Chapitre 9 : Les puits quantiques et la modélisation de la structure de bandes.
Ce chapitre traite des puits quantiques et de la modélisation de la structure de bandes dans OghmaNano, notamment le confinement quantique, la théorie k·p, les contraintes, les structures de bandes des semi-conducteurs, les transitions optiques, le gain, la diffusion et la sélection du modèle de puits quantique.
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9.1.1 Aperçu général – Modélisation de la structure de bande k·p et des puits quantiques.
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Tutoriel sur les puits quantiques paraboliques (GaAs/AlGaAs)
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Tutoriel sur les puits quantiques à 8 bandes de type zincblende (GaAs/AlGaAs).
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Tutoriel sur les puits quantiques à faible concentration de nitrure, modèle k·p à 10 bandes, pour la structure 9.1.4 (GaInNAs/GaAs).
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Tutoriel sur les puits quantiques à 8 bandes de type Wurtzite (GaN/AlGaN)
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Tutoriel sur les puits quantiques en silicium (Si/SiGe) dans la région de Silicon Delta.
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Tutoriel sur la structure quantique à six bandes de Luttinger-Kohn pour les hétérostructures Si/SiGe.