Розділ 9: Квантові ями та моделювання зонної структури
У цьому розділі розглядаються квантові ями та моделювання зонної структури в OghmaNano, зокрема квантове обмеження, теорія k·p, деформація, зонні структури напівпровідників, оптичні переходи, коефіцієнт підсилення, розсіювання та вибір моделі квантової ями.
-
9.1.1. Загальна інформація – зонна структура та моделювання квантових ям.
-
Навчальний посібник № 9.1.2: «Параболічна квантова яма» (матеріали GaAs/AlGaAs)
-
Навчальний посібник зі квантової ями 9.1.3 8-смугової структури цинкбленду (GaAs/AlGaAs).
-
Навчальний посібник зі створення квантової ями на основі розведеного нітриду з використанням 9.1.4-смугової структури цинкбленду (GaInNAs/GaAs).
-
Навчальний посібник з квантової ями Вурциту з 8 зонами провідності (GaN/AlGaN).
-
Навчальний посібник зі створення квантових ям на основі кремнію та сплаву кремнію та германію (Si/SiGe) у структурі «дельта-долина».
-
Навчальний посібник зі створення квантової ями валентної зони з шістьма енергетичними смугами (Si/SiGe)