Capítulo 8: Dispositivos semicondutores de silício e de III-V

Este capítulo aborda a simulação de dispositivos semicondutores de silício e III-V no OghmaNano, utilizando modelos de dispositivos baseados na deriva e difusão. Os tutoriais incluem diodos de junção PN de silício e GaAs, células solares de silício cristalino e amorfo, estruturas MOS e simulações multidimensionais de semicondutores. Os exemplos exploram o transporte de portadores de carga, a eletrostática, a recombinação, a dopagem, os defeitos e as características de corrente-tensão em estruturas práticas de dispositivos semicondutores.

• 8.0 Introdução à modelagem de dispositivos semicondutores
  • 8.0.1 Simulação de dispositivos de silício e semicondutores
• 8.1 tutoriais sobre dispositivos de silício
  • Diodo de junção PN de silício (1D): modelo de derivação-difusão (corrente-tensão em condições de escuridão, recombinação SRH).
  • 8.1.2 Célula solar de silício policristalino (1D): industrial, tipo n+/p/p+ (classe Al-BSF).
  • 8.1.3 Célula solar de silício amorfo (a-Si:H) (1D): Filme fino p/i/n (limitada por defeitos)
  • Tutorial sobre o capacitor 8.1.4 Si 2D NMOS: eletrostática e região de depleção.
• 8.2 Dispositivos semicondutores III–V (GaAs, AlGaAs, InGaAs/InP)
  • Diodo de junção PN de GaAs (1D): modelo de deriva-difusão (corrente-tensão em condições de escuridão, recombinação SRH).
  • 8.2.2 GaAs: Modelo tridimensional de deriva-difusão com um defeito vertical.
  • Célula solar de heterojunção GaAs/AlGaAs: modelagem de transporte por deriva e difusão e modelagem óptica.
  • Fotodiodo PIN de InGaAs/InP a 1550 nm: geração óptica, deriva-difusão e responsividade.
  • LED infravermelho de GaAs/AlGaAs a 870 nm: injeção de portadores, recombinação radiativa e emissão de luz.
  • Diodo de Heterojunção AlGaAs/GaAs: Alinhamento das Bandas, Difusão por Deriva e Características da Curva J–V.
  • Diodo PIN de GaN 8.2.7: Modelo de Deriva-Difusão, Região de Depleção e Distribuição do Campo Elétrico.
  • Diodo de Junção PN de GaN: Retificação Elétrica, Difusão por Deriva e Recombinação de Portadores
  • Diodo de Junção PN em InP: Deriva-Difusão, Retificação Elétrica e Recombinação de Portadores
  • Célula solar heterojunção AlGaAs/GaAs: modelos de deriva-difusão, estrutura de bandas e desempenho fotovoltaico.