Capitolo 8: Dispositivi a semiconduttore a base di silicio e di materiali del gruppo III-VCapitolo 8: Dispositivi a semiconduttore a base di silicio e di materiali del gruppo III-V

Questo capitolo tratta della simulazione di dispositivi a semiconduttore di silicio e di tipo III-V in OghmaNano, utilizzando modelli di dispositivi basati sulla diffusione e sulla deriva. I tutorial includono diodi a giunzione PN in silicio e GaAs, celle solari in silicio cristallino e amorfo, strutture MOS e simulazioni multidimensionali di semiconduttori. Gli esempi illustrano il trasporto delle cariche, l’elettrostatica, la ricombinazione, la drogatura, i difetti e le caratteristiche corrente-tensione in strutture pratiche di dispositivi a semiconduttore.Questo capitolo tratta della simulazione di dispositivi a semiconduttore di silicio e di tipo III-V in OghmaNano, utilizzando modelli di dispositivi basati sulla diffusione e sulla deriva. I tutorial includono diodi a giunzione PN in silicio e GaAs, celle solari in silicio cristallino e amorfo, strutture MOS e simulazioni multidimensionali di semiconduttori. Gli esempi illustrano il trasporto delle cariche, l’elettrostatica, la ricombinazione, la drogatura, i difetti e le caratteristiche corrente-tensione in strutture pratiche di dispositivi a semiconduttore.

• 8.0 Introduzione alla modellazione dei dispositivi a semiconduttore
  • 8.0.1 Simulazione di dispositivi a base di silicio e semiconduttori
  8.0 Introduzione alla modellazione dei dispositivi a semiconduttore
  • 8.0.1 Simulazione di dispositivi a base di silicio e semiconduttori
• 8.1 Tutorial sui dispositivi a base di silicio
  • 8.1.1 Diodo al silicio con giunzione PN (1D): modello di trasporto-diffusione (caratteristica corrente-tensione al buio, ricombinazione SRH).
  • 8.1.2 Cella solare in silicio policristallino (1D): di tipo industriale n+/p/p+ (classe Al-BSF).
  • 8.1.3 Cella solare in silicio amorfo (a-Si:H) (1D): struttura a film sottile di tipo p/i/n (con limitazioni dovute ai difetti).
  • 8.1.4 Tutorial sul condensatore 2D NMOS: elettrostatica e regione di svuotamento.
  8.1 Tutorial sui dispositivi a base di silicio
  • 8.1.1 Diodo al silicio con giunzione PN (1D): modello di trasporto-diffusione (caratteristica corrente-tensione al buio, ricombinazione SRH).
  • 8.1.2 Cella solare in silicio policristallino (1D): di tipo industriale n+/p/p+ (classe Al-BSF).
  • 8.1.3 Cella solare in silicio amorfo (a-Si:H) (1D): struttura a film sottile di tipo p/i/n (con limitazioni dovute ai difetti).
  • 8.1.4 Tutorial sul condensatore 2D NMOS: elettrostatica e regione di svuotamento.
• 8.2 Dispositivi a semiconduttore di tipo III-V (GaAs, AlGaAs, InGaAs/InP)
  • 8.2.1 Diodo a giunzione PN in GaAs (1D): modello di trasporto-diffusione (caratteristica corrente-tensione al buio, ricombinazione di Shockley-Read-Hall).
  • 8.2.2 Modello 3D di trasporto-diffusione di GaAs con difetto verticale
  • 8.2.3 Cella solare eterogiunzionale GaAs/AlGaAs: modellazione del trasporto di carica e modellazione ottica
  • 8.2.4 Fotodiodo PIN InGaAs/InP a 1550 nm: generazione ottica, meccanismo di deriva-diffusione e risposta.
  • 8.2.5 Diodo a emissione di luce a infrarossi GaAs/AlGaAs a 870 nm: iniezione di portatori di carica, ricombinazione radiativa ed emissione di luce.
  • 8.2.6 Diodo eterogiunzione AlGaAs/GaAs: allineamento delle bande, trasporto per deriva-diffusione e caratteristiche della curva corrente-tensione.
  • 8.2.7 Diodo PIN in nitruro di gallio (GaN): modello di trasporto mediante deriva e diffusione, regione di svuotamento e distribuzione del campo elettrico.
  • 8.2.8 Diodo a giunzione PN in nitruro di gallio (GaN): raddrizzamento elettrico, fenomeni di deriva-diffusione e ricombinazione dei portatori di carica.
  • 8.2.9 Diodo a giunzione PN in InP: meccanismi di deriva-diffusione, rettifica elettrica e ricombinazione delle cariche.
  • 8.2.10 Cella solare eterogiunzionale AlGaAs/GaAs: modelli di trasporto basati sulla deriva e sulla diffusione, struttura a bande e prestazioni fotovoltaiche.
  8.2 Dispositivi a semiconduttore di tipo III-V (GaAs, AlGaAs, InGaAs/InP)
  • 8.2.1 Diodo a giunzione PN in GaAs (1D): modello di trasporto-diffusione (caratteristica corrente-tensione al buio, ricombinazione di Shockley-Read-Hall).
  • 8.2.2 Modello 3D di trasporto-diffusione di GaAs con difetto verticale
  • 8.2.3 Cella solare eterogiunzionale GaAs/AlGaAs: modellazione del trasporto di carica e modellazione ottica
  • 8.2.4 Fotodiodo PIN InGaAs/InP a 1550 nm: generazione ottica, meccanismo di deriva-diffusione e risposta.
  • 8.2.5 Diodo a emissione di luce a infrarossi GaAs/AlGaAs a 870 nm: iniezione di portatori di carica, ricombinazione radiativa ed emissione di luce.
  • 8.2.6 Diodo eterogiunzione AlGaAs/GaAs: allineamento delle bande, trasporto per deriva-diffusione e caratteristiche della curva corrente-tensione.
  • 8.2.7 Diodo PIN in nitruro di gallio (GaN): modello di trasporto mediante deriva e diffusione, regione di svuotamento e distribuzione del campo elettrico.
  • 8.2.8 Diodo a giunzione PN in nitruro di gallio (GaN): raddrizzamento elettrico, fenomeni di deriva-diffusione e ricombinazione dei portatori di carica.
  • 8.2.9 Diodo a giunzione PN in InP: meccanismi di deriva-diffusione, rettifica elettrica e ricombinazione delle cariche.
  • 8.2.10 Cella solare eterogiunzionale AlGaAs/GaAs: modelli di trasporto basati sulla deriva e sulla diffusione, struttura a bande e prestazioni fotovoltaiche.