Розділ 9: Органічні пристрої та матеріали

У цьому розділі розглядається моделювання органічних напівпровідникових пристроїв і матеріалів у OghmaNano, зокрема органічних сонячних елементів, органічних світлодіодів і органічних польових транзисторів. У практичних посібниках використовуються моделі дрейфу-дифузії та оптичні моделі для вивчення транспортування заряду, рекомбінації, захоплення, динаміки екситонів, об’ємних гетеропереходів, а також електричних і оптичних властивостей органічних напівпровідникових пристроїв.

До практичних прикладів належать моделювання пристроїв OPV, OLED та OFET, імпедансна спектроскопія, IMPS та IMVS, струм, обмежений просторовим зарядом (SCLC), електротермічне моделювання та багатовимірне моделювання об’ємних гетероструктур. У цьому розділі поєднуються базові матеріали з прикладами з фізики пристроїв і практичними посібниками для вивчення поведінки органічних електронних та оптоелектронних пристроїв.

• 9.0 Вступ до моделювання органічних напівпровідникових пристроїв
  • 9.0.1. Що таке органічні напівпровідники? Матеріали, пристрої та сфери їх застосування.
  • 9.0.2. Моделювання органічних напівпровідникових пристроїв: органічні фотоелектричні елементи, органічні світлодіоди та органічні польові транзистори.
• 9.1 навчальні матеріали з органічної електроніки
  • 9.1.1. Моделювання органічної сонячної батареї (OPV).
  • 9.1.2. Моделювання органічного польового транзистора (OFET).
  • 9.1.3. Моделювання роботи OLED-пристрою – когерентна оптика тонких плівок (метод матриці передачі).
  • 9.1.4. Моделювання роботи OLED-пристрою – некогерентна 3D-оптика (трасування променів).
• Фізичні основи роботи органічних сонячних елементів.
  • Моделювання роботи великої за площею органічної фотоелектричної установки.
  • 9.2.2 Моделювання морфології об’ємних гетеропереходів за допомогою двовимірних електричних зрізів.
  • 9.2.3. Моделювання станів локалізації в невпорядкованих напівпровідниках.
• 9.3 Збуджені стани та фізика екситонів
  • 9.3.1 Динаміка екситонів в органічних фотоелектричних пристроях.
  • 9.3.2 Транспорт екситонів у доменах BHJ.
• 9.4 Моделювання в частотній області
  • 9.4.1 Імпедансна спектроскопія (ІС)
  • 9.4.2 Спектроскопія фотоструму з модуляцією інтенсивності (IMPS)
  • 9.4.3 Спектроскопія змінної за напругою з модуляцією інтенсивності (ЗЗМН)
• 9.5. Органічне теплове моделювання.
  • 9.5.1 Електротермічне моделювання: навчальний посібник з самонагрівання.
• 9.6 Обмежений струм, зумовлений просторовим зарядом (ОЗЗЗ).
  • 9.6.1. Виведення рівняння Мотта–Герні
  • 9.6.2 Умови застосовності рівняння Мотта–Герні.
  • Приклад № 9.6.3: струм, обмежений просторовим зарядом (SCLC).