Вибір моделі квантової ями
Навчальні цілі. Після прочитання цієї сторінки ви повинні вміти:
- Зіставте кожну модель OghmaNano з типом матеріалу, для якого вона найкраще підходить.
- Порівняйте методи обробки, що впливають на теплопровідність і валентність, у різних моделях.
- Зважте на точність і порівняйте її з обчислювальними витратами.
- Оберіть модель для розв’язання конкретної фізичної задачі.
- Пам’ятайте, що найкраща модель залежить від конкретної системи, а не лише від її загальних характеристик.
Необхідні умови. Ознайомлення з окремими сторінками, присвяченими кожній моделі; ця сторінка об’єднує їх.
Орієнтовний час читання: 20 хвилин.
OghmaNano пропонує декілька моделей квантових ям, оскільки не існує єдиної моделі, яка була б найкращою для всіх систем. Скалярна параболічна модель ідеально підходить для швидкої оцінки; для точного моделювання валентної зони та коефіцієнта підсилення потрібна 8-смугова модель k·p; для непрямих зон провідності необхідна спеціальна модель для кремнію. На цій сторінці порівнюються різні моделі, щоб ви могли свідомо зробити вибір, а не просто використовувати найскладнішу модель за замовчуванням.
1. Порівняння в табличній формі.
| Модель | Матеріали | Теплопровідність | Валентність | Непараболічний | Напруга; штам; проціджувати; напружувати; деформувати. | Зведення музичних треків (у форматі гурту) | Вартість |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Параболічний | Будь-яка (оцінка) | одиночна маса | одинарна маса | ні | лише компенсації* | жоден | дуже низький |
| цинковий блендит з 8 смугами | GaAs, InGaAs, InP, InAs, GaSb... | непараболічний | HH+LH+SO об’єднані. | так | повний профіль користувача Bir–Pikus | c–v + валентність | високий |
| Десятисмугова структура цинкбленду | розбавлені нітриди (GaInNAs) | BAC + непараболічний | HH+LH+SO об’єднані. | так | повний профіль користувача Bir–Pikus | c–v + N + валентність | високий |
| Вуртзит із вісьмома зонами. | нітрид галію (GaN), нітрид алюмінію (AlN), нітрид індію (InN), сплави | анізотропний | HH+, LH+ і CH з’єднані. | так | повний (\(a_i,D_i\)) | c–v + валентність | високий |
| Якщо Δ – долина. | Так, SiGe (провідність). | 6 анізотропних долин | — | масиви в долинах | \(\Xi_d,\Xi_u\) розділити | долина (через деформацію) | низький |
| Модель Люттінгера–Кона з 6 енергетичними зонами | Si, Ge, SiGe (валентність) | — | HH+LH+SO об’єднані. | так | повний профіль користувача Bir–Pikus | валентність | середній; засіб масової інформації |
*Параболічний розв’язувач враховує зміщення зон і (за потреби) жорстке зміщення країв, спричинене деформацією, але не враховує розщеплення валентної зони, викликане деформацією.
2. Проводникова терапія
Для матеріалів III–V з прямою забороненою зоною зону провідності добре описується 8-зонною моделлю, що робить її непараболічною завдяки явному зв’язку Кейна. Для розбавлених нітридів зона провідності додатково розщеплюється внаслідок антиперетину зон, що потребує використання 10-зонної моделі. Для кремнію та SiGe мінімуми зони провідності представлені шістьма Δ-долинами, які є непрямими та анізотропними і не описуються жодною моделлю k·p, що базується на центрі зони – необхідним є розв’язувач для долин. Параболічний розв’язувач розглядає зону провідності як єдину фіксовану масу, що є достатнім для приблизної оцінки, але не підходить для вищих підзон або вузьких зон.
3. Обробка валентністю.
Валентна зона – це область, де найсильніше проявляються недоліки одноманітної моделі, оскільки важкі, легкі та розділені дірки завжди тісно пов’язані між собою. Будь-який кількісний розрахунок валентної зони – відстань між підзонами дірок, коефіцієнт підсилення або відношення TE/TM – потребує багатозонної моделі: 8-зонної моделі цинкова структура або вюртцитова структура для матеріалів III–V групи, або шестизонної моделі Люттінгера–Кона для матеріалів IV групи. Параболічну модель дірок слід використовувати лише для попередньої оцінки.
4. Вартість і практичність
Обчислювальні витрати зростають зі збільшенням розміру бази та кількості точок \(k_\parallel\). Скалярні моделі (параболічна, модель «Кремнієвої долини») розв’язують тридіагональні матриці та є відносно недорогими. Багатосмугові моделі розв’язують складні ермітові матриці розмірності \(6N\)–\(10N\) у кожній точці \(k_\parallel\), тому повний розрахунок дисперсії значно дорожчий, хоча ітераційний метод «зсув-інверсія» дозволяє вирішити цю проблему, обчислюючи лише декілька важливих станів. Логічним підходом є використання скалярної моделі для визначення рівнів і встановлення структури, а потім перехід до відповідної багатосмугової моделі для остаточного кількісного розрахунку.
5. Вибір моделі
- Квантові ями та лазери на основі GaAs/InGaAs/InP/InAs/GaSb: 8-смугова структура цинкової бленди.
- GaInNAs та інші розбавлені нітриди: 10-смугова структура цинкбленду.
- GaN/InGaN/AlGaN (нітридні світлодіоди та лазери): 8-смугова структура вюрциту, що використовує вихідні сигнали TE/TM для підсилення.
- Кремній/SiGe: провідність (транспорт, квантові ями): розв’язувач для Δ-долини.
- Валентність Si/Ge/SiGe (наявність дірок): шестисмугова модель Луттінджера–Кона.
- Швидке визначення рівня або навчання: вирішувач параболічних рівнянь.
Найкраща модель – це найпростіша модель, яка враховує фізичні принципи, що лежать в основі поставленого питання. Більш складна модель не обов’язково є більш правильною, якщо для неї використовуються менш точні параметри або вона застосовується до системи, яка не відповідає її припущенням; навпаки, проста модель, яка застосовується в межах її можливостей, може бути одночасно точною та швидкою.
Основні моменти/ключові аспекти
- Не існує універсальної моделі, яка була б найкращою у всіх випадках; кожна модель розроблена для конкретної системи матеріалів і для вирішення певного завдання.
- Багатодіапазонні моделі є необхідними для будь-яких кількісних розрахунків, пов’язаних із валентною зоною або коефіцієнтом підсилення.
- Для обробки кремнію потрібні спеціалізовані обчислювальні алгоритми для зони провідності та алгоритм Люттінгера — Кона для валентної зони.
- Спочатку використовуйте скалярну модель для налаштування та оцінювання, а потім багатодіапазонну модель для отримання остаточного результату.