Simulazione di dispositivi a semiconduttore organico: celle fotovoltaiche organiche, diodi organici a emissione di luce e transistor a effetto di campo organici.Simulazione di dispositivi a semiconduttore organico: celle fotovoltaiche organiche, diodi organici a emissione di luce e transistor a effetto di campo organici.

1. Introduzione ai semiconduttori organici1. Introduzione ai semiconduttori organici

I semiconduttori organici sono materiali a base di carbonio, costituiti da polimeri e piccole molecole, e non da reticoli cristallini. Di conseguenza, assomigliano a strutture molecolari disordinate piuttosto che a solidi periodici (cfr. ??). Ciò conferisce loro proprietà interessanti, come la possibilità di essere lavorati a basse temperature e potenzialmente a costi di produzione contenuti, ma introduce anche un notevole disordine strutturale ed energetico. A differenza del silicio o dei semiconduttori di tipo III-V, in cui le cariche si muovono in bande ben definite (cfr. ??), il trasporto di carica nei materiali organici avviene attraverso un'ampia distribuzione di stati localizzati (cfr. ??).I semiconduttori organici sono materiali a base di carbonio, costituiti da polimeri e piccole molecole, e non da reticoli cristallini. Di conseguenza, assomigliano a strutture molecolari disordinate piuttosto che a solidi periodici (cfr. ??). Ciò conferisce loro proprietà interessanti, come la possibilità di essere lavorati a basse temperature e potenzialmente a costi di produzione contenuti, ma introduce anche un notevole disordine strutturale ed energetico. A differenza del silicio o dei semiconduttori di tipo III-V, in cui le cariche si muovono in bande ben definite (cfr. ??), il trasporto di carica nei materiali organici avviene attraverso un'ampia distribuzione di stati localizzati (cfr. ??).

Le implicazioni per la fisica dei dispositivi sono che il trasporto non avviene attraverso bande di energia, ma è tipicamente limitato dalla presenza di trappole e attivato termicamente. Le cariche si muovono saltando tra stati localizzati, vengono ripetutamente catturate e rilasciate dalle trappole e attraversano un ambiente spazialmente ed energeticamente disordinato. Di conseguenza, la densità degli stati non è rappresentata da un bordo di banda definito, ma da una distribuzione, e l’occupazione di tale distribuzione varia in funzione della polarizzazione, dell’illuminazione e della posizione all’interno del dispositivo. La risposta corrente-tensione misurata è quindi una manifestazione combinata della mobilità, del riempimento delle trappole, della ricombinazione, della ridistribuzione del campo elettrico interno e dell’iniezione di corrente nel contatto.Le implicazioni per la fisica dei dispositivi sono che il trasporto non avviene attraverso bande di energia, ma è tipicamente limitato dalla presenza di trappole e attivato termicamente. Le cariche si muovono saltando tra stati localizzati, vengono ripetutamente catturate e rilasciate dalle trappole e attraversano un ambiente spazialmente ed energeticamente disordinato. Di conseguenza, la densità degli stati non è rappresentata da un bordo di banda definito, ma da una distribuzione, e l’occupazione di tale distribuzione varia in funzione della polarizzazione, dell’illuminazione e della posizione all’interno del dispositivo. La risposta corrente-tensione misurata è quindi una manifestazione combinata della mobilità, del riempimento delle trappole, della ricombinazione, della ridistribuzione del campo elettrico interno e dell’iniezione di corrente nel contatto.

In termini di simulazione, ciò significa che gli stati di intrappolamento e il disordine devono essere presi in considerazione esplicitamente. Considerare gli stati di intrappolamento come una piccola perturbazione è solitamente un errore: in molti dispositivi organici, essi rappresentano il fattore fisico dominante. Pertanto, i modelli realistici devono includere sia le distribuzioni degli stati di intrappolamento sia la ricombinazione di Shockley-Read-Hall (SRH), che insieme descrivono la cattura, l'emissione e la ricombinazione delle cariche attraverso stati localizzati. Questi processi controllano la durata della vita delle cariche, le vie di ricombinazione e, in definitiva, l'efficienza del dispositivo.In termini di simulazione, ciò significa che gli stati di intrappolamento e il disordine devono essere presi in considerazione esplicitamente. Considerare gli stati di intrappolamento come una piccola perturbazione è solitamente un errore: in molti dispositivi organici, essi rappresentano il fattore fisico dominante. Pertanto, i modelli realistici devono includere sia le distribuzioni degli stati di intrappolamento sia la ricombinazione di Shockley-Read-Hall (SRH), che insieme descrivono la cattura, l'emissione e la ricombinazione delle cariche attraverso stati localizzati. Questi processi controllano la durata della vita delle cariche, le vie di ricombinazione e, in definitiva, l'efficienza del dispositivo.

3. Tutorial sull’utilizzo di dispositivi organici3. Tutorial sull’utilizzo di dispositivi organici

Questi tutorial illustrano le principali categorie di dispositivi organici supportate da OghmaNano. Il tutorial sugli OPV (celle fotovoltaiche organiche) è il punto di partenza consigliato, in quanto presenta l’intero processo di modellazione del dispositivo: assorbimento ottico, generazione di carica, trasporto per deriva e diffusione, ricombinazione ed estrazione. Una volta compreso questo flusso di lavoro, lo stesso modello fisico può essere applicato agli OLED, agli OFET e ad altre strutture semiconduttrici disordinate più specializzate.Questi tutorial illustrano le principali categorie di dispositivi organici supportate da OghmaNano. Il tutorial sugli OPV (celle fotovoltaiche organiche) è il punto di partenza consigliato, in quanto presenta l’intero processo di modellazione del dispositivo: assorbimento ottico, generazione di carica, trasporto per deriva e diffusione, ricombinazione ed estrazione. Una volta compreso questo flusso di lavoro, lo stesso modello fisico può essere applicato agli OLED, agli OFET e ad altre strutture semiconduttrici disordinate più specializzate.

• Simulazione di celle solari organiche (OPV) — creare una simulazione completa di un dispositivo fotovoltaico organico, calcolare una curva corrente-tensione (JV) e interpretare i parametri \(J_{SC}\), \(V_{OC}\), il fattore di riempimento e l’efficienza in termini di generazione, ricombinazione, mobilità, trappole ed estrazione di carica al contatto. Simulazione di celle solari organiche (OPV) — creare una simulazione completa di un dispositivo fotovoltaico organico, calcolare una curva corrente-tensione (JV) e interpretare i parametri \(J_{SC}\), \(V_{OC}\), il fattore di riempimento e l’efficienza in termini di generazione, ricombinazione, mobilità, trappole ed estrazione di carica al contatto.
• Simulazione del transistor organico a effetto di campo (OFET) — modello del funzionamento del transistor organico, in cui l’elettrostatica, l’accumulo indotto dal gate, l’iniezione di carica al contatto, la mobilità e il trasporto controllato dal disordine determinano il segnale di uscita misurato. Simulazione del transistor organico a effetto di campo (OFET) — modello del funzionamento del transistor organico, in cui l’elettrostatica, l’accumulo indotto dal gate, l’iniezione di carica al contatto, la mobilità e il trasporto controllato dal disordine determinano il segnale di uscita misurato.
• Simulazione di dispositivi OLED – ottica coerente di film sottili – simulare i campi ottici dei dispositivi OLED utilizzando l’ottica coerente di film sottili, in cui l’interferenza, lo spessore degli strati e il contrasto dell’indice di rifrazione controllano l’ambiente ottico all’interno del dispositivo. Simulazione di dispositivi OLED – ottica coerente di film sottili – simulare i campi ottici dei dispositivi OLED utilizzando l’ottica coerente di film sottili, in cui l’interferenza, lo spessore degli strati e il contrasto dell’indice di rifrazione controllano l’ambiente ottico all’interno del dispositivo.
• Simulazione di dispositivi OLED – ottica 3D incoerente – analizza l’estrazione della luce dagli OLED e la sua propagazione ottica utilizzando metodi di tracciamento dei raggi adatti a strutture ottiche più spesse, strutturate o con geometrie complesse. Simulazione di dispositivi OLED – ottica 3D incoerente – analizza l’estrazione della luce dagli OLED e la sua propagazione ottica utilizzando metodi di tracciamento dei raggi adatti a strutture ottiche più spesse, strutturate o con geometrie complesse.

4. Principi di funzionamento dei dispositivi fotovoltaici organici4. Principi di funzionamento dei dispositivi fotovoltaici organici

Le celle solari organiche sono regolate dall’interazione tra disordine, morfologia e ricombinazione. Pertanto, una simulazione OPV di alta qualità deve andare oltre la semplice adattamento di una curva JV. Deve analizzare come vengono generati i portatori di carica, come si muovono attraverso una densità di stati disordinata, come si formano le trappole in presenza di una polarizzazione e come la ricombinazione varia in funzione della densità dei portatori, del campo elettrico e della posizione spaziale.Le celle solari organiche sono regolate dall’interazione tra disordine, morfologia e ricombinazione. Pertanto, una simulazione OPV di alta qualità deve andare oltre la semplice adattamento di una curva JV. Deve analizzare come vengono generati i portatori di carica, come si muovono attraverso una densità di stati disordinata, come si formano le trappole in presenza di una polarizzazione e come la ricombinazione varia in funzione della densità dei portatori, del campo elettrico e della posizione spaziale.

• Esempio di corrente limitata dalla carica spaziale (SCLC) — studiare l’iniezione di carica, la formazione dello spazio di carica e il flusso di corrente limitato dalle trappole. Le simulazioni SCLC sono importanti perché la mobilità apparente ricavata dagli esperimenti spesso include contributi dovuti ai contatti, alle trappole, al disordine energetico e alla ridistribuzione del campo. Esempio di corrente limitata dalla carica spaziale (SCLC) — studiare l’iniezione di carica, la formazione dello spazio di carica e il flusso di corrente limitato dalle trappole. Le simulazioni SCLC sono importanti perché la mobilità apparente ricavata dagli esperimenti spesso include contributi dovuti ai contatti, alle trappole, al disordine energetico e alla ridistribuzione del campo.
• Simulazione di dispositivi OPV su larga area — passare dalla simulazione di celle di piccole dimensioni, idealizzate, a dispositivi più grandi, in cui la resistenza di superficie, il flusso di corrente laterale, i contatti e le perdite dovute alla scalabilità diventano elementi integranti della fisica del dispositivo. Simulazione di dispositivi OPV su larga area — passare dalla simulazione di celle di piccole dimensioni, idealizzate, a dispositivi più grandi, in cui la resistenza di superficie, il flusso di corrente laterale, i contatti e le perdite dovute alla scalabilità diventano elementi integranti della fisica del dispositivo.
• Simulazione delle morfologie delle eterogiunzioni a struttura sfusa mediante sezioni elettriche bidimensionali — analisi di come la separazione di fase a livello nanoscopico, i percorsi di percolazione e la geometria donatore-accettore influenzino l’estrazione, la ricombinazione e l’accumulo locale di portatori di carica nelle celle solari a eterogiunzione. Simulazione delle morfologie delle eterogiunzioni a struttura sfusa mediante sezioni elettriche bidimensionali — analisi di come la separazione di fase a livello nanoscopico, i percorsi di percolazione e la geometria donatore-accettore influenzino l’estrazione, la ricombinazione e l’accumulo locale di portatori di carica nelle celle solari a eterogiunzione.

5. Stati eccitati e fisica degli eccitoni5. Stati eccitati e fisica degli eccitoni

Nei dispositivi optoelettronici organici, l’assorbimento della luce genera solitamente eccitoni legati, anziché produrre immediatamente portatori di carica liberi. Questa è una delle principali differenze tra la modellizzazione dei dispositivi organici e quella dei dispositivi semiconduttori inorganici convenzionali. La simulazione deve quindi tenere conto non solo dei punti in cui i fotoni vengono assorbiti, ma anche dei punti in cui gli eccitoni si diffondono, si dissociano e si disperdono prima di generare una carica utile.Nei dispositivi optoelettronici organici, l’assorbimento della luce genera solitamente eccitoni legati, anziché produrre immediatamente portatori di carica liberi. Questa è una delle principali differenze tra la modellizzazione dei dispositivi organici e quella dei dispositivi semiconduttori inorganici convenzionali. La simulazione deve quindi tenere conto non solo dei punti in cui i fotoni vengono assorbiti, ma anche dei punti in cui gli eccitoni si diffondono, si dissociano e si disperdono prima di generare una carica utile.

Questo aspetto è particolarmente importante nelle eterogiunzioni a struttura mista, dove le dimensioni rilevanti sono spesso paragonabili alle lunghezze di diffusione degli eccitoni. Pertanto, la morfologia non è un semplice dettaglio strutturale decorativo, ma determina se la luce assorbita si trasforma in carica estratta, in perdita di carica, in ricombinazione non geminata o in calore.Questo aspetto è particolarmente importante nelle eterogiunzioni a struttura mista, dove le dimensioni rilevanti sono spesso paragonabili alle lunghezze di diffusione degli eccitoni. Pertanto, la morfologia non è un semplice dettaglio strutturale decorativo, ma determina se la luce assorbita si trasforma in carica estratta, in perdita di carica, in ricombinazione non geminata o in calore.

• Dinamica degli eccitoni nei dispositivi OPV — simulare la generazione, la diffusione, la dissociazione e la perdita degli eccitoni nei dispositivi fotovoltaici organici e mettere in relazione l’assorbimento ottico con la generazione di portatori di carica liberi.Dinamica degli eccitoni nei dispositivi OPV — simulare la generazione, la diffusione, la dissociazione e la perdita degli eccitoni nei dispositivi fotovoltaici organici e mettere in relazione l’assorbimento ottico con la generazione di portatori di carica liberi.
• Trasporto degli eccitoni nei domini BHJ — analizzare il movimento degli eccitoni in domini donatore-accettore strutturati nello spazio, dove le dimensioni del dominio, l’area di interfaccia e la lunghezza di diffusione controllano la generazione di carica. Trasporto degli eccitoni nei domini BHJ — analizzare il movimento degli eccitoni in domini donatore-accettore strutturati nello spazio, dove le dimensioni del dominio, l’area di interfaccia e la lunghezza di diffusione controllano la generazione di carica.

6. Simulazioni nel dominio della frequenza: IS, IMPS e IMVS6. Simulazioni nel dominio della frequenza: IS, IMPS e IMVS

Le misurazioni nel dominio della frequenza sono particolarmente efficaci perché analizzano le costanti di tempo interne di un dispositivo, anziché limitarsi a misurarne l’uscita in condizioni di regime stazionario. Nei semiconduttori organici disordinati, queste costanti di tempo sono raramente semplici. Possono derivare da ritardi nel trasporto, fenomeni di intrappolamento e rilascio, capacità chimica, effetti di contatto, cinetica di ricombinazione, movimento ionico o estrazione dipendente dalla morfologia.Le misurazioni nel dominio della frequenza sono particolarmente efficaci perché analizzano le costanti di tempo interne di un dispositivo, anziché limitarsi a misurarne l’uscita in condizioni di regime stazionario. Nei semiconduttori organici disordinati, queste costanti di tempo sono raramente semplici. Possono derivare da ritardi nel trasporto, fenomeni di intrappolamento e rilascio, capacità chimica, effetti di contatto, cinetica di ricombinazione, movimento ionico o estrazione dipendente dalla morfologia.

Le simulazioni nel dominio della frequenza di OghmaNano consentono di studiare questi effetti utilizzando lo stesso modello fisico impiegato per il dispositivo in condizioni di regime stazionario. Questo è importante: le tecniche IS, IMPS e IMVS sono più utili quando non vengono considerate come esercizi separati di adattamento di circuiti equivalenti, ma come strumenti dinamici per analizzare gli stessi fenomeni di deriva-diffusione, intrappolamento e ricombinazione che influenzano la curva JV.Le simulazioni nel dominio della frequenza di OghmaNano consentono di studiare questi effetti utilizzando lo stesso modello fisico impiegato per il dispositivo in condizioni di regime stazionario. Questo è importante: le tecniche IS, IMPS e IMVS sono più utili quando non vengono considerate come esercizi separati di adattamento di circuiti equivalenti, ma come strumenti dinamici per analizzare gli stessi fenomeni di deriva-diffusione, intrappolamento e ricombinazione che influenzano la curva JV.

• Spettroscopia di impedenza (IS) — analizza la risposta elettrica a piccoli segnali, la capacità, la resistenza di trasporto e la ricombinazione dipendente dalla frequenza in dispositivi organici simulati. Spettroscopia di impedenza (IS) — analizza la risposta elettrica a piccoli segnali, la capacità, la resistenza di trasporto e la ricombinazione dipendente dalla frequenza in dispositivi organici simulati.
• Spettroscopia della fotocorrente a intensità modulata (IMPS) — studio della risposta della fotocorrente in condizioni di illuminazione modulata, al fine di mettere in relazione la dinamica di estrazione con il trasporto e la ricombinazione delle cariche. Spettroscopia della fotocorrente a intensità modulata (IMPS) — studio della risposta della fotocorrente in condizioni di illuminazione modulata, al fine di mettere in relazione la dinamica di estrazione con il trasporto e la ricombinazione delle cariche.
• Spettroscopia di voltaggio a modulazione di intensità (IMVS) — studio della risposta di voltaggio in condizioni di illuminazione modulata, spesso utilizzata per analizzare i tempi di ricombinazione, l’accumulo di carica e la dinamica del livello quasi-Fermi. Spettroscopia di voltaggio a modulazione di intensità (IMVS) — studio della risposta di voltaggio in condizioni di illuminazione modulata, spesso utilizzata per analizzare i tempi di ricombinazione, l’accumulo di carica e la dinamica del livello quasi-Fermi.

7. Modellazione termica organica7. Modellazione termica organica

La temperatura non è un parametro secondario nei semiconduttori organici disordinati. Poiché i processi di salto, intrappolamento, rilascio, ricombinazione e mobilità sono spesso attivati termicamente, anche un modesto aumento di temperatura può modificare il comportamento apparente del trasporto e della ricombinazione di un dispositivo. Nei dispositivi ad alta densità di corrente, nei moduli di grandi dimensioni e nelle strutture con scarsa dissipazione del calore, l’accoppiamento elettrotermico può quindi influire sia sulle prestazioni che sull’interpretazione dei risultati.La temperatura non è un parametro secondario nei semiconduttori organici disordinati. Poiché i processi di salto, intrappolamento, rilascio, ricombinazione e mobilità sono spesso attivati termicamente, anche un modesto aumento di temperatura può modificare il comportamento apparente del trasporto e della ricombinazione di un dispositivo. Nei dispositivi ad alta densità di corrente, nei moduli di grandi dimensioni e nelle strutture con scarsa dissipazione del calore, l’accoppiamento elettrotermico può quindi influire sia sulle prestazioni che sull’interpretazione dei risultati.

• Simulazione elettrotermica: tutorial sull’autoriscaldamento — modello per la generazione di calore, il trasporto termico e il comportamento dei dispositivi in funzione della temperatura nelle strutture a semiconduttore organico. Simulazione elettrotermica: tutorial sull’autoriscaldamento — modello per la generazione di calore, il trasporto termico e il comportamento dei dispositivi in funzione della temperatura nelle strutture a semiconduttore organico.

8. Principi fisici di base8. Principi fisici di base

I tutorial sopra descritti si basano sul modello di trasporto e sull’approccio di modellazione ottica di OghmaNano. Nel caso dei semiconduttori disordinati, l’aspetto fondamentale è che la densità dei portatori, la mobilità e il processo di ricombinazione non sono parametri indipendenti. Essi sono interconnessi attraverso la densità degli stati, l’occupazione delle trappole e il potenziale elettrostatico interno. Una variazione nell’illuminazione, nella polarizzazione o nelle condizioni al contorno dei contatti modifica il riempimento delle trappole; la modifica del riempimento delle trappole influisce sulla popolazione dei portatori liberi; la variazione della popolazione dei portatori liberi modifica la ricombinazione e la conducibilità; e la conseguente ridistribuzione del campo elettrico influisce sull’estrazione.I tutorial sopra descritti si basano sul modello di trasporto e sull’approccio di modellazione ottica di OghmaNano. Nel caso dei semiconduttori disordinati, l’aspetto fondamentale è che la densità dei portatori, la mobilità e il processo di ricombinazione non sono parametri indipendenti. Essi sono interconnessi attraverso la densità degli stati, l’occupazione delle trappole e il potenziale elettrostatico interno. Una variazione nell’illuminazione, nella polarizzazione o nelle condizioni al contorno dei contatti modifica il riempimento delle trappole; la modifica del riempimento delle trappole influisce sulla popolazione dei portatori liberi; la variazione della popolazione dei portatori liberi modifica la ricombinazione e la conducibilità; e la conseguente ridistribuzione del campo elettrico influisce sull’estrazione.

Per questo motivo, OghmaNano integra la fisica degli stati di trappola, la ricombinazione SRH, il fenomeno del intrappolamento fuori equilibrio, la generazione ottica e il trasporto per deriva-diffusione nello stesso ambiente di modellazione. Nel caso dei semiconduttori organici, separare eccessivamente questi effetti spesso porta a simulazioni che, pur essendo facili da adattare ai dati sperimentali, risultano fisicamente fuorvianti.Per questo motivo, OghmaNano integra la fisica degli stati di trappola, la ricombinazione SRH, il fenomeno del intrappolamento fuori equilibrio, la generazione ottica e il trasporto per deriva-diffusione nello stesso ambiente di modellazione. Nel caso dei semiconduttori organici, separare eccessivamente questi effetti spesso porta a simulazioni che, pur essendo facili da adattare ai dati sperimentali, risultano fisicamente fuorvianti.

• Teoria della modellazione mediante deriva e diffusione — il modello di trasporto elettrico utilizzato per risolvere le equazioni di continuità dei portatori di carica, il flusso di corrente e l’accoppiamento elettrostatico nelle simulazioni dei dispositivi. Teoria della modellazione mediante deriva e diffusione — il modello di trasporto elettrico utilizzato per risolvere le equazioni di continuità dei portatori di carica, il flusso di corrente e l’accoppiamento elettrostatico nelle simulazioni dei dispositivi.
• La necessità di considerare gli stati di trappola nei modelli dei dispositivi organici — perché la presenza di stati di trappola distribuiti e di un certo grado di disordine energetico è essenziale per la modellizzazione dei semiconduttori organici e di altri semiconduttori disordinati.La necessità di considerare gli stati di trappola nei modelli dei dispositivi organici — perché la presenza di stati di trappola distribuiti e di un certo grado di disordine energetico è essenziale per la modellizzazione dei semiconduttori organici e di altri semiconduttori disordinati.
• Ricombinazione di Shockley–Read–Hall — analisi teorica della ricombinazione assistita da trappole e delle basi fisiche della perdita di portatori di carica mediata da trappole. Ricombinazione di Shockley–Read–Hall — analisi teorica della ricombinazione assistita da trappole e delle basi fisiche della perdita di portatori di carica mediata da trappole.
• Intrappolamento e ricombinazione SRH in condizioni di non equilibrio — trattamento numerico dei processi di intrappolamento, emissione e ricombinazione nelle distribuzioni di trappole risolte in termini di energia, in cui le ipotesi di equilibrio non sono sufficienti. Intrappolamento e ricombinazione SRH in condizioni di non equilibrio — trattamento numerico dei processi di intrappolamento, emissione e ricombinazione nelle distribuzioni di trappole risolte in termini di energia, in cui le ipotesi di equilibrio non sono sufficienti.
• Mobilità dei portatori di carica — modelli di mobilità, ipotesi sui meccanismi di trasporto e interpretazione della mobilità nei dispositivi semiconduttori disordinati. Mobilità dei portatori di carica — modelli di mobilità, ipotesi sui meccanismi di trasporto e interpretazione della mobilità nei dispositivi semiconduttori disordinati.

9. Da dove dovreste cominciare?9. Da dove dovreste cominciare?

Se sei un nuovo utente di OghmaNano, inizia con il tutorial OPV. Questo tutorial ti guiderà nel modo più rapido per eseguire una simulazione completa di un dispositivo a semiconduttore organico: definisci la struttura a strati, esegui il modello, analizza la curva corrente-tensione e collega i risultati a grandezze fisiche quali la generazione, l’estrazione, la ricombinazione e la perdita di tensione.Se sei un nuovo utente di OghmaNano, inizia con il tutorial OPV. Questo tutorial ti guiderà nel modo più rapido per eseguire una simulazione completa di un dispositivo a semiconduttore organico: definisci la struttura a strati, esegui il modello, analizza la curva corrente-tensione e collega i risultati a grandezze fisiche quali la generazione, l’estrazione, la ricombinazione e la perdita di tensione.

Se avete già familiarità con il flusso di lavoro di base, passate direttamente ai tutorial sulla fisica. Utilizzate SCLC per comprendere il trasporto limitato dall’iniezione e dalle trappole, i tutorial sugli eccitoni per capire la conversione della luce assorbita in portatori liberi, i tutorial sulle BHJ per studiare la morfologia e IS/IMPS/IMVS per collegare lo stesso modello fisico alla caratterizzazione sperimentale dinamica.Se avete già familiarità con il flusso di lavoro di base, passate direttamente ai tutorial sulla fisica. Utilizzate SCLC per comprendere il trasporto limitato dall’iniezione e dalle trappole, i tutorial sugli eccitoni per capire la conversione della luce assorbita in portatori liberi, i tutorial sulle BHJ per studiare la morfologia e IS/IMPS/IMVS per collegare lo stesso modello fisico alla caratterizzazione sperimentale dinamica.