Chapitre 8 : Composants à base de silicium et de semi-conducteurs III-V.

Ce chapitre traite de la simulation des dispositifs à base de silicium et de semi-conducteurs III-V dans OghmaNano, en utilisant des modèles de dispositifs basés sur la dérive et la diffusion. Les tutoriels comprennent des diodes PN en silicium et en GaAs, des cellules solaires en silicium cristallin et amorphe, des structures MOS et des simulations multidimensionnelles de semi-conducteurs. Des exemples illustrent le transport des porteurs de charge, l’électrostatique, la recombinaison, le dopage, les défauts et les caractéristiques courant-tension dans des structures de dispositifs semi-conducteurs pratiques.

• 8.0 Introduction à la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs
  • 8.0.1 Simulation de dispositifs à base de silicium et de semi-conducteurs
• 8.1 tutoriels sur les dispositifs à base de silicium
  • Diode à jonction PN en silicium (1D) : modèle de dérive-diffusion (courbe courant-tension en l’absence de lumière, recombinaison de Shockley-Read-Hall).
  • 8.1.2 Cellule solaire en silicium polycristallin (1D) : modèle industriel n+/p/p+ (de type Al-BSF).
  • 8.1.3 Cellule solaire en silicium amorphe (a-Si:H) (1D) : structure mince en couches p/i/n (limitée par les défauts).
  • Tutoriel sur le condensateur NMOS 2D : électrostatique et zone de déplétion.
• 8.2 : dispositifs à semi-conducteurs III-V (GaAs, AlGaAs, InGaAs/InP)
  • Diode à jonction PN en GaAs (1D) : modèle de dérive-diffusion (courbe courant-tension en l’absence de lumière, recombinaison de Shockley-Read-Hall).
  • 8.2.2 GaAs : modèle tridimensionnel de dérive-diffusion avec un défaut vertical.
  • Cellule solaire à hétérojonction GaAs/AlGaAs : modélisation par la méthode de dérive-diffusion et modélisation optique.
  • Photodiode PIN en InGaAs/InP à 1550 nm : génération optique, processus de dérive-diffusion et sensibilité.
  • DEL infrarouge 8.2.5 GaAs/AlGaAs à 870 nm : injection de porteurs, recombinaison radiative et émission de lumière.