کامل 2D را فعال می‌کنند.

1. شروع: اسلب 1D (TE)

New simulation → Mode solvers را باز کنید و مثال موجبر اسلب 1D را انتخاب کنید. پشته لایه‌ها را پیکربندی کنید (برای مثال 500 nm / 500 nm / 500 nm) و ضریب‌های شکست را تنظیم کنید (n = 1 / 4 / 1 برای غلاف / هسته / غلاف در این مثال). قطبش را روی Transverse electric (TE) تنظیم کنید.

OghmaNano Output tab showing the snapshots folder after a simulation has been run. — تب **Output** پس از اجرای شبیه‌سازی. در اینجا پوشه **snapshots** در دسترس است — برای باز کردن نمایشگر snapshotها روی آن دوبار کلیک کنید.

پنجره Snapshots که توزیع میدان الکتریکی محاسبه‌شده در موجبر اسلب را نمایش می‌دهد. با کلیک روی دکمه Add و انتخاب Electric field، پروفایل میدان 2D نمایش داده می‌شود.

👉 گام بعدی: اکنون به بخش C ادامه دهید برای یک آموزش OPV با جزئیات بیشتر، شامل خروجی‌ها، لایه‌های دستگاه و تحلیل پیشرفته.