Головна Приклади Знімки екрана Інструкція користувача
Вікна
Інструкція користувача Слайди та відео. Педагоги, викладачі, освітяни Публікації Чому варто обрати OghmaNano?
Логотип Bluesky. YouTube
Deutsch English Español فارسی 日本語 한국어 Português Українська 中文
☰
OghmaNano Мультифізична платформа для моделювання оптоелектронних пристроїв і фотонних систем. ЗАВАНТАЖИТИ Короткий посібник зі швидкого старту

Частина B: Візуалізація результатів моделювання OFET.

Щоб зрозуміти, чому органічний польовий транзистор (OFET) поводиться саме так, як він поводиться, часто необхідно вийти за межі зовнішніх характеристик струм-напруга та проаналізувати внутрішній стан пристрою. У моделюванні OFET такі параметри, як електростатичний потенціал, концентрація носіїв заряду, заповненість пасток і енергії зон, дають пряме уявлення про те, як працює транзистор і як різні області впливають на його продуктивність. Під час кожного моделювання OghmaNano зберігає ці внутрішні змінні в папці snapshots на кожному етапі зміни напруги або часу. Потім вікно «Знімки екрана» можна використовувати для візуалізації цих результатів у двовимірному та тривимірному форматах, що дозволяє відстежувати, як змінюються концентрація заряду, потенціал та інші фізичні поля під впливом прикладеної напруги.

Щоб візуалізувати результати моделювання OFET у 2D або 3D, перейдіть на вкладку «Результати» в головному вікні та двічі клацніть на папку зі знімками екрана (??). У цій папці містяться детальні внутрішні дані моделювання, зокрема щільність носіїв заряду, електростатичний потенціал і заповненість пасток у всій структурі пристрою. Двічі клацніть на папку, щоб відкрити вікно «Знімки екрана» (??), потім натисніть кнопку «+», щоб додати графік, і виберіть файл «phy.csv» у випадаючому меню. Ви можете використовувати повзунок, щоб переглядати різні значення зміщення та відображати 2D-поля, такі як щільність заряду, щільність пасток і електростатичний потенціал (φ), або перемкнутися в 3D-режим, щоб дослідити всю структуру пристрою. Використовуйте мишу, щоб обертати зображення, а коліщатко прокручування – для збільшення масштабу.

OghmaNano Output tab with the snapshots folder highlighted. Double-click the snapshots icon to open the snapshots viewer.
На вкладці «Результат» двічі клацніть значок «Знімки екрана» (він виділено), щоб відкрити переглядач знімків екрана.
Snapshots window in OghmaNano with toolbar and an empty plot list. Click the plus button to add a plot, then select phy.csv from the drop-down.
Вікно «Знімки». Натисніть кнопку +, щоб додати новий графік, а потім виберіть «PHY» у випадаючому меню. Використовуйте повзунок часу/зміщення, щоб переглядати різні значення напруги та візуалізувати двовимірні поля (наприклад, щільність заряду, щільність пасток і PHY).

На наведених нижче графіках ??, ??, ?? показано зміну електростатичного потенціалу (φ) в OFET-пристрої при різних прикладених напругах. Використовуйте повзунок, щоб переглянути, як внутрішні поля змінюються залежно від прикладеної напруги. Обираючи різні параметри у випадаючому меню, ви можете відобразити не лише потенціал, але й концентрацію носіїв заряду, заповненість пасток або інші фізичні величини, щоб проаналізувати, як пристрій реагує в межах усього діапазону напруг.

Snapshots window in OghmaNano showing φ (potential) distribution across the OFET at −3.2 V
Можливий розподіл потенціалу (φ) по всій площині при напрузі −3,2 В. Діаграма у вигляді сітки показує зміну електростатичного потенціалу в залежності від положення.
Snapshots window in OghmaNano showing φ (potential) distribution across the OFET at −8.7 V
Можливий розподіл потенціалу (φ) по всій площі пристрою при напрузі −8,7 В. За допомогою повзунка внизу можна вибрати, яку точку зміщення відображати.
Snapshots window in OghmaNano showing φ (potential) distribution across the OFET at +1.0 V
Можливий розподіл потенціалу (φ) по всій площі пристрою при напрузі +1,0 В. З розкривного меню можна вибрати різні фізичні величини (наприклад, щільність заряду, пастки).

Окрім двовимірних графіків сітки, OghmaNano також забезпечує повну тривимірну візуалізацію даних моделювання. Натиснувши кнопку «3D-режим», переглядач зображень перемикається з плоского відображення сітки на справжній тривимірний простір (??). Користувач, як і раніше, може переміщуватися між точками зміщення за допомогою повзунка, щоб переглянути, як змінюються дані, але тепер кожне поле (наприклад, електростатичний потенціал, φ) відображається об’ємно на всій площі пристрою. У другому прикладі (??) колірна схема була змінена за допомогою кнопки «Кольори» у верхній панелі, а сам пристрій став видимим після натискання правою кнопкою миші, вибору «Перегляд → Показати пристрій». Завдяки цій комбінації накладень стає можливим безпосередньо зіставити змодельовані фізичні поля (наприклад, φ, щільність заряду, пастки) з фактичною геометрією пристрою, що забезпечує більш інтуїтивне розуміння того, як пристрій працює під впливом зміщення.

Snapshots window in OghmaNano showing the potential φ plotted in 3D space after enabling 3D Mode
Переглядач «Знімків» у тривимірному режимі. Сітка відображається в тривимірному просторі, а повзунок напруги (внизу) все ще дозволяє покроково переміщуватися між точками зміщення.
Snapshots window in OghmaNano with customised colours and device geometry overlay enabled, showing φ in 3D with visible device structure
Тривимірний графік φ із налаштованими кольорами та увімкненою функцією накладання геометрії пристрою (Перегляд → Показати пристрій). Це дає змогу безпосередньо зіставити змодельовані поля з розміщенням елементів пристрою.

👉 Наступні кроки: