Розділ 8: Кремнієві та напівпровідникові прилади на основі елементів III групи та V групи.

У цьому розділі розглядається моделювання кремнієвих та III-V напівпровідникових приладів в OghmaNano з використанням моделей приладів, що базуються на принципах дрейфу та дифузії. Навчальні матеріали охоплюють кремнієві та арсенід-галієві (GaAs) p-n перехідні діоди, кристалічні та аморфні кремнієві сонячні елементи, МОП-структури та багатовимірне моделювання напівпровідників. У прикладах досліджується транспорт носіїв заряду, електростатика, рекомбінація, легування, дефекти та вольт-амперні характеристики в практичних структурах напівпровідникових приладів.

• 8.0 Вступ до моделювання напівпровідникових приладів
  • 8.0.1. Моделювання кремнієвих та напівпровідникових пристроїв.
• 8.1 навчальні матеріали про кремнієві пристрої
  • 8.1.1 Кремнієвий p-n перехідний діод (1D): модель дрейфу-дифузії (темна характеристика струм-напруга, рекомбінація за ШРХ).
  • 8.1.2 Полікристалічна кремнієва сонячна батарея (1D): промислова, n+/p/p+ типу (класу Al-BSF).
  • 8.1.3 Сонячна батарея з аморфного кремнію (a-Si:H) (1D): тонкоплівкова p/i/n структура (з обмеженнями, пов’язаними з дефектами).
  • Навчальний посібник: 8.1.4 Si 2D NMOS-конденсатор: електростатика та область збіднення.
• 8.2. Напівпровідникові прилади на основі сполук III–V групи (арсенід галію, алюміній-галієвий арсенід, індій-галієвий арсенід/індій-фосфід).
  • 8.2.1 GaAs p-n перехідний діод (1D): модель дрейфу-дифузії (темна характеристика струм-напруга, рекомбінація за SRH).
  • 8.2.2 GaAs, тривимірна модель переносу-дифузії з вертикальним дефектом.
  • 8.2.3. Сонячна батарея на основі гетеропереходу GaAs/AlGaAs: моделювання процесів дрейфу-дифузії та оптичне моделювання.
  • Фотодіод PIN на основі 8.2.4 InGaAs/InP, що працює на довжині хвилі 1550 нм: оптичне генерування, дрейф-дифузія та чутливість.
  • Інфрачервоний світлодіод GaAs/AlGaAs з довжиною хвилі 870 нм: ін’єкція носіїв заряду, випромінювальна рекомбінація та випромінювання світла.